全波长晶圆刻蚀终点检测装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
全波长晶圆刻蚀终点检测装置
本技术涉及集成电路芯片制造领域，尤其涉及集成电路芯片制造领域中全波长晶圆刻蚀终点检测装置。
技术介绍
随着集成电路中器件集成密度及复杂度的不断增加，对工艺过程的控制显得尤为重要。在晶圆刻蚀过程中，如何对晶圆刻蚀终点进行实时检测判断和精确控制，有效的提高产品合格效率，一直为人们所关注。目前，集成电路设备产业主要集中在美国、日本等少数国家，行业垄断进一步加剧。我国半导体芯片生产设备严重依赖进口，研发我国自主半导体设备及核心配件显得尤为迫切。光学发射光谱（OES）技术是目前使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团发射波长的光强变化，实现刻蚀终点检测。本技术是基于光谱发射探测技术，旨在开发新一代晶圆刻蚀终点检测设备，实现在全波长（200-800nm）范围内进行实时晶圆刻蚀终点检测。
技术实现思路
针对国内市场的不足，本技术的目是开发新一代晶圆刻蚀终点检测设备，可在全波长（200-800nm）范围内进行实时晶圆刻蚀终点检测，填补国内在全波长晶圆刻蚀终点检测设备方面的空缺，打破国际垄断增强国内设备竞争力。为实现上述目的，本技术提供的技术方案是：全波长晶圆刻蚀终点检测装置，它由光纤、数据探测模块和电源模块组成。光纤连接刻蚀机台与数据探测模块，实现光信号采集；数据探测模块与电源模块相连，实现数据采集和光电信息转换；电源模块与数据探测模块相连，为数据采集模块供给电源，并将经过光电信息转换后的讯息传递给机台。所述的数据采集模块由全光谱仪、CCD探测器和控制电路组成。光纤与全光谱仪相连，全光谱仪与CCD探测器相...
【技术保护点】
全波长晶圆刻蚀终点检测装置，其特征是：它由光纤、数据探测模块和电源模块组成；光纤连接刻蚀机台与数据探测模块，实现光信号采集；数据探测模块与电源模块相连，实现数据采集和光电信息转换；电源模块与数据探测模块相连，为数据采集模块供给电源，并将经过光电信息转换后的讯息传递给机台；所述的数据采集模块由全光谱仪、CCD探测器和控制电路组成；光纤与全光谱仪相连，全光谱仪与CCD探测器相连，CCD探测器与控制电路相连；所述的全光谱仪内部包含一个平谱面全息凹面光栅。
【技术特征摘要】
1.全波长晶圆刻蚀终点检测装置，其特征是：它由光纤、数据探测模块和电源模块组成；光纤连接刻蚀机台与数据探测模块，实现光信号采集；数据探测模块与电源模块相连，实现数据采集和光电信息转换；电源模块与数据探测模块相连，为数据采集模块供给电源，并将经过光电信息转换后的讯息传递给机台；所述的数据采集模块由全光谱仪、CCD探测器和控制电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：张德培，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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