一种大型储能系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种大型储能系统，包含若干组BMU、若干BCU、一个BAU、工控屏和云平台，每个BMU包含n个电池组，连接储能系统的电池组用于采集电池状态数据，一个BCU连接若干个BMU，若干个BCU与一个BAU连接用于收集BMU、BCU数据并上传至BAU，BAU为上层管理单元控制储能系统充放电，工控屏与BAU连接用于实时显示储能系统的状态，云平台与BAU连接用于控制PCS对储能系统的充放电过程。本实用新型专利技术采用三层架构，提高数据处理功能，误差精度降到最低，提高电池利用率、延长电池使用寿命。

A large energy storage system

The utility model discloses a large energy storage system, including several groups of BMU, BCU, BAU, a number of computer screen and cloud platform, each BMU n contains a battery, connection of battery energy storage system is used to collect the battery state data, a BCU is connected with a plurality of BMU, and a plurality of BCU a BAU connection for BMU, BCU data collection and upload to BAU, BAU as the upper management unit to control the energy storage system of charging and discharging, computer screen and BAU connection for real-time display of the energy storage system, cloud platform and BAU connection is used to control the PCS storage system of the charge and discharge process. The utility model adopts the three - layer structure to improve the data processing function, the error precision is reduced to the lowest, the battery utilization rate is improved and the battery life is prolonged.

【技术实现步骤摘要】
一种大型储能系统
本技术涉及一种储能系统，特别是一种大型储能系统。
技术介绍
经过近5年的快速发展，国内储能技术正从小容量小规模的研究与示范向大容量规模化应用发展。储能，作为一个新兴产业正在崛起。储能的必要性体现在保障电网安全，实现全系统的能量管理，接纳可再生能源;经济性体现在优化设备的配置、提高全网的效率;技术先进性体现在相比于传统调峰、调频、旋转备用设备，其快速、准确的响应性和高效率等方面具有突出优势。目前储能行业正处于从小范围试点向大规模应用过渡的初始阶段，国内储能政策预期、全球范围内的各类型储能项目加速启动、行业巨头陆续加大投资布局等事件，都将对中国储能产业的发展形成持续不断的催化。电池管理系统（BATTERYMANAGEMENTSYSTEM）电池管理系统（BMS）是电池与用户之间的纽带，主要对象是二次电池。二次电池存在下面的一些缺点，如存储能量少、寿命短、串并联使用问题、使用安全性、电池电量估算困难等。电池的性能是很复杂的，不同类型的电池特性亦相差很大。电池管理系统（BMS）主要就是为了能够提高电池的利用率，防止电池出现过度充电和过度放电，延长电池的使用寿命，监控电池的状态。随着电池管理系统的发展，也会增添其它的功能。目前的BMS采用整体式的模块化结构，数据处理精确度不高并且维护比较麻烦。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种大型储能系统，其采用多层架构，数据处理准确，维护方便。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种大型储能系统，其特征在于：包含若干组BMU、若干BCU、一个BAU、工控屏和云平台，每个BMU包含n个电池组，连接储能系统的电池组用于采集电池状态数据，一个BCU连接若干个BMU，若干个BCU与一个BAU连接用于收集BMU、BCU数据并上传至BAU，BAU为上层管理单元控制储能系统充放电，工控屏与BAU连接用于实时显示储能系统的状态，云平台与BAU连接用于控制PCS对储能系统的充放电过程。进一步地，所述BAU包含MC9S12XEP100MAL芯片，MC9S12XEP100MAL芯片的3～9脚和12脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的1、2脚连接脉冲宽度调制器PWM的两个输入端，MC9S12XEP100MAL芯片的10、11脚连接脉冲宽度调制器PWM的两个输出端，MC9S12XEP100MAL芯片的12脚连接电容C49、C48一端，电容C49、C48另一端和MC9S12XEP100MAL芯片的14～22脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的35~37脚、39、40脚接地并且连接电容C54一端，电容C54另一端连接MC9S12XEP100MAL芯片的41、43脚、电感L7一端、电容C88一端和电容C53一端，电感L7另一端连接电源+5V，电容C88另一端接地，电容C53另一端连接MC9S12XEP100MAL芯片的44、45脚并接地，MC9S12XEP100MAL芯片的38脚连接电阻R131一端，MC9S12XEP100MAL芯片的42脚连接电阻R5一端，MC9S12XEP100MAL芯片的46脚连接电阻R402一端、晶振管X1一端、电容C28一端，MC9S12XEP100MAL芯片的47脚连接电阻R402另一端、晶振管X1另一端、电容C34一端，电容C28另一端和电容C34另一端接地，MC9S12XEP100MAL芯片的47脚48脚连接电容C61、电容C55的一端连接，电容C61、电容C55的另一端接地，MC9S12XEP100MAL芯片的49～52脚分别与电阻R30、R32、R118、R20一端连接，MC9S12XEP100MAL芯片的55脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的56脚连接电阻R155一端，电阻R155另一端连接电源+5V，MC9S12XEP100MAL芯片的59～64脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的65脚连接电容C99、电容C89一端，电容C99、电容C89另一端接地，MC9S12XEP100MAL芯片的66～77脚、79、81脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的80脚连接电阻R207一端，MC9S12XEP100MAL芯片的82脚连接电阻R206一端，MC9S12XEP100MAL芯片的83、84脚连接电容C80一端、电容C56一端、电阻R237一端，电容C80另一端和电容C56另一端接地，电阻R237另一端、电阻R212、电阻R227一端连接电源+5V，电阻R212另一端连接电容C91一端，电阻R227另一端连接电容C90一端，电容C91、C90另一端接地并与电阻R234一端连接，MC9S12XEP100MAL芯片的85、86、87、94、95、96、97脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的98脚与电阻R216一端连接，MC9S12XEP100MAL芯片的99脚与电阻R217一端连接，MC9S12XEP100MAL芯片的106、108脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的107脚连接电容C46、电容C39、电感L3一端，电容C46和电容C39另一端接地，电感L3另一端连接电源+5V，MC9S12XEP100MAL芯片的112脚连接电阻R117一端，电阻R1176另一端连接电源+5V。进一步地，所述MC9S12XEP100MAL芯片的54脚连接电阻R192一端，电阻R192另一端连接MOS管Q53的G极，MC9S12XEP100MAL芯片的53脚连接电阻R193一端，电阻R193另一端连接MOS管Q52的G极，MOS管Q53、Q52的S极连接电源+5V，MOS管Q53的D极连接电阻R196一端，电阻R196另一端连接双路二极管D61的1脚，MOS管Q52的D极连接电阻R301一端，电阻R301的另一端连接双路二极管D61的2脚，双路二极管D61的3、4脚接地。进一步地，所述电阻R131的另一端连接U14的6脚，U14的7脚连接电阻R260一端，电阻R260另一端连接电阻R5的另一端另、电容C10一端、电阻R279一端和电阻R197一端，电容C10另一端和电阻R279一端接地，电阻R197另一端连接电源+5V和电阻R88一端，电阻R88另一端连接电容C118一端、U142脚，电容C118另一端和U14的3、4脚接地，U14的1、8脚连接。进一步地，所述电阻R216的另一端连接时钟芯片U10的10脚和电阻R201一端，电阻R217的另一端连接时钟芯片U10的9脚和电阻R205一端，时钟芯片U10的11脚连接电阻R200的一端，时钟芯片U10的12脚、电阻R205、R201、R200的另一端和电容C83、C13一端连接电源+5V，电容C83、C13另一端连接时钟芯片U10的8脚并接地。进一步地，所述BMU采用LTC6803芯片进行单体电压采集。进一步地，所述BMU、BCU和BAU之间采用CAN总线连接。本技术与现有技术相比，具有以下优点和效果：本技术采用三层架构，可以提供更准确的测量信息，提高数据处理功能，误差精度降到最低，能够避免或者承受各种误操作的压力，不会出现安全事故，能经受国标规定的绝缘耐压性能试验，在过程中应无击穿或闪络等破坏性放电现象，提高SOC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大型储能系统，其特征在于：包含若干组BMU、若干BCU、一个BAU、工控屏和云平台，每个BMU包含n个电池组，连接储能系统的电池组用于采集电池状态数据，一个BCU连接若干个BMU，若干个BCU与一个BAU连接用于收集BMU、BCU数据并上传至BAU，BAU为上层管理单元控制储能系统充放电，工控屏与BAU连接用于实时显示储能系统的状态，云平台与BAU连接用于控制PCS对储能系统的充放电过程。

【技术特征摘要】
1.一种大型储能系统，其特征在于：包含若干组BMU、若干BCU、一个BAU、工控屏和云平台，每个BMU包含n个电池组，连接储能系统的电池组用于采集电池状态数据，一个BCU连接若干个BMU，若干个BCU与一个BAU连接用于收集BMU、BCU数据并上传至BAU，BAU为上层管理单元控制储能系统充放电，工控屏与BAU连接用于实时显示储能系统的状态，云平台与BAU连接用于控制PCS对储能系统的充放电过程。2.按照权利要求1所述的一种大型储能系统，其特征在于：所述BAU包含MC9S12XEP100MAL芯片，MC9S12XEP100MAL芯片的3～9脚和12脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的1、2脚连接脉冲宽度调制器PWM的两个输入端，MC9S12XEP100MAL芯片的10、11脚连接脉冲宽度调制器PWM的两个输出端，MC9S12XEP100MAL芯片的12脚连接电容C49、C48一端，电容C49、C48另一端和MC9S12XEP100MAL芯片的14～22脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的35~37脚、39、40脚接地并且连接电容C54一端，电容C54另一端连接MC9S12XEP100MAL芯片的41、43脚、电感L7一端、电容C88一端和电容C53一端，电感L7另一端连接电源+5V，电容C88另一端接地，电容C53另一端连接MC9S12XEP100MAL芯片的44、45脚并接地，MC9S12XEP100MAL芯片的38脚连接电阻R131一端，MC9S12XEP100MAL芯片的42脚连接电阻R5一端，MC9S12XEP100MAL芯片的46脚连接电阻R402一端、晶振管X1一端、电容C28一端，MC9S12XEP100MAL芯片的47脚连接电阻R402另一端、晶振管X1另一端、电容C34一端，电容C28另一端和电容C34另一端接地，MC9S12XEP100MAL芯片的47脚48脚连接电容C61、电容C55的一端连接，电容C61、电容C55的另一端接地，MC9S12XEP100MAL芯片的49～52脚分别与电阻R30、R32、R118、R20一端连接，MC9S12XEP100MAL芯片的55脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的56脚连接电阻R155一端，电阻R155另一端连接电源+5V，MC9S12XEP100MAL芯片的59～64脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的65脚连接电容C99、电容C89一端，电容C99、电容C89另一端接地，MC9S12XEP100MAL芯片的66～77脚、79、81脚接地，MC9S12XEP100MAL芯片的80脚连接电阻R207一端，MC9S12XEP100MAL芯片的82脚连接电阻R206一端，MC9S12XEP100MAL芯片的83、84脚连接电容C8...

【专利技术属性】
技术研发人员：时宗胜，
申请(专利权)人：江苏中天科技软件技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32