Embodiments of the present invention is a method, the method includes forming a multilayer stack above the substrate, the multilayer stack includes alternating first and second layers to form a patterned multilayer stack fin, forming an isolation zone around the fins, the fins extending above the upper top surface of the isolation zone, forming a first gate stack in the fins of the upper part of the side wall and on the top surface of the first gate stack defines fin channel region, and from the first gate stack and removing the first fin layer, wherein, after removal of the first layer, fin channel region includes both the first and second layers.
【技术实现步骤摘要】
FINFET及形成FINFET的方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域,更具体地,涉及FINFET及形成FINFET的方法。
技术介绍
随着半导体产业已进入纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本,来自制造和设计问题的挑战导致诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。通常的FinFET制造为具有通过例如蚀刻掉衬底的硅层的部分来形成的从衬底延伸的薄而垂直的“鳍”(或鳍结构)。在这种垂直鳍中形成FinFET的沟道。在鳍上方(例如,包裹鳍)提供栅极。栅极位于沟道的两侧使得栅极从两侧控制沟道。然而,在半导体制造中实现这种部件和工艺仍然具有挑战。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供了一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在衬底上方形成多层叠件,所述多层叠件包括交替的第一层和第二层;图案化所述多层叠件以形成鳍;形成围绕所述鳍的隔离区,所述鳍的上部在所述隔离区的顶面之上延伸;在所述鳍的所述上部的侧壁和顶面上形成栅叠件,所述栅叠件限定所述鳍的沟道区;以及从所述鳍去除所述栅叠件外的所述第一层,其中,在去除所述第一层之后,所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者。根据本专利技术的另一方面,提供了一种形成形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在衬底上方形成鳍,所述鳍包括交替的第一层和第二层;形成围绕所述鳍的隔离区,所述鳍的上部在所述隔离区的顶面之上延伸;在所述鳍的所述上部的侧壁和顶面上形成第一栅叠件,所述第一栅叠件限定所述鳍的沟道区;从所述鳍选择性地去除所述第一栅叠件外的所述第一层;以及从所述鳍去除所 ...
【技术保护点】
一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在衬底上方形成多层叠件,所述多层叠件包括交替的第一层和第二层;图案化所述多层叠件以形成鳍;形成围绕所述鳍的隔离区,所述鳍的上部在所述隔离区的顶面之上延伸;在所述鳍的所述上部的侧壁和顶面上形成栅叠件,所述栅叠件限定所述鳍的沟道区;以及从所述鳍去除所述栅叠件外的所述第一层,其中,在去除所述第一层之后,所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者。
【技术特征摘要】
2016.04.28 US 62/328,868;2016.10.05 US 15/286,2801.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在衬底上方形成多层叠件,所述多层叠件包括交替的第一层和第二层;图案化所述多层叠件以形成鳍;形成围绕所述鳍的隔离区,所述鳍的上部在所述隔离区的顶面之上延伸;在所述鳍的所述上部的侧壁和顶面上形成栅叠件,所述栅叠件限定所述鳍的沟道区;以及从所述鳍去除所述栅叠件外的所述第一层,其中,在去除所述第一层之后,所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:从所述鳍中去除所述栅叠件外的所述第二层,去除所述第二层在所述鳍中形成凹槽,其中,在去除所述第二层之后,所述鳍的所述沟道区包括所述第一层和所述第二层两者。3.根据权利要求2所述的方法,还包括:在所述鳍的所述凹槽中外延生长源极/漏极区。4.根据权利要求1所述的方法,其中,每个所述第一层均是压缩应变的,并且每个所述第二层均是拉伸应变的。5.根据权利要求1所述的方法,其中,每个所述第一层均是拉伸应变的,并且每个所述第二层均是压缩应变的。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多层叠件包括应变层。7.一种形成鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法,包括:在衬底上...
【专利技术属性】
技术研发人员:张哲诚,林志翰,曾鸿辉,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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