改善液晶面板显示状态的方法、液晶面板及液晶显示器技术

本发明专利技术公开了一种改善液晶面板显示状态的方法，所述方法包括：获取所述液晶面板的阵列基板一栅极信号线上远端子像素单元、中间子像素单元、近端子像素单元的存储电容值；调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元、近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同；根据上述已调整的远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值，对应调整其它栅极信号线上远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值。通过上述方式，改善了液晶面板框亮度不均或模组两侧发白现象，从而提升液晶面板的显示品质。

Methods to improve the display state of liquid crystal panels, liquid crystal panel and liquid crystal display

The invention discloses a method for improving the display state of the liquid crystal panel, the method includes: a storage capacitor array substrate a gate signal line to obtain the liquid crystal panel far terminal pixel unit, intermediate sub pixel unit, near terminal pixel value; adjust the terminal storage capacitor element as far and near the terminal unit pixel unit the effects of pressure value, pressure drop and capacitive coupling pixel unit intermediate sub pixel unit, near far terminal terminal unit pixel capacitance coupling effect produced by the same; according to the far terminal pixel unit has been adjusted and the storage capacitor proximal sub-pixel unit value of the storage capacitor corresponding adjustment of other gate signal line pixel and far terminal near terminal pixel value. Through the above methods, the brightness of the LCD panel is improved and the white phenomenon on both sides of the module is improved so as to improve the display quality of the liquid crystal panel.

【技术实现步骤摘要】
改善液晶面板显示状态的方法、液晶面板及液晶显示器
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种改善液晶面板显示状态的方法、液晶面板及液晶显示器。
技术介绍
信息社会中随着信心量的增加和信息交换的频繁，人们会更多、更广泛、更经常地面对各种显示装置。也就是说，显示器以及显示技术已经成为了人们生活中不可缺少的一部分。在20世纪，图像显示器中，阴极射线管(CRT)占据了绝对统治的地位，随着显示技术的发展，CRT显示器因为体积过大以及能耗电量消耗巨大等因素，无法满足用户的需求。而液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)技术的发展正好切合目前信息产品的潮流。LCD器件是众多平面显示器件中发展最成熟、应用最广泛、并且还在迅速发展着的一种显示器件。自1968年第一块液晶显示器诞生后，由于不断地有新材料、新工艺的出现，新的液晶显示技术也在不断涌现，但目前为止任只有TN、STN、TFD和TFT三种显示技术在不同档次的液晶显示中占据着统治地位、TN、STN、TFD及TFT型液晶显示器因其驱动原理不同，在视角、彩色、对比及动画显示品质上有高低层次之差别，使其在产品的应用范围分类有明显区别。以目前液晶显示技术应用范围和层次而言，主动矩阵驱动技术是以薄膜式晶体管型(TFT)为主流，多应用于移动终端以及动画、影响处理产品。一般来说，TFT(ThinFilmTransistor)LCD液晶面板在制造及驱动过程中，若存在框胶污染、液晶进水汽或模组驱动设计存在缺陷等问题，均会导致框亮度不均(Mura)或模组两侧发白的现象产生。这种现象主要是由于LCD液晶面板中电容耦合效应现(Feed-through)引起的，如图1所示，TFT-LCD液晶面板中存在寄生电容Cgs，故当TFT关闭时，像素上电荷守恒如图2所示，电荷守恒定律：当Vg＝Vgh时,Q＝(Vgh-Vs)*Cgs+(Vcom-Vs)*(Cst+Clc)(1)当Vg＝Vgl时,Q＝(Vgh-Vs〃)*Cgs+(Vcom-Vs〃)*(Cst+Clc)(2)△V＝Vs-Vs〃，得Feed-through电压。(其中，Vg——栅极信号线电压，Vgh和Vgl——子像素栅极信号输入线电压，Vs和Vs〃——漏极电压，Vcom——共模电压，Cst——存储电容，Clc——LC滤波输出电压；)如图3所示，Feed-through现象导致液晶面板两侧发白是由于Gateline(栅极信号线)信号在传输过程中受到面板RCLoading(电容和电阻负载)影响，会产生传输延迟失真现象，从而导致A/B/C三点Feed-through(电容耦合效应)电压△V_A/△V_B/△V_C大小不同，表现为△V_A>△V_B>△V_C，即A/B/C三点最佳VCOM(共模电压)值表现为BestVCOM_A＜BestVCOM_B＜BestVCOM_C，且由于面板为交错式驱动，故面板整体最佳VCOM设定值接近于BestVCOM_C，最终导致A点比B点亮，B点比C点亮。假设A点亮度为9nits，则B点亮度为7nits，C点亮度为6nits；如图1所示，此时以Gateline1和Gateline2两行亮度为例，则A点亮度约为(9+6＝15nits)，B点亮度约为(7+7＝14nits)，C点亮度约为(6+9＝15nits)(nits——发光强度，单位：cd/m2)，即面板两侧边缘会出现发白现象，具体是由于同一条栅极信号线由于RC电路的影响，从近端到远端信号失真会越来越严重，即子像素单元亮度从近端到远端也会越来越暗，由于面板驱动为栅极左右交替驱动，故表现为两侧亮度较亮的结果(两侧发白)。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是，提供一种改善液晶面板显示状态的方法、液晶面板及液晶显示器，以解决液晶面板两侧容易产生发白的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种改善液晶面板显示状态的方法，所述方法包括：获取所述液晶面板的阵列基板一栅极信号线上远端子像素单元、中间子像素单元、近端子像素单元的存储电容值；调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元、近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同；根据上述已调整的远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值，对应调整其它栅极信号线上远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值。其中，所述调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同的具体步骤包括：所述远端子像素单元的储存电容大于所述中间子像素单元的储存电容，所述中间子像素单元的储存电容大于所述近端子像素单元的储存电容，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同。其中，所述调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同的具体步骤包括：所述远端子像素单元的存储电容的介电常数小于所述中间子像素单元的介电常数，所述中间子像素单元的介电常数小于所述近端子像素单元的介电常数，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同。其中，所述远端子像素单元、中间子像素单元、近端子像素单元沿同一栅极信号线划分为远端子像素单元区域、中间子像素单元区域和近端子像素单元区域。其中，所述获取所述液晶面板的阵列基板一栅极信号线上远端子像素单元、中间子像素单元、近端子像素单元的存储电容值的步骤具体包括：获取所述液晶面板的阵列基板一栅极信号线上远端子像素单元区域、中间子像素单元区域、近端子像素单元区域的平均存储电容值。进一步的，改善液晶面板显示状态的方法还包括减小液晶面板源线两侧输出缓冲级中OP放大器数目，使液晶面板两侧的亮度与中间的亮度一致。可选的，改善液晶面板显示状态的方法还包括增加源线中间部分输出缓冲级中OP放大器的面积，使液晶面板两侧的亮度与中间的亮度一致。可选的，改善液晶面板显示状态的方法还包括增加黑色矩阵薄膜覆盖宽度，使液晶面板两侧的亮度与中间的亮度一致。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种液晶面板，包括：远端子像素单元，所述远端子像素单元上设有存储电容；中间子像素单元，所述中间子像素单元上设有存储电容；近端子像素单元，所述近端子像素单元上设有存储电容；所述远端子像素单元、所述近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与所述中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同。为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种液晶显示器，包括液晶面板，所述液晶面板使用上述任一所述改善液晶面板显示状态的方法所制得。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术通过改变子像素单元的存储电容，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同，有效改善了液晶面板框亮度不均或模组两侧发白现象，为用户提供更优质的体验。附图说明图1是现有技术中液晶面板中寄生电容Cgs示意图；图2是现有技术中液晶面板中Feed-through电压示意图；图3栅极信号线上不同点Feed-through现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善液晶面板显示状态的方法，其特征在于，所述方法包括：获取所述液晶面板的阵列基板一栅极信号线上远端子像素单元、中间子像素单元、近端子像素单元的存储电容值；调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元、近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同；根据上述已调整的远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值，对应调整其它栅极信号线上远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值。

【技术特征摘要】
1.一种改善液晶面板显示状态的方法，其特征在于，所述方法包括：获取所述液晶面板的阵列基板一栅极信号线上远端子像素单元、中间子像素单元、近端子像素单元的存储电容值；调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元、近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同；根据上述已调整的远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值，对应调整其它栅极信号线上远端子像素单元和近端子像素单元的存储电容值。2.根据权利要求1所述的一种改善液晶面板显示状态的方法，其特征在于，所述调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同的具体步骤包括：所述远端子像素单元的储存电容大于所述中间子像素单元的储存电容，所述中间子像素单元的储存电容大于所述近端子像素单元的储存电容，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同。3.根据权利要求1所述的一种改善液晶面板显示状态的方法，其特征在于，所述调整远端子像素单元和近端子像素单元的储存电容值，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同的具体步骤包括：所述远端子像素单元的存储电容的介电常数小于所述中间子像素单元的介电常数，所述中间子像素单元的介电常数小于所述近端子像素单元的介电常数，使远端子像素单元和近端子像素单元电容耦合效应产生的压降与中间子像素单元电容耦合效应产生的压降相同。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢振周，左清成，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42