2,7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴的低聚物和聚合物制造技术

一种下式的组成： ＊＊＊ 其中： Ｅ在每种情况下独立地是氢、卤素、芳基或被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基部分取代的芳基； Ｒ↑［１］在每种情况下独立地是Ｃ↓［１－２０］烃基或含一个或多个Ｓ、Ｎ、Ｏ、Ｐ或Ｓｉ杂原子的Ｃ↓［１－２０］烃基，或两个Ｒ↑［１］与芴环上的９－碳一起形成Ｃ↓［５－２０］环结构或含一个或多个Ｓ、Ｎ或Ｏ杂原子的Ｃ↓［４－２０］环结构； Ｒ↑［２］在每种情况下独立地是Ｃ↓［１－２０］烃基、Ｃ↓［１－２０］烃氧基、Ｃ↓［１－２０］硫醚、Ｃ↓［１－２０］烃氧基羰基、Ｃ↓［１－２０］烃基羰基氧基或氰基； Ｒ↑［３］在每种情况下独立地是Ｃ↓［１－２０］烃基或被二（Ｃ↓［１－２０］烷基）氨基、Ｃ↓［１－２０］烃氧基或Ｃ↓［１－２０］烃基或三（Ｃ↓［１－１０］烷基）甲硅烷氧基取代的Ｃ↓［１－２０］烃基； ａ在每种情况下独立地是０－１；和 ｍ和ｎ是非负的数，且ｎ＋ｍ≥１０； 其中聚合物的多分散性小于５。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
,7－芳基－9－取代的芴和9－取代的芴的低聚物和聚合物的制作方法
本专利技术涉及新的在9-位被取代的，7-二-卤代芴和制备这种9-取代的，7-二卤代芴的方法。本专利技术还涉及，7-芳基-9-取代的芴和由其制备的9-取代的芴的低聚物和聚合物。本专利技术还涉及制备这种芴、低聚物和聚合物的方法。本专利技术还涉及由这类芴、低聚物和聚合物制备的膜和涂层以及制备这类膜和涂层的方法。Fukuda等人的Japanese Journal of Applied Physics.Vol.8，ppL1433-L1435(1989)已经报道了芳基在9-碳位被烷基取代的芴的聚合物和低聚物。这类聚合物作为在光发射二极管的制备中使用的发光材料被公开。这些聚合物由Kovacic方法制备，其中用大量过量的氧化金属盐，诸如氯化铁，将合适的芴单体处理几天。其结构表示为聚(芴-，7′-二基)。在后来的一篇文章中，Fukuda公开了在聚合期间，所使用的方法导致了明显的交联和混联(mislinking)反应。见Fukuda等人的Journal of PolymerScience，Polymer Chemistry Edition，Vol.31，pp.465-471(1993)。Brown等人的Journal of Polymer Science，Polymer ChemistryEdition，Vol.4，pp.55-67(1989)公开了在Kovacic方法的反应条件下存在许多化学缺陷，特别是生成大量多核结构。另外，氧化聚合不是区域专一性的，并且经常发生芴通过其它位偶联，诸如3，5′-和3，6′-位。另外，多于两个的另外芴分子与给定的芴分子接触可能会发生支化，从而生成在制备过程中会交联的三官能物质。这类副产物的存在可导致生成低分子量的低聚物和低聚合度的聚合物。另外，这类物质显示出高多分散性和低玻璃化转变温度。这些问题导致了成膜性能差和制备的任何膜的性能差，因为这类膜会显示出无法接受的机械性能和低耐热性。另外，氧化偶联过程非常缓慢。在一方面，本专利技术涉及新的在9-位有取代基的，7-二卤代芴。在一个实施方案中，芴在9-位被选自C1-0烃基或含一个或多个S、N、O、P或Si杂原子的C1-0烃基的两个基团取代。在另一个实施方案中，芴被C4-0环结构、含一个或多个S、N或O杂原子的C4-0环结构、烃亚基或可被进一步取代的亚烃基在9-位取代。在9-位被亚烃基取代的实例中，与9-位碳原子连接的亚烃基的碳原子是以双键与该碳原子连接的。在第二个方面，本专利技术涉及，7-芴基低聚物和上述化合物的聚合物，及其交联衍生物。在另一个实施方案中，本专利技术涉及9-取代的芴低聚物和聚合物，其在-和7′-端位由氢或卤素终止，其中低聚物和聚合物的重均分子量是10000或更大，多分散性是3.0或更小。本专利技术的聚合物和低聚物不包含明显量的残缺不全的(misformed)多核结构或通过除-和7′-位以外的位置的结合。芴多核环可进一步在3-、4-、5-或6-位被取代基取代，这些取代基不会对，7-芳基-9-取代的芴或9-取代的芴低聚物和聚合物的性能或随后将这些材料用于它们预定的应用有不利影响。本专利技术的另一个实施方案涉及制备，7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴低聚物和聚合物的方法。该方法包括将一种或多种，7-二卤代-9-取代的芴与一种卤代芳香化合物或多种卤代芳香化合物接触，芳香基进一步被适于交联或链延伸的活性基团或一个三烷基甲硅烷氧基取代，该取代在催化剂量的二价镍盐、至少一种化学计量量的锌粉和一种三烃基膦存在下，在极性溶剂中，在一定条件下进行，制备，7-芳基-9-取代的芴或9-取代的芴低聚物或聚合物。用上述方法，但不使用卤代芳香化合物制备在-和7′-端位由氢或卤素终止的9-取代芴低聚物和聚合物。在另一个实施方案中，本专利技术包括膜或涂层，其包含，7-芳基-9-取代的芴或9-取代的芴低聚物或聚合物。制备这类膜，可将含，7-芳基-9-取代的芴或9-取代的芴低聚物或聚合物的组合物施加到一个基材上，使施加的组合物处于一定的条件下从而制备膜。另外，，7-芳基-9-取代的芴或9-取代的芴低聚物或聚合物可被B-staged、部分交联或链延伸来制备一种组合物，这种组合物可用于制备上文所述的涂层或膜。，7-芳基-9-取代的芴或9-取代的芴低聚物或聚合物表现出荧光性、高玻璃化转变温度或液晶性质，便于制备高耐热性和高耐溶剂性的膜。9-取代的芴低聚物和聚合物表现出低的多分散性。如果需要，可制备基于，7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴低聚物和聚合物的高分子量聚合物。，7-芳基-9-取代的芴或9-取代的芴低聚物或聚合物可用于在聚合的光发射二极管，特别是作为发射层的膜或涂层的制备。另外，这类膜或涂层可作为电子元件的保护层使用，或作为荧光涂料用于广泛的用途。在优选的实施方案中，，7-二卤代-9-二取代的芴由式I表示；在优选的实施方案中，，7-二-卤代-9-烃亚基芴由式II表示。 在一个优选实施方案中，，7-二-卤代-9-烃亚基芴是相应于式III的，7-二卤代-9-亚苄基芴。 本专利技术的化合物是一般的固态晶体材料。通常，化合物的熔点在0-300℃范围内。在文中使用的“烃亚基”是指通过双键连接在芴环的9-位的烃基部分。在一个优选的实施方案中，，7-芳基-9-取代的芴和9-取代的芴低聚物或聚合物相应于式IV， 其中基本上所有的单体单元通过-和7-碳原子与端部或其它单体单元连接。在式IV中，E是卤素、氢或芳基部分，芳基可任意被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基取代。正如在此所用的，适于进行链延伸或交联的活性基团指适于与另一个相同基团或另一基团反应成键以制备低聚物或聚合物的任何基团。这类活性基团优选是羟基、缩水甘油醚、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基、乙炔基、马来酰亚胺、nadimide、三氟乙烯基醚部分或与一种芳环稠合的环丁烯部分。优选E是卤素、芳基或被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基取代的芳基。更优选E是芳基或被适于进行链延伸或交联的活性基团或三烷基甲硅烷氧基取代的芳基。最优选E是酚基、氰氧基取代的苯基或苄基环丁烯部分。R1在每种情况下独立地是C1-0烃基或含一个或多个S、N、O、P或Si杂原子的C1-0烃基，或两个R1与芴上的9-碳一起形成C3-0环结构或含一个或多个S、N或O杂原子的C-0环结构。优选R1是C1-1烷基、C6-0芳基或烷基取代的芳基、C4-16烃基羰基氧基羧酸酯或(C9-16芳基)三烷基甲硅烷氧基部分。在两个R1与芴环的9-碳原子形成一个环结构的实施方案中，形成的环结构优选是C5-0直链或支链环结构或含一个或多个S、N或O杂原子的C1-0直链或支链环结构；更优选C5-10脂环或含一个或多个S或O的C4-10脂环；最优选C5-10环烷基或C4-10环烷基，含有氧。R在每种情况下独立地是C1-0烃基、C1-0烃氧基、C1-0硫醚、C1-0烃氧基羰基、C1-0烃基羰基氧基或氰基。优选R是C1-1烷基、C6-10芳基或烷基取代的芳基、C1-10烷氧基或烷基取代的芳氧基、G1-1烷氧基羰、C6-10芳氧基羰基或烷基取代的芳氧基羰基、C1-1烷氧基、C1-1烷基羰基氧基、C6-10芳基羰基氧基或烷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：E·P·伍，M·英巴塞卡朗，W·R·史安格，G·R·鲁夫，
申请(专利权)人：陶氏环球技术公司，
类型：发明
国别省市：