阵列基板和液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板，该阵列基板包括多个间隔设置的阵列区块，每个阵列区块包括多个间隔设置的子阵列基板，所述阵列基板的外围、所述阵列区块的外围和所述子阵列基板的显示区外围中的至少一处设置有静电防护结构，所述静电防护结构为透明金属氧化物走线，或者为层叠设置的金属走线和透明导电金属氧化物走线。所述静电防护结构的存在，能有效屏蔽外界静电。本发明专利技术还提供了采用该阵列基板的液晶显示面板。

Array substrate and liquid crystal display panel

The present invention provides an array substrate and the array substrate includes a plurality of spaced array blocks, each array block includes a plurality of spaced apart array substrate, display area on the periphery of the array substrate, the array block and the sub array substrate periphery in at least one set electrostatic protection structure, the electrostatic protection structure for transparent metal oxide wire, or stacked metal wire and a transparent conductive metal oxide wire. The static electricity can be effectively shielded by the existence of the electrostatic protection structure. The invention also provides a liquid crystal display panel using the array substrate.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
技术介绍
近年来，随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)以其高画质、低功耗、机身轻薄的独特优势迅速得到普及。其中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是目前最常用的主流液晶显示器，广泛应用于手机、掌上电脑等电子设置中。TFT-LCD的显示面板通常是由大的玻璃切割成小的显示屏幕而制成。在面板的切割，薄化以及搬运过程中极易产生静电，静电很容易导入液晶面板内而对面板内部器件造成静电击伤，影响显示效果，极大地影响了产品良品率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种具有静电防护结构的阵列基板和液晶显示面板，用于有效屏蔽外界静电，提高阵列基板和面板的抗静电能力。本专利技术第一方面提供了一种具有静电防护结构的阵列基板，所述阵列基板包括多个间隔设置的阵列区块，每个阵列区块包括多个间隔设置的子阵列基板，所述阵列基板的外围、所述阵列区块的外围和所述子阵列基板的显示区外围中的至少一处设置有静电防护结构，所述静电防护结构为透明金属氧化物走线，或者为层叠设置的金属走线和透明导电金属氧化物走线。优选地，在所述阵列基板外围、每个阵列区块外围和每个子阵列基板的显示区外围均围设有所述静电防护结构。这样在该基板及包含该基板的面板的搬运、切割、薄化过程中，都能很好地防止静电进入信号线以及显示区域内，可以对基板实现更好的静电防护。其中，所述静电防护结构呈闭合式环状或间断式环状。其中，所述透明导电金属氧化物走线的材质选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺氟二氧化锡(FTO)和掺磷二氧化锡(PTO)中的一种。其中，所述阵列基板包括基板衬底，以及依次设置在所述基板衬底上的缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、保护层，其中，所述静电防护结构设置在所述保护层上；所述静电防护结构为透明金属氧化物走线。此时，采用环状透明导电金属氧化物走线作为静电防护结构，可将所述阵列基板外围、每个阵列区块外围和每个子阵列基板的显示区外围中的至少一处包围起来，该透明导电金属材料的导电率较高，具有良好的导电特性，这样在该基板及包含该基板的面板的搬运、切割、薄化过程中，都能很好地屏蔽静电，防止静电进入信号线以及显示区域内，较好地实现静电防护。进一步地，所述静电防护结构的厚度为优选为更优选为其中，所述阵列基板包括基板衬底，以及依次设置在所述基板衬底上的缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、保护层，其中，所述层间绝缘层和所述保护层之间还设置金属层，所述保护层上还设置有透明导电层，所述保护层具有过孔，所述透明导电层和金属层通过所述过孔电连接，所述透明导电层和金属层构成所述静电防护结构；所述静电防护结构为层叠设置的金属走线和透明导电金属氧化物走线；所述透明导电金属氧化物走线与透明导电层的材质相同。此时，所述透明导电层和金属层通过保护层上的过孔在上下方向上实现电连接，共同构成静电防护结构，此时，静电防护结构相当于并连的透明导电层和金属层，比单独采用环状透明导电层时的导电性还好，具有较好的抗静电击伤效果。而且，所述静电防护结构围设在所述阵列基板外围、每个阵列区块外围和每个子阵列基板的显示区外围中的至少一处，可以较好地避免基板被静电击伤。具体地，所述金属层呈闭合式环状或间断式环状；所述透明导电层呈闭合式环状或间断式环状。其中，所述金属层的厚度为其中，所述金属层为Mo，Ti，Cu，Cr和Al中的至少一种构成的一层或多层涂层。本专利技术第二方面提供了一种液晶显示面板，包括如本专利技术第一方面所述的阵列基板。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。图1为本专利技术一实施例提供的具有静电防护结构的阵列基板的制备方法流程图；图2为本专利技术第一实施例提供的具有静电防护结构的阵列基板的剖视示意图；图3为本专利技术第一实施例中具有静电防护结构的阵列基板的俯视结构示意图；图4为本专利技术第二实施例中具有静电防护结构的阵列基板的俯视结构示意图；图5为本专利技术第三实施例中具有静电防护结构的阵列基板的俯视结构示意图；图6为本专利技术第四实施例提供的具有静电防护结构的阵列基板的制备方法流程图；图7为本专利技术第四实施例提供的具有静电防护结构的阵列基板的剖视示意图。具体实施方式下面结合附图及实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。应当指出，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例，第一方面提供了一种具有静电防护结构的阵列基板的制备方法，请一并参阅图1和图2，包括如下步骤：S11，提供基板衬底1，在基板衬底1依次形成缓冲层2、栅绝缘层3、层间绝缘层4、保护层5；S12，在保护层5上形成静电防护结构6，得到阵列基板；阵列基板分为多个间隔设置的阵列区块，每个陈列区块包括多个间隔设置的子阵列基板；静电防护结构围设在阵列基板外围、每个阵列区块外围和每个子阵列基板的显示区外围中的至少一处；静电防护结构6为透明导电层，具体为透明金属氧化物走线。本实施例的S11中，基板衬底1的材质为玻璃或塑料。通过镀膜工艺如等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)在基板衬底1上形成一层覆盖基板衬底1的缓冲层(Buffer)2，缓冲层2可以屏蔽基板衬底1上缺陷的影响，避免引起的器件或涂层不良。可选地，缓冲层2的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。进一步可选地，缓冲层2可以为单层的氧化硅(SiOx)膜层或氮化硅(SiNx)膜层，或者为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的复合膜层。优选地，缓冲层2为依次沉积成的氮化硅膜层、氧化硅膜层。可选地，缓冲层2的厚度为例如为2000、3000、4000或本实施例中，在缓冲层2上可以通过构图工艺形成图案化的栅绝缘层3，其中，构图工艺包括涂覆成膜、掩膜、曝光、显影、刻蚀等工艺(也可称之为光刻工艺)。可选地，栅绝缘层3的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。进一步可选地，栅绝缘层3的材料可以为单层的氮化硅(SiNx)或者单层的氧化硅(SiOx)，或者为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)形成的叠层。优选地，栅绝缘层3的材料为氧化硅。可选地，所述栅绝缘层3的厚度为优选为例如，所述栅绝缘层3的厚度可以为或在栅绝缘层3上可以通过构图工艺形成图案化的层间绝缘层4，构图工艺包括涂覆成膜、掩膜、曝光、显影、刻蚀等工艺。可选地，所述层间绝缘层4的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种。进一步可选地，所述层间绝缘层4的材料可以为单层的氮化硅(SiNx)或者单层的氧化硅(SiOx)，或者为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)形成的叠层。优选地，所述层间绝缘层4的材料可以为氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)形成的叠层材料。可选地，所述层间绝缘层4的厚度为优选为例如，所述层间绝缘层4的厚度可以为在层间绝缘层4上可以通过构图工艺形成图案化的保护层5，构图工艺包括涂覆成膜、掩膜、曝光、显影、刻蚀等工艺。可选地，保护层5的厚度为保护层5的材质可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个间隔设置的阵列区块，每个阵列区块包括多个间隔设置的子阵列基板，所述阵列基板的外围、所述阵列区块的外围和所述子阵列基板的显示区外围中的至少一处设置有静电防护结构，所述静电防护结构为透明金属氧化物走线，或者为层叠设置的金属走线和透明导电金属氧化物走线。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个间隔设置的阵列区块，每个阵列区块包括多个间隔设置的子阵列基板，所述阵列基板的外围、所述阵列区块的外围和所述子阵列基板的显示区外围中的至少一处设置有静电防护结构，所述静电防护结构为透明金属氧化物走线，或者为层叠设置的金属走线和透明导电金属氧化物走线。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述静电防护结构呈闭合式环状或间断式环状。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电金属氧化物走线的材质选自氧化铟锡、氧化铟锌、掺铝氧化锌、掺氟二氧化锡和掺磷二氧化锡中的一种。4.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板衬底，以及依次设置在所述基板衬底上的缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、保护层，其中，所述静电防护结构设置在所述保护层上；所述静电防护结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘元甫，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42