铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置。此铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构：

A device for platinum malocclusion, organic light emitting diode and visible or near infrared light

The invention provides a platinum malocclusion, an organic light emitting diode and a device that can emit visible light or near infrared light. The platinum malocclusion has a structure represented by the following general formula (I):

【技术实现步骤摘要】
铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置
本专利技术涉及一种金属错合物，尤其涉及一种铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置。
技术介绍
有机发光二极管元件在显示器工业上已经得到许多人的注意，特别是在平面显示器工业上，因为有机发光二极管元件能在低驱动电压下操作，又能产生高发光效率。为了发展发光范围涵盖可见光区至近红外光区的各项新型发光元件，开发高稳定及高发光效率的各色光发光材料为现今研究OLED的主要目标。目前已知四配位的铂错合物具有适合的发光性质，但其刚性、稳定性仍时有不足。
技术实现思路
本专利技术提供一种结构稳定且发光效率优异的铂错合物。本专利技术并提供一种包括此铂错合物的有机发光二极管以及可发出可见光或近红外光的装置。本专利技术的铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构：其中A1至A3各自独立地为五元环或六元环；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；各R2独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；p为1～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3-C8芳香环；以及具有A1以及碳烯官能基的第一螯合配基的形式电荷数为负一价，且具有A2及A3的第二螯合配基的形式电荷数为负一价。在本专利技术的一实施例中，上述的铂错合物具有由以下通式(I-1)所表示的结构：其中第一螯合配基与第二螯合配基之间具有氢键。在本专利技术的一实施例中，上述的铂错合物具有由以下通式(IA)所表示的结构：其中X1为氧、硫或氮；X2至X6各自独立地为碳或氮；RF为拉电子基；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；各R2独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；p为1～2的整数；各R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基或-CmF2m+1，m为0～3的整数；q为0～3的整数；各R4独立地为氢、氟、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C6-C12芳基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；r为0～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3-C8芳香环；当q大于或等于2，两个或两个以上的R3可彼此连接形成C3-C8芳香环；以及当r等于2，两个R4可彼此连接形成C3-C8芳香环。在本专利技术的一实施例中，上述的铂错合物具有由以下通式(IB)所表示的结构：其中X3至X9各自独立地为碳或氮；RF为拉电子基；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；各R2独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；p为1～2的整数；各R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基或-CmF2m+1，m为0～3的整数；q为0～3的整数；各R5独立地为氢、氟、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；s为0～3的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3-C8芳香环；当q大于或等于2，两个或两个以上的R3可彼此连接形成C3-C8芳香环；以及当s大于或等于2，两个或两个以上的R5可彼此连接形成C3-C8芳香环。本专利技术铂错合物的两个螯合配基之间存在氢键，可增强螯合配基与中心铂金属的键结强度，使得本专利技术的铂错合物的结构更加稳固。本专利技术的铂错合物的两个螯合配基的总电荷与中心铂金属离子的正电荷相同，可以形成中性的铂错合物。中性错合物一般而言具有较好的挥发性，故可以使用蒸镀法制作多层的OLED发光元件，其发光效率较佳。此外，本专利技术铂错合物中一共有两个N-Pt配位键结与两个C-Pt配位键结。由于C-Pt的键能大于N-Pt的键能，故增加C-Pt键结的相对数目可增加螯合配基与中心金属原子的整体键结强度。此时可推高金属中心dd激发态(metal-centeredddexcitedstates)的能阶，减少dd激发态对最低激发态(lowestenergyexcitedstate)的影响，并减少无辐射淬熄(non-radiativequenching)，进而能提高错合物的发光效率。此外，本专利技术的铂错合物中，A1与A3的环状结构包含许多高阴电性的氮原子，它们可增强这些基团与电中性A2和碳烯环状结构的相互堆叠作用，并减少分子间Pt-Pt的距离，诱发在固态样品的金属-金属至配基电荷转移跃迁(metal-metal-to-ligandchargetransfertransition；MMLCT)，使其具有更短的发光半生期与较佳的发光效率。为使本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1所示为本专利技术实施例1至5所合成的化合物(IA-1)、(IA-2)、(IA-4)、(IA-5)及(IA-6)各自的吸收光谱与发光光谱。图2所示为本专利技术实施例6至9所合成的化合物(IB-1)、(IB-2)、(IB-4)及(IB-5)各自的吸收光谱与发光光谱。图3所示为本专利技术实施例10至13所合成的化合物(IB-8)、(IB-9)、(IB-10)及(IB-11)各自的吸收光谱与发光光谱。具体实施方式以下将通过实施方式对本专利技术作进一步说明，但所述实施方式仅为示例说明之用，而非用以限制本专利技术的范围。本专利技术的铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构：其中A1至A3各自独立地为五元环或六元环；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；各R2独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；p为1～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3-C8芳香环；以及具有A1以及碳烯部分(或碳烯官能基)的第一螯合配基的形式电荷数(或价数)为负一价，且具有A2及A3的第二螯合配基的形式电荷数(或价数)为负一价。由于本专利技术的铂错合物的两个螯合配基的总电荷与中心铂金属离子的正电荷相同，可以形成中性的铂错合物。中性错合物一般而言具有较好的挥发性，故可以使用蒸镀法制作多层的OLED发光元件，其发光效率较佳。在一实施例中，本专利技术的铂错合物具有由以下通式(I-1)所表示的结构：其中第一螯合配基与第二螯合配基之间具有氢键。本专利技术的铂错合物的两个螯合配基之间存在氢键，可增强螯合配基与中心铂金属的键结强度，使得本专利技术的铂错合物的结构更加稳固。在一实施例中，当A1为六元环，A2为五元环，A3为五元环时，本专利技术的铂错合物具有由以下通式(IA)所表示的结构：其中X1为碳、氧、硫或氮；X2至X6各自独立地为碳或氮；RF为拉电子基；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；各R2独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；p为1～2的整数；各R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基或-CmF2m+1，m为0～3的整数；q为0～3的整数；各R4独立地为氢、氟、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C6-C12芳基或经取代或未经取代本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(I)所表示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(I)所表示的结构：其中，A1至A3各自独立地为五元环或六元环；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；各R2独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；p为1～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3-C8芳香环；以及具有A1以及碳烯部分的第一螯合配基的形式电荷数为负一价，且具有A2及A3的第二螯合配基的形式电荷数为负一价。2.根据权利要求1所述的铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(I-1)所表示的结构：其中，所述第一螯合配基与所述第二螯合配基之间具有氢键。3.根据权利要求1所述的铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(IA)所表示的结构：其中，X1为碳、氧、硫或氮；X2至X6各自独立地为碳或氮；RF为拉电子基；R1为经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C6-C12芳基；各R2独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；p为1～2的整数；各R3独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基或-CmF2m+1，m为0～3的整数；q为0～3的整数；各R4独立地为氢、氟、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C6-C12芳基或经取代或未经取代的C1-C6烷氧基；r为0～2的整数；当p等于2，两个R2可彼此连接形成C3-C8芳香环；当q大于或等于2，两个或两个以上的R3可彼此连接形成C3-C8芳香环；以及当r等于2，两个R4可彼此连接形成C3-...

【专利技术属性】
技术研发人员：季昀，崔培培，
申请(专利权)人：季昀，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71