薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置制造方法及图纸

具备：元件形成工序，在透明的支承基板8上形成基板层10之后，在该基板层10上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb，使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离，在元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置
本专利技术涉及薄膜元件装置的制造方法及其所使用的光照射装置。
技术介绍
近年来，提出了以下的薄膜元件装置的制造方法：在玻璃基板等透明的支承基板上形成分离层，在该分离层上形成基板层和有机EL(electroluminescence：电致发光)元件等薄膜元件之后，从支承基板侧照射激光，由此，使分离层与基板层的界面的密合性下降，从而使基板层和薄膜元件从支承基板剥离。例如，专利文献1中公开了一种被转印层的剥离方法，其将隔着分离层存在于基板上的被转印层从基板剥离，其中，在对分离层多次照射激光而使被转印层从基板脱离时，激光的单位照射区域为大致正六边形。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-244188号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题可是，在通过如上所述的激光照射使薄膜元件装置从支承基板剥离的薄膜元件装置的制造方法中，当在支承基板的照射激光的一侧的表面(背面)上存在附着物或划痕等时，在存在附着物或划痕等的部分，激光会被遮断。那样的话，在存在附着物或划痕等的部分，激光的能量不能充分地被供给到分离层，因此，薄膜元件装置的剥离会局部地变得不良，薄膜元件装置的一部分会残留在支承基板的表面上。在此，被照射激光的支承基板的背面在制造工序中要与例如基板搬送装置的辊或处理装置的工作台的表面接触，因此，有可能附着污物，或者产生微细的划痕，或者残留药液。本专利技术是鉴于上述问题而做出的，其目的在于抑制薄膜元件装置的剥离不良。用于解决技术问题的手段为了实现上述目的，本专利技术的薄膜元件装置的制造方法具备：元件形成工序，在透明的支承基板上形成基板层之后，在该基板层上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从上述支承基板的与形成有上述基板层和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光，使上述基板层和薄膜元件从上述支承基板剥离，上述薄膜元件装置的制造方法的特征在于：在上述元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射上述激光。另外，本专利技术的光照射装置具备：载置被照射基板的工作台；和向上述被照射基板照射激光的照射头，上述光照射装置的特征在于：上述工作台或照射头从相互不同的多个方向对上述被照射基板照射激光。专利技术效果根据本专利技术，从相互不同的多个方向照射激光，因此，能够抑制薄膜元件装置的剥离不良。附图说明图1是本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的截面图。图2是构成本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。图3是为了制造本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置而制作的被照射基板的截面图。图4是本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的光照射装置的侧面图。图5是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第一截面图。图6是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第二截面图。图7是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图8是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图9是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图10是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图11是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图12是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图13是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第三截面图。图14是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的效果进行说明的第一截面图。图15是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法的效果进行说明的第二截面图。图16是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的入射角度进行说明的第一截面图。图17是用于对本专利技术第一实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的入射角度进行说明的第二截面图。图18是对本专利技术第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第一截面图。图19是对本专利技术第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法进行说明的第二截面图。图20是本专利技术第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的光照射装置的侧面图。图21是用于对本专利技术第二实施方式的有机EL显示装置的制造方法的效果进行说明的截面图。图22是本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的光照射装置的侧面图。图23是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图24是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图25是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图26是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图27是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图28是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的平面图。图29是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图30是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图31是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图32是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图33是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图34是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法中的激光的照射方法进行说明的截面图。图35是本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的侧面图。图36是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的平面图。图37是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的平面图。图38是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的平面图。图39是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的侧面图。图40是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的侧面图。图41是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的变形例进行说明的侧面图。图42是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的制造方法所使用的第一变形例的光照射装置的基板翻转机构的另一变形例进行说明的平面图。图43是用于对本专利技术第三实施方式的有机EL显示装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜元件装置的制造方法，其具备：元件形成工序，在透明的支承基板上形成基板层之后，在该基板层上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从所述支承基板的与形成有所述基板层和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光，使所述基板层和薄膜元件从所述支承基板剥离，所述薄膜元件装置的制造方法的特征在于：在所述元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射所述激光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.10 JP 2015-0466941.一种薄膜元件装置的制造方法，其具备：元件形成工序，在透明的支承基板上形成基板层之后，在该基板层上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从所述支承基板的与形成有所述基板层和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光，使所述基板层和薄膜元件从所述支承基板剥离，所述薄膜元件装置的制造方法的特征在于：在所述元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射所述激光。2.根据权利要求1所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：在所述元件剥离工序中，从第一方向和与该第一方向不同的第二方向照射所述激光。3.根据权利要求2所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：在所述元件剥离工序中，同时进行来自所述第一方向和第二方向的激光的照射。4.根据权利要求2所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：在所述元件剥离工序中，在各自的时间进行来自所述第一方向和第二方向的激光的照射。5.根据权利要求2～4中任一项所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：所述第一方向为相对于所述支承基板的表面垂直的垂直方向，所述第二方向为相对于所述支承基板的表面倾斜的倾斜方向。6.根据权利要求5所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：在所述元件剥离工序中，在使来自所述垂直方向的激光和来自所述倾斜方向的激光移动的同时，对所述支承基板的表面进行照射，所述支承基板的表面在被照射来自所述垂直方向的激光之后，被照射来自所述倾斜方向的激光。7.根据权利要求6所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：来自所述倾斜方向的激光的强度比来自所述垂直方向的激光的强度低。8.根据权利要求2～4中任一项所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：所述第一方向和第二方向为相对于所述支承基板的表面倾斜的倾斜方向。9.根据权利要求1所述的薄膜元件装置的制造方法，其特征在于：在所述元件剥离工序中，从在俯视时依次相差90°的第一倾斜方向、第二倾斜方向、第三倾斜方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中哲宪，中村涉，冈崎庄治，藤原正树，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP