像素结构及主动开关阵列基板制造技术

本发明专利技术实施例公开一种像素结构及主动开关阵列基板，该像素结构包括：第一扫描线、与第一扫描线相邻的第二扫描线、第一数据线、与第一数据线相邻的第二数据线以及像素电极；第一扫描线及第二扫描线与第一数据线及第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域；像素电极位于像素单元区域内且电连接第一扫描线和第一数据线，像素电极上设有从第一扫描线向第二扫描线延伸的至少一条狭隙，狭隙的长度方向相对于第一扫描线的长度方向倾斜。本发明专利技术实施例通过在像素电极上倾斜开设至少一条狭隙，能够为液晶分子的排布预置一定的倾斜角度，从而提高具有该像素结构的显示设备的可视角度。

Pixel structure and active switch array substrate

The active switch array substrate and the embodiment of the invention discloses a pixel structure, the pixel structure includes a first scan line, and the first scan line second adjacent scan lines, data lines, the first and the first data line second adjacent data lines and pixel electrodes; a first scan line and the two scanning lines and the first data line and the two data lines cross set common form a pixel region; a pixel electrode in the pixel unit area and electrically connected with the first scanning line and the first data line, the pixel electrode is provided with at least one narrow gap extending from the first scan line to second scan lines, the length of narrow gap relative to the direction of the first scanning line length. The embodiment of the invention inclining at least one narrow gap on the pixel electrode can preset a certain tilt angle for the arrangement of the liquid crystal molecules, thereby improving the viewing angle of the display device with the pixel structure.

【技术实现步骤摘要】
像素结构及主动开关阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素结构及主动开关阵列基板。
技术介绍
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，因此，已被广泛的应用在中、小型可携式电视、行动电话、摄录放影机、笔记型电脑、桌上型显示器以及投影电视等消费性电子或电脑产品，并且更逐渐取代阴极射线管(CathodeRayTube，CRT)而成为显示器的主流。然而，液晶显示器仍有视角范围狭窄与价格偏高等问题，因此如何增加其视角范围，是目前急需改善的课题之一。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种像素结构以及一种主动开关阵列基板，以实现增大可视角度的技术效果。本专利技术实施例提供的一种像素结构，包括：第一扫描线；第二扫描线，与所述第一扫描线相邻；第一数据线；第二数据线，与所述第一数据线相邻，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域；以及像素电极，所述像素电极位于所述像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条狭隙，且所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜。在本专利技术的一个实施例中，所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜的夹角取值范围为75°～85°。在本专利技术的一个实施例中，所述像素结构还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。在本专利技术的一个实施例中，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。在本专利技术的一个实施例中，所述像素电极采用透明导电材料制成，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。另外，本专利技术实施例提供的一种主动开关阵列基板，包括：透明基板；以及第一扫描线，设置在所述透明基板上；第三扫描线，设置在所述透明基板上；第二扫描线，设置在所述透明基板上且所述第二扫描线位于所述第一扫描线和所述第三扫描线之间；第一数据线，设置在所述透明基板上；第二数据线，设置在所述透明基板上，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个第一像素单元区域，所述第二扫描线及所述第三扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成与所述第一像素单元区域相邻的一个第二像素单元区域；第一像素电极，设置在所述透明基板上且所述第一像素电极位于所述第一像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述第一像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条第一狭隙；第二像素电极，设置在所述透明基板上且所述第二像素电极位于所述第二像素单元区域内且电连接所述第二扫描线和所述第一数据线，所述第二像素电极上设有从所述第二扫描线向所述第三扫描线延伸的至少一条第二狭隙；所述第一狭隙邻近所述第二扫描线的一端相对于所述第一狭隙邻近所述第一扫描线的一端更靠近所述第一数据线；所述第二狭隙邻近所述第二扫描线的一端相对于所述第二狭隙邻近所述第三扫描线的一端更靠近所述第一数据线。在本专利技术的一个实施例中，所述第一狭隙的长度方向相对于所述第二扫描线的长度方向的倾斜夹角的取值范围为75°～85°。在本专利技术的一个实施例中，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，与所述第一像素电极及所述第二像素电极同层设置在所述透明基板上。在本专利技术的另一个实施例中，所述主动开关阵列基板还包括：公共电极，设置在所述第一像素电极及所述第二像素电极和所述透明基板之间。在本专利技术的一个实施例中，所述第一像素电极和第二像素电极均采用透明导电材料制成，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。上述技术方案具有如下优点或有益效果：在由相邻的两条扫描线和相邻的两条数据线交叉设置共同围成的像素单元区域中设置像素电极，且在像素电极上倾斜开设有至少一条狭隙，其能够为液晶分子的排布预置一定的倾斜角度，从而可以提高具有该像素结构的显示设备的可视角度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一实施例中的像素结构的布局示意图；图2为本专利技术另一实施例中的主动开关阵列基板的结构示意图；图3为本专利技术另一实施例中的主动开关阵列基板的另一示意图；图4为本专利技术再一实施例中的主动开关阵列基板的结构示意图；图5为本专利技术再一实施例中的主动开关阵列基板的另一示意图；图6为本专利技术又一实施例中的显示面板的结构示意图；图7为本专利技术又一实施例中的彩膜基板的结构示意图；图8为本专利技术其它实施例中的彩膜基板的局部示意图；图9为本专利技术一实施例中的液晶显示器的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术一实施例中提供的一种像素结构100，包括：相邻设置的扫描线111和扫描线112、相邻设置的数据线121和数据线122、以及像素电极130。扫描线111及112与数据线121及数据线122交叉设置共同围成一个像素单元区域，像素电极130位于所述像素单元区域内。此外，像素电极130上设有从扫描线111向扫描线112延伸的至少一条狭隙131，狭隙131的长度方向相对于扫描线111的长度方向(例如图1的水平方向)倾斜。本实施例中，扫描线111和扫描线112大致平行设置，而数据线121和数据线122也是大致平行设置，因此扫描线111、扫描线112、数据线121和数据线122共同围成了一个大致呈四边形的像素单元区域，而像素电极130位于所述像素单元区域内并电连接扫描线111和数据线121。再者，在像素电极130上设有至少一条例如两条狭隙131，如果为多条狭隙131则各条狭隙131例如大致互相平行。每一条狭隙131为从扫描线111向扫描线112延伸并贯穿像素电极130，或换而言之狭缝131为镂空结构且两端封闭，当然也可以是一端封闭而另一端开口的镂空结构；像素电极130典型地为透明电极例如ITO(IndiumTinOxide，铟锡氧化物)电极，狭隙131的长度方向相对于扫描线111的长度方向是倾斜，具体来说，狭隙131和扫描线111的夹角α取值范围为75°～85°。像素电极130采用透明导电材料制成，例如ITO、IZO(IndiumZincOxide，铟锌氧化物)、ITZO(IndiumTinZincOxide，铟锡锌氧化物)中的一种或者多种。承上述，像素结构100还包括薄膜晶体管140和薄膜晶体管150。薄膜晶体管140的源极141连接数据线121，薄膜晶体管140的栅极142连接扫描线11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：第一扫描线；第二扫描线，与所述第一扫描线相邻；第一数据线；第二数据线，与所述第一数据线相邻，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域；以及像素电极，所述像素电极位于所述像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条狭隙，且所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：第一扫描线；第二扫描线，与所述第一扫描线相邻；第一数据线；第二数据线，与所述第一数据线相邻，所述第一扫描线及所述第二扫描线与所述第一数据线及所述第二数据线交叉设置共同围成一个像素单元区域；以及像素电极，所述像素电极位于所述像素单元区域内且电连接所述第一扫描线和所述第一数据线，所述像素电极上设有从所述第一扫描线向所述第二扫描线延伸的至少一条狭隙，且所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭隙的长度方向相对于所述第一扫描线的长度方向倾斜的夹角取值范围为75°～85°。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述第二薄膜晶体管的源极，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述像素电极。4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极采用透明导电材料制成，所述透明导电材料包括ITO、IZO和ITZO中的一种或多种。6.一种主动开关阵列基板，其特征在于，包括：透明基板；以及第一扫描线，设置在所述透明基板上；第三扫描线，设置在所述透明基板上；第二扫描线，设置在所述透明基板上且所述第二扫描线位于所述第一扫描线和所述第三扫描线之间；第一数据线，设置在所述透明基板上；第二数据线，设置在所述透明基板上，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何怀亮，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44