一种eMCP模块结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种eMCP模块的制作方法，包括：对DRAM芯片进行WLCSP封装；将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。除此之外，本发明专利技术还公开了一种eMCP模块结构，包括完成WLCSP封装的DRAM芯片和设置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封装球倒装设置在所述基板的凹槽内。所述eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，通过采用将DRAM芯片先WLCSP封装后贴片的方式，使得DRAM芯片引出的网络在第三层，而FLASH芯片的网络在第一层，这样两个芯片的信号线实现了远离，减少干扰，提高了eMCP模块的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种eMCP模块结构及制作方法
本专利技术涉及半导体器件封装
，特别是涉及一种eMCP模块结构及制作方法。
技术介绍
eMCP模块：是智能手机CPU与存储器件eMMC封装而成的智慧手机记忆体标准,可以在小体积内同时实现大容量的固态可变存储。现有技术中eMCP模块存在的问题是：eMCP受11.5mmx13mmx1.3mm最小尺寸限制，容量增长不易(只能增加FLASH的数量，可以增加容量)，DRAM与FLASH芯片堆叠在一起，在设计基板走线时，信号线都分布在第一层，很容易产生讯号干扰，品质增加了不确定性，使eMCP模块往高端市场发展的难点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供种eMCP模块结构及制作方法，减少了信号干扰，提高了品质。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种eMCP模块的制作方法，包括：对DRAM芯片进行WLCSP封装；将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。其中，所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，包括对所述基板的正面设置凹槽，将所述DRAM芯片的芯片球设置在所述基板的凹槽中。其中，所述DRAM芯片的封装球的直径为0.20mm，间距为0.20mm，高度为0.20mm。其中，所述基板为四层板，所述凹槽位于第一层板、第二层板以及所述第一层板和所述第二层板之间的PP层。其中，所述凹槽的横截面的长度为6.4mm-6.5mm，宽度为4.8mm-5.0mm，所述凹槽的高度为0.19mm-0.20mm。其中，所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，还包括对所述基板的第三层的上表面制作与所述DRAM芯片的封装球的焊盘形状匹配的焊盘，且对所述基板的第三层的焊盘进行电软金涂覆。其中，还包括使用点胶机将所述DRAM芯片的芯片球与所述基板的凹槽之间的缝隙用底填剂填充之后烘烤固化。其中，还包括主控芯片，所述主控芯片设置在所述DRAM芯片的正面或设置在所述基板的正面。除此之外，本专利技术实施例还提供了一种eMCP模块结构，包括完成WLCSP封装的DRAM芯片和设置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封装球倒装设置在所述基板的凹槽内。其中，还包括主控芯片，所述主控芯片设置在所述DRAM芯片的正面或设置在所述基板的正面。本专利技术实施例所提供的eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，与现有技术相比，具有以下优点：本专利技术实施例提供的一种eMCP模块的制作方法，包括：对DRAM芯片进行WLCSP封装；将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。除此之外，本专利技术实施例提供的一种eMCP模块结构，包括完成WLCSP封装的DRAM芯片和设置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封装球倒装设置在所述基板的凹槽内。所述eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，通过采用将DRAM芯片先WLCSP封装后在贴片的方式，使得DRAM芯片引出的网络在第三层，而FLASH芯片的网络在第一层，这样两个芯片的信号线实现了远离，减少干扰，提高了eMCP模块的品质。综上所述，本专利技术实施例提供的eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，过采用将DRAM芯片先WLCSP封装后在贴片的方式，提高了eMCP模块的品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的eMCP模块的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；图2为本专利技术实施例所提供的eMCP模块的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；图3为本专利技术实施例所提供的eMCP模块结构的一种具体实施方式的结构示意图；图4为本专利技术实施例所提供的eMCP模块结构的另一种具体实施方式的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有技术中存在的问题是：eMCP受11.5mmx13mmx1.3mm最小尺寸限制，容量增长不易(只能增加FLASH的数量，可以增加容量)，DRAM与FLASH芯片堆叠在一起，在设计基板走线时，信号线都分布在第一层，很容易产生讯号干扰，品质增加了不确定性，使eMCP模块往高端市场发展的难点。此专利就是为了解决讯号干扰问题。WLCSP是圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging)，是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒。因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。解决讯号干扰问题，在基板LAYOUT里面，就是把LPDDR(DRAM)的芯片的信号与FLASH的信号线尽量的离的远，就可以减少干扰。因封装尺寸有限及基板的制造有限，这个在基板走线上进行优化，很难实现。LAYOUT为基板走线布局。基于此，本专利技术是时候了提供了一种eMCP模块的制作方法，包括：对DRAM芯片进行WLCSP封装；将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。除此之外，本专利技术实施例提供的一种eMCP模块结构，包括完成WLCSP封装的DRAM芯片和设置有凹槽的基板，所述DRAM芯片的封装球倒装设置在所述基板的凹槽内。综上所述，本专利技术实施例所提供的所述eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，通过采用将DRAM芯片先WLCSP封装后在贴片的方式，使得DRAM芯片引出的网络在第三层，而FLASH芯片的网络在第一层，这样两个芯片的信号线实现了远离，减少干扰，提高了eMCP模块的品质。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。请参考图1-图2，图1为本专利技术实施例所提供的eMCP模块的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图；图2为本专利技术实施例所提供的eMCP模块的制作方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图。在一种具体方式中，所述eMCP模块的制作方法，包括：步骤10，对DRAM芯片进行WLCSP封装；步骤20，将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。所述eMCP模块的制作方法以及eMCP模块结构，通过采用将DRAM芯片先WLCSP封装后在贴片的方式，使得DRAM芯片引出的网络在第三层，而FLASH芯片的网络在第一层，这样两个芯片的信号线实现了远离，减少干扰，提高了eMCP模块的品质。而为了增加eMCP的容量，这就需要增加FLASH的数量，一般通过减少芯片的堆叠高度，在基板贴DRAM芯片的位置下方，挖一个凹槽，将DRAM芯片的封装铜球进入基板例，这样就可以降低DRAM芯片的堆叠高度，使得DRAM芯片的上方可以自由放置大容量的FlASH芯片，即所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，包括对所述基板的正面设置凹槽，将所述DRAM芯片的芯片球设置在所述基板的凹槽中。通过改变eMCP的芯片堆叠结构，把DRA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种eMCP模块的制作方法，其特征在于，包括：对DRAM芯片进行WLCSP封装；将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。

【技术特征摘要】
1.一种eMCP模块的制作方法，其特征在于，包括：对DRAM芯片进行WLCSP封装；将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面。2.如权利要求1所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述将完成WLCSP封装的所述DRAM芯片倒装贴合在所述基板的正面，包括对所述基板的正面设置凹槽，将所述DRAM芯片的芯片球设置在所述基板的凹槽中。3.如权利要求2所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述DRAM芯片的封装球的直径为0.20mm，间距为0.20mm，高度为0.20mm。4.如权利要求3所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述基板为四层板，所述凹槽位于第一层板、第二层板以及所述第一层板和所述第二层板之间的PP层。5.如权利要求4所述的eMCP模块的制作方法，其特征在于，所述凹槽的横截面的长度为6.4mm-6.5mm，宽度为4.8mm-5.0mm，所述凹槽的高度为0.19mm-0.20mm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡双，
申请(专利权)人：无锡天芯互联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32