像素结构制造技术

一种像素结构包含开关元件、内存元件，以及第一驱动元件。开关元件配置于基板上。内存元件配置基板上。第一驱动元件与开关元件及内存元件电性连接，其中第一驱动元件与内存元件在基板的法线方向上重迭。

Pixel structure

A pixel structure consists of a switch element, a memory element, and a first drive element. The switch elements are configured on the substrate. The memory element is configured on the substrate. The first driving element is electrically connected with the switch element and the memory element, in which the first drive element and the memory element overlap in the normal direction of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本揭露是关于一种像素结构，特别是一种具有内存的像素结构。
技术介绍
近来，随着相关技术成熟，行动装置如智能型手机、智能型手环、智能型手表等等的发展潜力逐渐受到重视。然而，受限于行动装置的体积与重量需求，所能设置的电池容量有限。且受限于工艺限制，行动装置的开口率以及分辨率亦受到影响。因此，如何设计低功耗的显示屏幕及像素电路，以满足行动装置在极低的功耗下维持显示画面的输出的需求，同时可以达成高开口率以及分辨率，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域极需改进的目标。
技术实现思路
为克服前述问题，本揭露提供了一种像素结构，可提升开口率以及分辨率，同时可以降低功耗，提高了显示器的整体运作的质量。本揭露的一实施例为一种像素结构，包含开关元件、内存元件，以及第一驱动元件。开关元件配置于基板上。内存元件配置基板上。第一驱动元件与开关元件及内存元件电性连接，其中第一驱动元件与内存元件在基板的法线方向上重迭。附图说明阅读以下详细叙述并搭配对应的图式，可了解本揭露的多个态样。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。图1为本揭露的部分实施例的像素结构的电路图。图2为本揭露的部分实施例的像素结构的局部上视图。图3为本揭露的部分实施例的像素结构的局部上视图。图4为本揭露的部分实施例的像素结构的剖面图。图5为本揭露的部分实施例的像素结构的剖面图。其中，附图标记：10像素结构100基板101半导体层102、116栅极绝缘层104、108、114、124、124A-124D图案化金属层106、112、118、126介电层103、103A-103D、107A-107L、119A-119I、127接触洞108A、108B、108C金属内连接层110开关元件110A、130A、140A、1211A、1213A、1221A、1223A主动层110G、130G、140G、1211G、1213G、1221G、1223G栅极120内存元件121、122反向器129导电层130、140驱动元件134缓冲层1082、1241源极1081、1242漏极1211、1213、1221、1223晶体管1211C、1213C通道区1211D、1213D、1221D、1223D漏极区1211S、1213S、1221S、1223S源极区A-A’线Clc液晶电容DL数据线GL栅极线VDD、VSS、POL1、POL2信号线具体实施方式以下揭露提供众多不同的实施例或范例，用于实施本案提供的主要内容的不同特征。下文描述一特定范例的元件及配置以简化本揭露。当然，此范例仅为示意性，且并不拟定限制。举例而言，以下描述「第一特征形成在第二特征的上方或之上」，于实施例中可包括第一特征与第二特征直接接触，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征使得第一特征及第二特征无直接接触。此外，本揭露可在各范例中重复使用元件符号及/或字母。此重复的目的在于简化及厘清，且其自身并不规定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。此外，空间相对术语，诸如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」等等在本文中用于简化描述，以描述如附图中所图标的一个元件或特征结构与另一元件或特征结构的关系。除了描绘图示的方位外，空间相对术语也包含元件在使用中或操作下的不同方位。此设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他方位上)，而本案中使用的空间相对描述词可相应地进行解释。图1为本揭露的部分实施例的像素结构的电路图。像素结构10具有开关元件110、内存元件120、第一驱动元件130、第二驱动元件140、液晶电容Clc、数据线DL以与门极线GL。开关元件110与数据线DL、栅极线GL、第一驱动元件130、第二驱动元件140以及液晶电容Clc电性连接。第一驱动元件130及第二驱动元件140电性连接内存元件120。内存元件120包含彼此电性连接的第一反向器121及第二反向器122，其中第一反向器121包含互相连接的第一晶体管1211及第二晶体管1213，而第二反向器122包含互相连接的第三晶体管1221及第四晶体管1223。第一反向器121的第一端及第二反向器122的第一端电性连接至第一信号线VDD，而第一反向器121的第二端及第二反向器122的第二端电性连接至第二信号线VSS。举例而言，第一信号线VDD连接至第二晶体管1213的主动层以及第四晶体管1223的主动层。而第二信号线VSS连接至第一晶体管1211的主动层以及第三晶体管1221的主动层。第一驱动元件130的栅极及第二驱动元件140的栅极分别电性连接至第三信号线POL1及第四信号线POL2。内存元件120用以储存状态信号。在部分实施例中，像素结构10为可切换式像素电路，可用于采用像素储存电路(Memory-In-Pixel)的显示面板当中，并藉由内置的内存元件120以实现在不刷新影像时持续提供显示面板所显示的影像。像素结构10的驱动模式可区分为正常显示模式(NormalMode)以及静态模式(StillMode)。在正常显示模式时，像素结构10根据数据线DL上的数据电压产生一般显示画面；在静态模式时，像素结构10根据内存元件120内储存的数据电压以显示相应画面，藉此，当显示屏幕中的影像没有进行更新时，可藉由内存元件120储存的状态信号提供影像，达到降低功耗的效果。图2为本揭露的部分实施例的像素结构的局部上视图。图3为本揭露的部分实施例的像素结构的局部上视图。图4为对应图2及图3的线A-A’所截取的剖面图。为方便观察及说明，图2为晶体管形成前的各元件的上视示意图，图3中为晶体管、数据线及反向器的部分构件的上视示意图，图2及图3仅显示图4中的部分元件。请同时参考图1至图4，半导体层101形成于基板100上，半导体层101包含主动层1211A、主动层1213A、主动层1221A及主动层1223A，半导体层101可为多晶硅。各主动层至少包含通道区、源极区以及漏极区。举例来说，第一晶体管1211的主动层1211A具有通道区1211C、源极区1211S以及漏极区1211D。第二晶体管1213的主动层1213A具有通道区1213C、源极区1213S以及漏极区1213D。第三晶体管1221的主动层1221A具有通道区(未标示)、源极区1221S以及漏极区1221D。第四晶体管1223的主动层1223A具有通道区(未标示)、源极区1223S以及漏极区1223D。栅极绝缘层102形成于半导体层101上，栅极绝缘层102的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料或上述的组合。栅极绝缘层102具有多个接触洞103，接触洞103曝露部分半导体层101。举例来说，参照图4，接触洞103A至103D曝露第一主动层1211A以及第二主动层1213A。图案化金属层104形成于栅极绝缘层102上，图案化金属层104包括栅极1211G、栅极1213G、栅极1221G以与门极1223G。图案化金属层104的材料可为钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铜(Cu)、铜合金及上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包含：一开关元件，配置于一基板上；一内存元件，配置该基板上；以及一第一驱动元件，与该开关元件及该内存元件电性连接，其中该第一驱动元件与该内存元件在该基板的一法线方向上重迭。

【技术特征摘要】
2017.07.11 TW 1061232431.一种像素结构，其特征在于，包含：一开关元件，配置于一基板上；一内存元件，配置该基板上；以及一第一驱动元件，与该开关元件及该内存元件电性连接，其中该第一驱动元件与该内存元件在该基板的一法线方向上重迭。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该开关元件的一主动层以及该第一驱动元件的一主动层的材料包含氧化铟镓锌。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该内存元件包含：一第一反向器，包含互相连接的一第一晶体管及一第二晶体管；以及一第二反向器，包含互相连接的一第三晶体管及一第四晶体管，其中该第一反向器与该第二反向器电性连接。4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，更包含：一第一信号线，与该第一反向器的第一端及该第二反向器的第一端电性连接；一第二信号线，与该第一反向器的第二端及该第二反向器的第二端电性连接；一扫描线，与该开关元件电性连接；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲嘉，庄铭宏，黄国有，李国铭，陈信学，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71