用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法。衬底处理系统中的衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环以及控制器。为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以升高和降低所述边缘环与升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种。当衬底倾斜时，控制器基于从衬底的表面反射的信号来确定衬底处理系统中的测量装置的对准。

【技术实现步骤摘要】
用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年3月29日提交的美国临时申请No.62/314,651的权益。本公开涉及与本申请同时提交的名称为“SYSTEMSANDMETHODSFORPERFORMINGEDGERINGCHARACTERIZATION”的、代理人案号为No.3935-2US的美国临时申请，该申请要求于2016年3月29日提交的美国临时申请No.62/314659的优先权。上面引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本公开涉及用于测量衬底处理系统中的边缘环的系统和方法。
技术介绍
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该
技术介绍
部分中描述的程度上的目前提名的专利技术人的工作和在申请时可能无资格另外作为现有技术的描述的方面既未清楚地，也未隐含地被承认作为针对本公开的现有技术。衬底处理系统可以用于蚀刻衬底(诸如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于激活化学反应。衬底处理室可以包括被布置为测量布置在衬底支撑件上的衬底的各种特性的测量装置(例如，光谱反射计，诸如激光光谱反射计，或LSR，或另一光测量装置)。例如，测量装置可以直接定位在衬底支撑件上方以在衬底处向下引导信号。感测装置(例如，电荷耦合装置(charge-coupleddevice)或CCD、光电二极管等)被布置成感测从衬底的表面反射的信号。反射信号的特性指示衬底的各种特性。
技术实现思路
在衬底处理系统中的衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环，以及控制器。为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并且使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以升高和降低边缘环与以升高和降低衬底支撑件的内部部分中的至少一种。当衬底倾斜时，控制器基于从衬底的表面反射的信号来确定衬底处理系统中的测量装置的对准。一种用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的方法，其包括将衬底布置在衬底支撑件的内部部分上，并通过升高和降低边缘环与升高和降低衬底支撑件的内部部分中的至少一种选择性地使布置在衬底支撑件的内部部分周围的边缘环接合衬底并使衬底倾斜。该方法进一步包括当衬底倾斜时，基于从衬底的表面反射的信号来确定测量装置的对准。具体而言，本专利技术的一些方面可以阐述如下：1.一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：内部部分，其布置成支撑衬底；边缘环，其围绕所述内部部分；以及控制器，为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种，以及当所述衬底倾斜时，所述控制器基于从所述衬底的表面反射的信号，确定所述衬底处理系统中的测量装置的对准。2.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述衬底包括从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，并且其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。3.根据条款2所述的衬底支撑件，其中，所述接触指被布置成接合所述边缘环的内径。4.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述边缘环何时接合所述衬底，所述控制器监测从所述衬底的表面反射的信号。5.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述测量装置的对准，所述控制器确定从所述衬底的表面反射的信号的强度。6.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，所述测量装置包括布置在所述衬底支撑件上方的光谱反射计(SR)。7.根据条款1所述的衬底支撑件，其还包括：多个销，其定位成支撑所述边缘环；以及所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器包括响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述多个销中的相应销的多个致动器。8.根据条款1所述的衬底支撑件，其还包括：所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述内部部分。9.一种用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的方法，所述方法包括：将衬底布置在衬底支撑件的内部部分上；通过(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种选择性地使围绕所述衬底支撑件的所述内部部分布置的边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜；以及当所述衬底倾斜时，基于从所述衬底的表面反射的信号来确定所述测量装置的对准。10.根据条款9所述的方法，其还包括提供从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。11.根据条款10所述的方法，其还包括布置所述衬底，使得所述接触指定位成接合所述边缘环的内径。12.根据条款9所述的方法，其中确定所述边缘环何时接合所述衬底包括监测从所述衬底的表面反射的信号。13.根据条款9所述的方法，其中确定所述测量装置的对准包括确定从所述衬底的所述表面反射的所述信号的强度。14.根据条款9所述的方法，其中所述测量装置包括布置在所述衬底支撑件上方的光谱反射计(SR)。15.根据条款9所述的方法，其还包括使用至少一个致动器选择性地升高和降低被定位成支撑所述边缘环的多个销中的相应销。16.根据条款9所述的方法，其还包括使用至少一个致动器和定位成支撑所述内部部分的一个或多个销选择性地升高和降低所述内部部分。根据详细描述、权利要求书和附图，本公开的其它应用领域将变得显而易见。详细描述和具体示例仅旨在用于说明的目的，并且不旨在限制本公开的范围。附图说明根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：图1是根据本公开的示例性处理室的功能框图；图2A示出了根据本公开的处于降低位置的示例性边缘环；图2B示出了根据本公开的处于升高位置的示例性边缘环；图2C示出了根据本公开的处于倾斜位置的示例性边缘环；图3A示出了根据本公开的处于升高位置的示例性衬底支撑件；图3B示出了根据本公开的布置在处于降低位置的衬底支撑件上的示例性测试衬底；图3C示出了根据本公开的布置在处于降低位置的衬底支撑件上的另一示例性测试衬底；图4A和4B是根据本公开的示例性测试衬底的平面图；图5A、5B、5C和5D示出了根据本公开的测试衬底和LSR器件的示例性位置；以及图6示出了根据本公开的用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的示例性方法的步骤。在附图中，附图标记可以重复使用以标识相似和/或相同的元件。具体实施方式衬底处理室可以包括被定位成测量布置在衬底支撑件上的衬底(例如，晶片)的各种特性的测量装置(例如，光测量装置，诸如光谱反射计(spectralreflectometer)，或SR，激光光谱反射计或LSR等)。例如，SR可以直接位于衬底支撑件上方，以向下朝衬底引导SR信号。光电二极管、CCD或其它感测装置被布置成感测从衬底的表面反射的SR信号。反射的SR信号的特性指示衬底的各种特性。当SR被正确地对准(即，具有期望的相对于衬底支撑件的定位)时，SR信号朝向衬底传播的方向上的向量与衬底支撑件或衬底的表面的法线向量对齐(即，平行)，并且SR信号的信号强度是最佳的。这里使用的最佳信号强度可以对应于最大信号强度，期望范围内的信号强度等。然而，SR可能不是完全对准的，或者可能随本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：内部部分，其布置成支撑衬底；边缘环，其围绕所述内部部分；以及控制器，为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种，以及当所述衬底倾斜时，所述控制器基于从所述衬底的表面反射的信号，确定所述衬底处理系统中的测量装置的对准。

【技术特征摘要】
2016.03.29 US 62/314,651;2017.03.01 US 15/446,5431.一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：内部部分，其布置成支撑衬底；边缘环，其围绕所述内部部分；以及控制器，为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种，以及当所述衬底倾斜时，所述控制器基于从所述衬底的表面反射的信号，确定所述衬底处理系统中的测量装置的对准。2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底包括从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，并且其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。3.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中，所述接触指被布置成接合所述边缘环的内径。4.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述边缘环何时接合所述衬底，所述控制器监测从所述衬底的表面反射的信号。5.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述测量装...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·穆瑟尔曼，安德鲁·D·贝利三世，德米特里·奥帕伊茨，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US