一种用于扩散制结的分类返工工艺制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池硅片生产领域。一种用于扩散制结的分类返工工艺，对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，测量该返洗片的方阻值，如果该方阻值为85‑95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理，如果方阻值大于95Ω则进行进舟、升温、恒温、变温沉积、恒温推进、降温、出舟，进行二次扩散处理，然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理。本发明专利技术根据方阻值分类进行二次扩散，并采用适合返洗片的二次扩散工艺，使返洗片合格率提升至96%左右，同时提将产线的整体合格率提升至98%左右。

A classified rework process for diffusion bonding

The invention relates to the production field of silicon wafer of solar cell. The classification of rework process for a diffusion system node, the node in the diffusion system, removing phosphorosilicate glass, antireflection film three in the process of generating the unqualified solar cell silicon film forming back backwash resistance measurement, the return of these values, if the resistance value of 85 is 95 ohms directly to the phosphorus silicon glass, antireflection film and subsequent processing, if the square resistance greater than 95 into the boat, heating, constant temperature, temperature, temperature, cooling, promote the deposition of boats is two times, diffusion treatment, then to phosphorus silicon glass, anti reflective film and subsequent process. The invention of the two party according to the classification of diffusion resistance, and by two for developing the back diffusion process, the film return pass rate increased to about 96%, and the production line overall pass rate increased to around 98%.

【技术实现步骤摘要】
一种用于扩散制结的分类返工工艺
本专利技术涉及太阳能电池硅片生产领域。
技术介绍
多晶硅太阳能电池要经过清洗制绒(C-TEX)、扩散制结(DIFFUSION)、去磷硅玻璃(C-SIDE)、制减反射膜(PECVD)、丝网印刷(PRINT)五道工艺处理，才能成为成品电池。每个工艺段在生产过程中都会有不合格片产生，如扩散高方阻、C-SIDE流片、PECVD镀膜色差等。这些不合格片会导致产线出现效率、EL、以及外观异常。通过对这些不合格片在湿制程进行当班返洗，可以减少划伤、色差、脏污等外观不良，但是返洗会导致硅片的表面浓度和PN结发生变化，因此必须进行二次扩散进行返工。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片进行二次扩散处理。本专利技术所采用的技术方案是：一种用于扩散制结的分类返工工艺，对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，测量该返洗片的方阻值，如果该方阻值为85-95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理，如果方阻值大于95Ω则进行如下的步骤进行二次扩散处理，然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理步骤一、进舟，保持氮气流量为7.5L/min，进舟温度设定为750℃，进舟速度为45cm/min，将返洗片进行进舟处理；步骤二、升温，保持氮气流量为7.5L/min，如果方阻值在95-130Ω之间，则按照6℃/min的速率升高到760℃保温，如果方阻值在大于等于130Ω，则按照6℃/min的速率升高到770℃保温；步骤三、恒温，保持温度不变，保持氮气流量不变，保温600s；步骤四、变温沉积，按照升温速率6℃/min进行生温，同时通入氮气1400ml/min，通入氧气500ml/min，在生温过程进行沉积，对于方阻值在95-130Ω之间的，生温到805℃，对于方阻值大于等于130Ω的，生温到815℃；步骤五、恒温推进，保持温度不变，通入氮气6L/min，氧气2900mL/min，对于方阻值在95-130Ω之间的，持续时间时间660s，对于方阻值大于等于130Ω的，持续时间时间960s；步骤六、降温，按照降温速率4℃/min进行降温，同时通入氮气25L/min，对于方阻值在95-130Ω之间的，降温到780℃，对于方阻值大于等于130Ω的，降温到790℃；步骤七、出舟，保持氮气流量为20L/min，出舟速度40cm/min，将返洗片进行出舟处理，对于方阻值在95-130Ω之间的，设定出舟温度为770℃，对于方阻值大于等于130Ω的，设定出舟温度为780℃。对于方阻值小于等于85Ω的，不能进行直接二次扩散处理，需要重新进行制绒处理，这些不是本专利的研究范畴。本专利技术的有益效果是：本专利技术通过对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，根据方阻值分类进行二次扩散，并采用适合返洗片的二次扩散工艺，使返洗片合格率提升至96%左右，同时提将产线的整体合格率提升至98%左右。具体实施方式实施例1一种用于扩散制结的分类返工工艺，对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，测量该返洗片的方阻值，如果该方阻值为85-95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理，如果方阻值在95-130Ω之间的则进行如下的步骤进行二次扩散处理，然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理进舟，温度设定为750℃，氮气流量为7.5L/min，进舟速度45cm/min；升温，将温度设定为760℃，氮气流量为7.5L/min，升温速率6℃/min；恒温，维持760℃温度恒定，通入氮气流量为7.5L/min，稳定时间600s；变温沉积，将温度设定为805℃，升温速率6℃/min，在温度从760℃上升至805℃的升温阶段，进行沉积。通入携磷源氮气1400ml/min，通入氧气500ml/min，通入氮气5.6L/min；恒温推进，在温度805℃条件下，通入氮气6L/min，氧气2900mL/min，时间660s；降温，将温度设定为785℃，降温速率4℃/min，通入氮气25L/min；退舟，温度设定为760℃，氮气流量为20L/min，出舟速度40cm/min。可以看出，清洗后的方阻普遍大于95Ω，进行二次扩散后，方阻值变化了10Ω左右，有效地增加了硅片表面浓度，降低了方阻值。实施例2一种用于扩散制结的分类返工工艺，对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，测量该返洗片的方阻值，如果该方阻值为85-95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理，如果方阻值大于等于130Ω的则进行如下的步骤进行二次扩散处理，然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理进舟，温度设定为750℃，氮气流量为7.5L/min，进舟速度45cm/min；升温，将温度设定为770℃，氮气流量为7.5L/min，升温速率6℃/min；恒温，维持770℃温度恒定，通入氮气流量为7.5L/min，稳定时间600s。变温沉积，将温度设定为815℃，升温速率6℃/min，在温度从770℃上升至815℃的升温阶段，进行沉积，通入携磷源氮气1400ml/min，通入氧气500ml/min，通入氮气5.6L/min；恒温推进，在温度815℃条件下，通入氮气6L/min，氧气2900mL/min，时间960s；降温，将温度设定为795℃，降温速率4℃/min，通入氮气25L/min，时间420s；退舟，温度设定为770℃，氮气流量为20L/min，出舟速度40cm/min，时间540s。可以看出，清洗后方阻普遍大于130Ω，进行二次扩散后，方阻值变化了30-50Ω左右，有效地增加了硅片表面浓度，修复了硅片的PN结结构。通过本专利技术，可以使硅片表面的磷源浓度和PN结得到优化，使当班返工片的效率整体与生产片相差0.05%以内。当段返工片的合格率提升至96%左右，同时提将产线的整体合格率提升至98%左右。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于扩散制结的分类返工工艺，其特征在于：对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，测量该返洗片的方阻值，如果该方阻值为85‑95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理，如果方阻值大于95Ω则进行如下的步骤进行二次扩散处理，然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理步骤一、进舟，保持氮气流量为7.5L/min，进舟温度设定为750℃，进舟速度为45cm/min，将返洗片进行进舟处理；步骤二、升温，保持氮气流量为7.5L/min，如果方阻值在95‑130Ω之间，则按照6℃/min的速率升高到760℃保温，如果方阻值在大于等于130Ω，则按照6℃/min的速率升高到770℃保温；步骤三、恒温，保持温度不变，保持氮气流量不变，保温600s；步骤四、变温沉积，按照升温速率6℃/min进行生温，同时通入氮气1400ml/min，通入氧气500 ml/min，在生温过程进行沉积，对于方阻值在95‑130Ω之间的，生温到805℃，对于方阻值大于等于130Ω的，生温到815℃；步骤五、恒温推进，保持温度不变，通入氮气6L/min，氧气2900mL/min，对于方阻值在95‑130Ω之间的，持续时间时间660s，对于方阻值大于等于130Ω的，持续时间时间960s；步骤六、降温，按照降温速率4℃/min进行降温，同时通入氮气25 L/min，对于方阻值在95‑130Ω之间的，降温到780℃，对于方阻值大于等于130Ω的，降温到790℃；步骤七、出舟，保持氮气流量为20L/min，出舟速度40cm/min，将返洗片进行出舟处理，对于方阻值在95‑130Ω之间的，设定出舟温度为770℃，对于方阻值大于等于130Ω的，设定出舟温度为780℃。...

【技术特征摘要】
1.一种用于扩散制结的分类返工工艺，其特征在于：对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，测量该返洗片的方阻值，如果该方阻值为85-95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理，如果方阻值大于95Ω则进行如下的步骤进行二次扩散处理，然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理步骤一、进舟，保持氮气流量为7.5L/min，进舟温度设定为750℃，进舟速度为45cm/min，将返洗片进行进舟处理；步骤二、升温，保持氮气流量为7.5L/min，如果方阻值在95-130Ω之间，则按照6℃/min的速率升高到760℃保温，如果方阻值在大于等于130Ω，则按照6℃/min的速率升高到770℃保温；步骤三、恒温，保持温度不变，保持氮气流量不变，保温600s；步骤四、变温沉积，按照升温速率6℃/...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾宇龙，焦朋府，张雁东，王森栋，崔龙辉，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西,14