The invention relates to a Graphite Encapsulated Hassler (Heusler) Fe3Si alloy compound nano capsule and nitrogen doping. The purpose is to provide a new absorbing material and a preparation method thereof, this kind of material for nano Fe3Si@C and nano Fe3Si@C N capsule, the single-phase Fe3Si or N doped Fe3Si as the kernel, nano graphite as shell. The in vitro method can be prepared in a large number of such nano capsule phase, the two kinds of nano capsule with mean diameter of 30 40nm, have good soft magnetic properties, the electrical properties of nano capsule has good dielectric and magnetic properties, so it has very good electromagnetic matching, in the 2 18GHz with the band, the reflection loss is high, which makes the material can be absorbed by the electromagnetic wave in the 2 band of 18GHz nano absorbing materials.
【技术实现步骤摘要】
石墨包裹哈斯勒(Heusler)及氮掺杂的合金化合物Fe3Si纳米胶囊
本专利技术属于材料领域,涉及一种新相纳米胶囊,利用等离子体电弧方法,提供了一种,在原位状态下,通过引入催化气体乙醇或乙腈,可以自发生成石墨包裹软磁哈斯勒合金Fe3Si,或N掺杂的Fe3Si的单相纳米胶囊,并且可以大量生产此类纳米胶囊的制备方法。
技术介绍
近年来,在以信息传播为核心的信息革命推动下,在以航天航空为核心的国防竞争要求下,围绕如何利用电磁波,特别是2-18GHz高频电磁波这个核心,开展了大量研究工作。在民用方面,通讯技术的升级需要电磁波频率从4GHz向5GHz迈进,无线网络(wifi)的高效使用也需要电磁波频率在2.4GHz基础上进一步提高;在国防方面,侦察雷达使用的电磁波频率在2-5GHz基础上,为了提高侦察精度,趋向增加频率以实现宽频高精度探测。然而,从相反的方面看,随着电磁波使用频率的提高,电磁波单位面积能量也大大提高,随之会产生强电磁污染,即高频电磁波会对某些重要电子设备运行产生很强的电磁干扰,同时高频电磁波也会以辐射的方式对人体内组织、细胞及DNA螺旋结构造成不可察觉到的损害,严重影响人类的健康。在国防方面,我国研制的隐形飞机和隐形导弹需要避免被高精度雷达侦察到,因此,近年来,需要具有更高磁性或者吸收更高频率电磁波的吸波材料,而磁性纳米材料作为新一代功能材料,在磁记录与吸波材料(隐身材料)应用中越来越广泛,因此开发更多新型纳米磁性材料成为材料研究日益迫切的要求。由于软磁内核具有高磁导率,而利用高磁导率,可以调节纳米胶囊的电磁匹配关系,从而得到更好的电磁波吸收性能, ...
【技术保护点】
一种由石墨包裹哈斯勒(Heusler)软磁合金化合物Fe3Si纳米胶囊Fe3Si@C,其特征在于:所述纳米胶囊形貌具有纳米尺寸的类球形,单个Fe3Si@C纳米胶囊的结构为具有壳‑核结构特征,其中石墨为外壳,Heusler软磁合金Fe3Si为内核。
【技术特征摘要】
1.一种由石墨包裹哈斯勒(Heusler)软磁合金化合物Fe3Si纳米胶囊Fe3Si@C,其特征在于:所述纳米胶囊形貌具有纳米尺寸的类球形,单个Fe3Si@C纳米胶囊的结构为具有壳-核结构特征,其中石墨为外壳,Heusler软磁合金Fe3Si为内核。2.一种由石墨包裹N掺杂的哈斯勒(Heusler)软磁合金化合物Fe3Si纳米胶囊N-Fe3Si@C,其特征在于:所述纳米胶囊形貌具有纳米尺寸的类球形,单个Fe3Si@C纳米胶囊的结构为具有壳-核结构特征,其中石墨为外壳,N掺杂Heusler软磁合金Fe3Si为内核。3.按照权利要求1或2所述纳米胶囊,其特征在于:所述纳米胶囊尺寸分布在10-60nm,平均粒径30-40nm。4.一种权利要求1或2所述纳米胶囊的制备方法,其特征在于:用高温等离子体电弧蒸发技术,在工作气体下原位制备得到;其中:采用高纯石墨电极为阴极,FexSi100-x合金为阳极靶材,x=40-60,阴极与阳极靶材之间保持1-10mm的距...
【专利技术属性】
技术研发人员:马嵩,华安,魏锋,刘磊,耿殿禹,刘伟,张志东,
申请(专利权)人:中国科学院金属研究所,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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