本发明专利技术涉及由化学式（１）Ｌ↑［１］Ｌ↑［１］Ｍ（Ｑ）↓［ｍ］代表的电致发光化合物和包括所述化合物作为基质材料的电致发光器件。本发明专利技术的电致发光化合物用作ＯＬＥＤ的基质材料时，显著地降低了工作电压并提高了功率系数。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包含金属配合物的电致发光化合物以及含有所述电致发光化合 物作为基质材料的电致发光器件，所述电致发光化合物表现出优异的导电率和 高效率发光性能。
技术介绍
在OLED中决定发光效率的最重要的因素是电致发光材料的类型。尽管至 今荧光材料已被广泛地用作电致发光材料，但考虑到电致发光机理，研发磷光 材料是将发光效率理论上提高到4倍之多的最佳方法之一。迄今为止，铱(m)酉己合物是普遍公知的磷光材料，包括分别为红色、绿色 和蓝色磷光材料的(acac)Ii(btp)2 、 Ir(ppy)3和Firpic。尤其地，；lifi在日本、欧洲 和美国，大量的磷光材料已得到研究。(acac)lr(btp)2 1『(ppy)3 Firpic作为磷光性发光材料的基M^料，CBP ^M今最普遍知道的，对施涂到其 上的空穴阻挡层(例如BCP和BAlq)具有高效率的OLEPs也是已知的。先锋 (曰本)等报道了使用BAlq衍生物作为基质的具有高效率的OLEDs。22BCP(PiBAIqBAIq尽管现有技术中的材料在发光性能上是有优势的，但它们具剤氐的玻璃化 转变温度和非常差的热稳定性，以致它们在真空中高温气相淀积过程中容易变化。在有机电致发光器件(OLED)中，可定义功率系数KTT/电压)x电流效率。 因此，功率系数与电压成反比，为了得到更低的OLED能量损耗，功率系, 更高。实际上，采用磷光电致发光(EL)材料的OLED显示出比采用荧光EL材 料的OLED明显更高的电流效萌cd/A)。然而，S^诸如BAIq和CBP的传 统材料作为磷光EL材料的基质材料的情况下，因为与采用荧光材料的OLED 相比更高的工作电压，在功率系数lmAv)方面没有明显的优势。本专利技术者专利技术了由下列结构表示的EL化合物，所述化合物包括混合型配位 金属配合物的骨架，具有比传统有机基质材料或铝配合物好得多的EL性能和物 理性能；上述内容提交为韩国专利申请No.2006^7467 。23<formula>formula see original document page 24</formula>自19世纪90年代中期以来，作为EL材料，例如蓝光EL材料，这种类型 的传统配合物已得到广泛地研究。然而，那些材料仅{赃用为EL材料，而很少 作为磷光EL材料的基质材料应用。 .同时，日本专利待审公开No.2002-305083测量了下面示出的化合物的器件 效率，其中噻唑、苯并噻唑和苯环除了氢之外，不被任何取代基取代。没有公 开具有不同取代基的化合物。已知的是化合物B提供了在100 cd/m2下2.6 lm/w 的功率系数、5.3 cd/A的发光效率和6，5V的工作电压，但是没有描述在配体上 具有其它取代基的tti可情况。<formula>formula see original document page 24</formula>
技术实现思路
根据本专利技术，研发了一种金属配合物材料，与传统材料相比，其表现出优 异的材料稳定性、更好的导电率和高效率的EL性能。包含在芳环中或侧链取代基中的具有不成对电子对的杂原子，具有与金属配位的强烈趋势。这种具有非 常稳定电化学性能的配位键是配合物普遍己知的性能。借助于这样一种性能， 本专利技术己研发了不同配体和戶賴U备的金属配合物，它们接着用作基质材料。本专利技术的目的是克服传统技术的上述问题，并提供具有配位金属配合物骨 架的电致发光化合物，所述化合物与传统有机基质材料相比，显示出非常优异 的电致发光性能和物理性能。本专利技术的另一目的是提供电致发光器件，其包括 作为基M^才料而帝恪的戶欣电致发光化合物。因此，本专利技术涉及由化学式(l)表示的电致发光化合物和包括作为基质材料 的戶皿化合物的电致发光器件。化学式lL]L'M(Q)m其中，配体L'具有如下所示的结构M代表二价归介金鳳当M为二价金属时m是O，当M为三价金属时m是l; Q代表(C6至C60)芳氧基或三(C6至C30)芳基甲硅烷基，Q的芳氧基t 芳基甲硅烷基可进一步被一直链^:敏C1至C60)烷基爽C1至C60)芳皿代; 当X代表O时，环A选自下列结构^至R4独iJt也代表氢、(Cl至C60)烷基、卣素、氰基、(C3至C60)环烷基、 (C6至C60)芳基、(C4至C60)杂芳基、单或双(C1至C30)烷基,、单或双(C6 至C30)芳M、三(C1至C30)'縫甲石圭烷基、二(C1至C30)'職C6至C30)芳 基甲硅烷基KC6至C30)芳基甲石娥基，或可通过(C3至C12)亚烃基或者(C3 至C12)亚烯基连接相邻的取〗堪从而形淑周合环；Ru至Rn独立地代表氢、(C1至C60)烷基、(C6至C60)芳基、(C4至C60)杂芳基、三(C1至C30)烷基甲硅烷基、二(C1至C30)烷教C6至C30)芳基甲硅 烷基、三(C6至C30)芳基甲硅烷基、单或双(C1至C30)烷基氨基、单或双(C6 至C30)芳氨基、縫或卤氣或R,3至R,6可通过(C3至C12)亚烃基或者(C3 至C12)亚烯基连接相邻的取代基从而形成稠合环；R2'至R39 3teiiM樣氢、(C1至C60)^S、 (C6至C60)芳基、(C4至C60) 杂芳基、三(C1至C30)烷基甲硅烷基、二(C1至C30)烷教C6至C30)芳基甲硅 烷基、三(C6至C30)芳基甲硅烷基、单或双(C1至C30)烷基氨基、单或双(C6 至C30)芳氨基、氰基或卤素；R,至R4的縫、芳基或杂芳基赫M(C3至C12)亚;):缝或者(C3至 C12)亚烯基连接相邻的取代基而由此形成的稠合环，可进一步被一种或多种取 代 代，戶脱取代基选自(C1至C60)烷基、被卤素取代的(C1至C60)烷基、(C6 至C60)芳基、三(C1至C30)芳基甲硅烷基、二(C1至C30)烷教C6至C30)芳基 甲硅烷基、三(C6至C30)芳基甲硅烷基、单或双(C1至C30)^S氨基、单或双(C6 至C30)芳氨基、氰基和卤素；R 至R16以及R21至R39的烷基、芳基或杂芳基可进一步被一种或多种取代 ^ 又代，戶脱取代基选自(C1至C60)烷基、被卤素取代的(C1至C60)烷基、卤 素、(C6至C60)芳基、单或观C1至C30)烷基氨基、单或双(C6至C30)芳氨基、 三(C1至C30)芳基甲硅烷基、二(C1至C30)烷萄C6至C30)芳基甲硅烷基、三 (C6至C30)芳基甲硅烷基和氰基。配体L'可选自以下结构R3R2、R4R2丫S、、S々N'R21 R2227<formula>formula see original document page 28</formula>其中R,、 R2、 R3和R4具有同化学式1中的定义;Ru至R,6独LiJ:也代表氢、(Cl至C60)烷基、卤素、被卤素取代的(C1至C60) 烷基、苯基、難、联苯基、芴基三(C1至C30)烷基甲硅烷基、二(C1至C30) 烷對C6至C30)芳基甲硅烷基、三(C6至C30)芳基甲硅烷基、二(C1至C30)烷 基氨基、二(C6至C30)芳錢、苯硫基或呋喃基；R,7代表(C1至C60輝、苯基或織R21和R22独^i也代表氢、(Cl至本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电致发光化合物，其由化学式（１）表示： 化学式１ Ｌ↑［１］Ｌ↑［１］Ｍ（Ｑ）↓［ｍ］ 其中，配体Ｌ↑［１］具有如下所示的结构： ＊＊＊ Ｍ代表二价或三价金属； 当Ｍ为二价金属时ｍ是０，当Ｍ为三价金属 时ｍ是１； Ｑ代表（Ｃ６至Ｃ６０）芳氧基或三（Ｃ６至Ｃ６０）芳基甲硅烷基，Ｑ的芳氧基或三芳基甲硅烷基可进一步被直链或支链（Ｃ１至Ｃ６０）烷基或（Ｃ１至Ｃ６０）芳基取代； 当Ｘ代表Ｏ时，环Ａ选自下列结构： ＊＊＊ 当Ｘ 代表Ｓ时，环Ａ选自下列结构： ＊＊＊ Ｒ↓［１］至Ｒ↓［４］独立地代表氢、（Ｃ１至Ｃ６０）烷基、卤素、氰基、（Ｃ３至Ｃ６０）环烷基、（Ｃ６至Ｃ６０）芳基、（Ｃ４至Ｃ６０）杂芳基、单或双（Ｃ１至Ｃ３０）烷基氨基、单或双（Ｃ６至Ｃ３ ０）芳氨基、三（Ｃ１至Ｃ３０）烷基甲硅烷基、二（Ｃ１至Ｃ３０）烷基（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基或三（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基，或可通过（Ｃ３至Ｃ１２）亚烃基或者（Ｃ３至Ｃ１２）亚烯基连接相邻的取代基从而形成稠合环； Ｒ↓［１１］至Ｒ ↓［１７］独立地代表氢、（Ｃ１至Ｃ６０）烷基、（Ｃ６至Ｃ６０）芳基、（Ｃ４至Ｃ６０）杂芳基、三（Ｃ１至Ｃ３０）烷基甲硅烷基、二（Ｃ１至Ｃ３０）烷基（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基、三（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基、单或双（Ｃ１至Ｃ３０）烷基氨基、单或双（Ｃ６至Ｃ３０）芳氨基、氰基或卤素，或Ｒ↓［１３］至Ｒ↓［１６］可通过（Ｃ３至Ｃ１２）亚烃基或者（Ｃ３至Ｃ１２）亚烯基连接相邻的取代基从而形成稠合环； Ｒ↓［２１］至Ｒ↓［３９］独立地代表氢、（Ｃ１至Ｃ６０）烷基、（Ｃ６至Ｃ６０ ）芳基、（Ｃ４至Ｃ６０）杂芳基、三（Ｃ１至Ｃ３０）烷基甲硅烷基、二（Ｃ１至Ｃ３０）烷基（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基、三（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基、单或双（Ｃ１至Ｃ３０）烷基氨基、单或双（Ｃ６至Ｃ３０）芳氨基、氰基或卤素； Ｒ↓［１］ 至Ｒ↓［４］的烷基、芳基或杂芳基、或者通过（Ｃ３至Ｃ１２）亚烃基或者（Ｃ３至Ｃ１２）亚烯基连接相邻的取代基而由此形成的稠合环，可进一步被一种或多种取代基取代，所述取代基选自（Ｃ１至Ｃ６０）烷基、被卤素取代的（Ｃ１至Ｃ６０）烷基、（Ｃ６至Ｃ６０）芳基、三（Ｃ１至Ｃ３０）芳基甲硅烷基、二（Ｃ１至Ｃ３０）烷基（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基、三（Ｃ６至Ｃ３０）芳基甲硅烷基、...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金奉玉，金圣珉，金贤，权赫柱，尹胜洙，赵英俊，
申请(专利权)人：葛来西雅帝史派有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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