晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术揭示了一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法。本发明专利技术提供的晶体管的版图结构，包括衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区。由此获得的晶体管中，衬底为第一掺杂类型，形成在所述衬底中的第二掺杂类型的源极区，位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区，且第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。本发明专利技术能够有效解决现有技术中发生闩锁效应的状况，有助于提高产品的质量。

The layout of transistors, transistors and their manufacturing methods

The invention discloses a layout structure of a transistor, a transistor and a manufacturing method. A layout structure of a transistor provided by the present invention includes a substrate located in the source region of the substrate, and the source region is surrounded by a doped region. In the transistor obtained, the substrate is the first doping type, forming the second doped type source region in the substrate, which is located in the doping area of the first doping type in the source pole, and the first doping type is different from the second doping type. The invention can effectively solve the situation of the latch - up effect in the existing technology and help to improve the quality of the product.

【技术实现步骤摘要】
晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件制造技术的飞速发展，半导体器件已经具有深亚微米结构，集成电路中包含巨大数量的半导体元件。这就要求在设计晶体管的版图时，在不影响晶体管性能的前提下，要尽量减小晶体管的占用尺寸，以提高半导体器件的集成度。而目前的诸多集成电路中晶体管所占尺寸依然较大。例如，图1示出了现有技术中在DCDC(直流变换)电路中输出端的晶体管的版图结构，包括有源区1，所述有源区1包括源极区2和漏极区3，在有源区上源极区2和漏极区3中间形成有栅极区4。考虑到在DCDC(直流变换)电路中，其输出端的晶体管由于具有比较大的功率，具体体现在版图设计上就是所占面积大，这样就很容易引发闩锁效应(latchup)。因此，如何预防闩锁效应，并尽可能的减小晶体管所占用的尺寸，成为了目前的一个挑战。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，解决现有技术中易出现闩锁效应的问题。本专利技术的另一个目的在于提供一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，优化晶体管所占用的尺寸。本专利技术的另一个目的在于提供一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，改善沟道中发生局部击穿的现象。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶体管的版图结构，包括：衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区，所述掺杂区适用的掺杂类型与所述源极区适用的掺杂类型不同，且与所述衬底适用的掺杂类型相同。可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述掺杂区的形状呈方形。可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述掺杂区的面积为所述源极区面积的1/4到1/3。可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述源极区的形状呈八边形。可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述源极区的形状呈圆形。可选的，对于所述的晶体管的版图结构，还包括有源区，所述源极区位于所述有源区中，所述有源区还包括漏极区；在所述有源区上方所述源极区和漏极区之间具有栅极区。可选的，对于所述的晶体管的版图结构，所述源极区上方具有源接触区，所述漏极区上方具有漏接触区，所述源接触区及漏接触区层叠设置。相应的，本专利技术提供一种晶体管，包括：第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底中的第二掺杂类型的源极区；位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区；所述第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。可选的，对于所述的晶体管，所述第一掺杂类型为P型掺杂，所述第二掺杂类型为N型掺杂。可选的，对于所述的晶体管，所述第一掺杂类型为N型掺杂，所述第二掺杂类型为P型掺杂。可选的，对于所述的晶体管，所述掺杂区的俯视形状呈方形。可选的，对于所述的晶体管，所述掺杂区的面积为所述源极区面积的1/4到1/3。可选的，对于所述的晶体管，所述源极区的俯视形状呈八边形。可选的，对于所述的晶体管，所述源极区的形状呈圆形。可选的，对于所述的晶体管，所述衬底还包括有源区，所述源极区位于所述有源区中，所述有源区还包括漏极区；在所述有源区上方所述源极区和漏极区之间具有栅极结构。可选的，对于所述的晶体管，所述源极区上方具有源接触区，所述漏极区上方具有漏接触区，所述源接触区及漏接触区层叠设置。可选的，对于所述的晶体管，所述源接触区及漏接触区的材质为钨。相应的，本专利技术还提供一种晶体管的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有第一掺杂类型；在所述衬底中形成源极区，所述源极区具有第二掺杂类型；在所述源极区中形成一掺杂区，所述掺杂区具有第一掺杂类型；所述第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。本专利技术提供的晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，包括衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区，所述掺杂区适用的掺杂类型与所述源极区适用的掺杂类型不同，且与所述衬底适用的掺杂类型相同。所述晶体管包括第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底中的第二掺杂类型的源极区；位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区；所述第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。由此通过所述掺杂区引入了背栅接触，即形成了PN结，能够有效解决现有技术中发生闩锁效应的状况，有助于提高产品的质量。进一步的，通过所述源接触区及漏接触区层叠设置，减小了晶体管所占空间。进一步的，使得源极区的形状呈八边形或是圆形，使得沟道中发生局部击穿的现象得以消除。附图说明图1为现有技术中在DCDC(直流变换)电路中输出端的晶体管的版图结构示意图；图2为本专利技术一实施例中的晶体管的版图结构示意图；图3为本专利技术一实施例中的晶体管的版图结构中源极区的示意图；图4为本专利技术另一实施例中的晶体管的版图结构示意图；图5为本专利技术另一实施例中的晶体管的版图结构中源极区的示意图；图6为本专利技术又一实施例中的晶体管的俯视结构示意图；图7为本专利技术又一实施例中的晶体管的剖视结构示意图；图8为本专利技术的晶体管的制造方法的流程图。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想是，提供一种晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法，在源极区中形成掺杂区，从而有效解决闩锁效应的问题。下面，请参考图2-图8，对本专利技术的晶体管的版图结构、晶体管及其制造方法进行详细说明。其中图2为本专利技术一实施例中的晶体管的版图结构示意图；图3为本专利技术一实施例中的晶体管的版图结构中源极区的示意图；图4为本专利技术另一实施例中的晶体管的版图结构示意图；图5为本专利技术另一实施例中的晶体管的版图结构中源极区的示意图；图6为本专利技术又一实施例中的晶体管的俯视结构示意图；图7为本专利技术又一实施例中的晶体管的剖视结构示意图；图8为本专利技术的晶体管的制造方法的流程图。如图2和图3所示，在本专利技术的一个实施例中，所述晶体管的版图结构包括：衬底10，位于所述10衬底中的源极区11，所述源极区11围绕一掺杂区14，所述掺杂区14适用的掺杂类型与所述源极区11适用的掺杂类型不同，且与所述衬底10适用的掺杂类型相同。在本实施例中，所述掺杂区14的形状呈方形。较佳的，所述掺杂区14的面积为所述源极区11面积的1/4到1/3。可以理解的是，所述掺杂区14还可以是其他形状，例如圆形等，可以依据实际工艺条件进行灵活的选择。由此，通过在源极区11中引入掺杂区14，即引入了分布式的背栅接触，形成了PN结，那么通过这一新引入的PN结的存在，避免了现有结构中出现的寄生PNP和NPN产生正反馈的情况发生，从而可以有效改善闩锁效应。所述衬底10还包括有源区，所述有源区包括所述源极区11和漏极区12，在所述有源区上方所述源极区11和漏极区12之间具有栅极区13，沟道则位于所述栅极区13下方的有源区中所述源极区11和所述漏极区12之间。在本实施例中，还包括位于所述源极区11上的源接触区(未图示)，以及位于所述漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管的版图结构，包括：衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区，所述掺杂区适用的掺杂类型与所述源极区适用的掺杂类型不同，且与所述衬底适用的掺杂类型相同。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的版图结构，包括：衬底，位于所述衬底中的源极区，所述源极区围绕一掺杂区，所述掺杂区适用的掺杂类型与所述源极区适用的掺杂类型不同，且与所述衬底适用的掺杂类型相同。2.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述掺杂区的形状呈方形。3.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述掺杂区的面积为所述源极区面积的1/4到1/3。4.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述源极区的形状呈八边形或圆形。5.如权利要求1所述的晶体管的版图结构，其特征在于，还包括有源区，所述源极区位于所述有源区中，所述有源区还包括漏极区；在所述有源区上方所述源极区和漏极区之间具有栅极区。6.如权利要求5所述的晶体管的版图结构，其特征在于，所述源极区上方具有源接触区，所述漏极区上方具有漏接触区，所述源接触区及漏接触区层叠设置。7.一种晶体管，包括：第一掺杂类型的衬底；位于所述衬底中的第二掺杂类型的源极区；位于所述源极区中的第一掺杂类型的掺杂区；所述第一掺杂类型与第二掺杂类型不同。8.如权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型掺杂，所述第二掺杂类...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈景龙，张楠，曲世军，陈春鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31