电子设备制造技术

一种电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：全局线对，所述全局线对包括全局位线和全局源极线；多个单元矩阵，所述多个单元矩阵耦接在所述全局位线和所述全局源极线之间，每个单元矩阵包括多个局部线对和耦接到所述多个局部线对的多个储存单元，其中每个储存单元可操作以储存数据并耦接在对应的局部线对的局部线之间；以及多个隔离开关对，所述多个隔离开关对将所述多个单元矩阵耦接到所述全局线对的全局位线和全局源极线，每个单元矩阵一个隔离开关对。

Electronic equipment

An electronic device may include a semiconductor memory. The semiconductor memory may include: global line on the global epipolar line, including the global bit line and a global source; a plurality of unit matrix between the plurality of unit matrix coupled at the global bit line and the global source line, each matrix unit includes a plurality of local line and coupled to the the plurality of local line to a plurality of storage units, wherein each storage unit is operable to store data and coupled to the local line corresponding to the local line; and a plurality of isolation switch, isolating switch of the plurality of the plurality of unit matrix coupled to the overall situation of the the whole line line and the global source line, each unit of a matrix isolation switch.

【技术实现步骤摘要】
电子设备相关申请的交叉引用本申请要求2016年5月17日提交的申请号为10-2016-0060289、名称为“电子设备”的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
本专利文献涉及存储电路或存储器件以及它们在电子设备或电子系统的应用。
技术介绍
近来，随着电子装置趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能等，在本领域内已经需要能在各种电子装置(诸如计算机、便携式通信设备等)中储存信息的半导体器件，并且已经对半导体器件进行了研究。这种半导体器件包括能够利用它们根据施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电式随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。
技术实现思路
在本专利文献中公开的技术包括存储电路或存储器件以及它们在电子设备或电子系统中的应用和其通过减少泄漏电流来增加感测裕度的电子设备的各种实施例。另外，在本专利文献中公开的技术包括存储电路或存储器件以及它们在电子设备或电子系统中的应用和其通过在全局位线中降低阻容(RC)延迟值来提高读取操作速率和写入操作速率的电子设备的各种实施例。在一个实施例中，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：全局线对，所述全局线对包括全局位线和全局源极线；多个单元矩阵，所述多个单元矩阵耦接在所述全局位线和所述全局源极线之间，每个单元矩阵包括多个局部线对和耦接到所述多个局部线对的多个储存单元，其中每个储存单元可操作以储存数据并耦接在对应的局部线对的局部线之间；以及多个隔离开关对，所述多个隔离开关对将所述多个单元矩阵耦接到所述全局线对的全局位线和全局源极线，每个单元矩阵一个隔离开关对。半导体存储器可以可操作以控制所述隔离开关对到单元矩阵，使得选中的单元矩阵的所述多个局部线对浮置，同时未选中的单元矩阵的所述多个局部线对以接地电压被驱动。多个单元矩阵中的每个单元矩阵还可以包括：多个局部选择开关对，所述多个局部选择开关对耦接在所述单元矩阵的两端与所述多个局部线对之中对应的局部线对之间；以及一个或更多个放电开关对，所述放电开关对耦接到所述多个局部线对之中对应的局部线对。当所述多个单元矩阵之中对应的单元矩阵为选中的单元矩阵时，所述半导体存储器可以可操作以关断单元矩阵的一个或更多个放电开关对而使对应的局部线对浮置，以及当所述多个单元矩阵之中对应的单元矩阵是未选中的单元矩阵时，所述一个或更多个放电开关对可以被导通而以接地电压驱动对应的局部线对。每个隔离开关对可以包括将对应的单元连接到全局位线或从全局位线断开的第一隔离开关以及将对应的单元连接到全局源极线或从全局源极线断开的第二隔离开关。每个储存单元可以包括可变电阻元件，所述可变电阻元件呈现不同电阻状态以用于储存数据以及包括磁性隧道结。半导体存储器还可以包括：全局线驱动器，所述全局线驱动器耦接到全局线对，以及在读取操作或写入操作期间用预定电压驱动全局线对。电阻式储存单元的每个电阻式储存单元可以包括：选择单元；以及可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻值基于储存在电阻式储存单元中的数据来决定。可变电阻元件可以包括相变可变电阻元件。电子设备还可以包括微处理器。微处理器可以包括：控制单元，所述控制单元用于从所述微处理器的外部接收具有命令的信号、提取或解码命令，或者执行对微处理器的信号的输入/输出控制；运算单元，所述运算单元用于根据所述控制单元中的命令的解码结果来执行运算；以及存储器单元，所述存储器单元用于储存要被运算的数据、与运算结果相对应的数据或要被运算的数据的地址。所述半导体存储器可以是所述微处理器内的所述存储器单元的一部分。电子设备还可以包括处理器。处理器可以包括：核心单元，所述核心单元用于根据从所述处理器的外部输入的命令利用数据来执行与命令相对应的操作；高速缓冲存储器单元，所述高速缓冲存储器单元用于储存要被运算的数据、与运算结果相对应的数据或要被运算的数据的地址；以及总线接口，所述总线接口耦接在核心单元和高速缓冲存储器单元之间，以及在核心单元和高速缓冲存储器单元之间传送数据。半导体存储器可以是所述处理器内的所述高速缓冲存储器单元的一部分。电子设备还可以包括处理系统。处理系统可以包括：处理器，所述处理器用于解释接收到的命令，以及根据命令的解释结果来控制信息的操作；辅助存储器件，所述辅助存储器件用于储存用于解释命令的程序和信息；主存储器件，所述主存储器件用于从所述辅助存储器件导入和储存程序和信息，使得当程序被运行时所述处理器可以使用程序和信息来执行操作；以及接口设备，所述接口设备用于执行所述处理器、所述辅助存储器件和所述主存储器件中的一种或更多种与外部之间的通信。半导体存储器可以是所述处理系统内的所述辅助存储器件或所述主存储器件的一部分。电子设备还可以包括数据储存系统。数据储存系统可以包括：储存设备，所述储存设备用于储存数据以及不管电源如何而保留储存的数据；控制器，所述控制器用于根据从外部输入的命令来控制储存设备的数据输入/输出；临时储存设备，所述临时储存设备用于临时储存在储存设备和外部之间交换的数据；以及接口，所述接口用于执行储存设备、控制器和临时储存设备中的一种或更多种与外部之间的通信。半导体存储器可以是所述数据储存系统内所述储存设备或所述临时储存设备的一部分。电子设备还可以包括存储系统。存储系统可以包括：存储器，所述存储器用于储存数据以及不管电源如何而保留储存的数据；存储器控制器，所述存储器控制器用于根据从外部输入的命令来控制存储器的数据输入/输出；缓冲存储器，所述缓冲存储器用于缓冲在存储器和外部之间交换的数据；以及接口，所述接口用于执行存储器、存储器控制器和缓冲存储器中的一种或更多种与外部之间的通信。半导体存储器可以是所述存储系统内存储器或缓冲存储器的一部分。附图说明图1图示隧道阻障层介于两个磁性层之间的磁性隧道结(MTJ)。图2A和图2B是图示在可变电阻元件210中储存数据的原理的示意图。图3是图示根据一个实施例的包括可变电阻元件210的存储电路(器件)的示意图。图4是图示单元矩阵MAT1的内部结构的示意图。图5A是图示当与单元矩阵MAT1、局部线对BL1/SL1和字线WL1_1相对应的电阻式储存单元SC被选中时在读取操作期间读取电流(IR)如何流动的示意图。图5B是图示当与单元矩阵MAT1、局部线对BL1/SL1和字线WL1_1相对应的电阻式储存单元SC被选中时在写入操作期间写入电流(IW1和IW2)如何流动的示意图。图6A是图示在读取操作或写入操作期间与选中的单元矩阵MAT1相对应的开关的开/关状态的示意图。图6B是图示在读取操作或写入操作期间与未选中的单元矩阵MAT2相对应的开关的开/关状态的示意图。图7是图示用根据一个实施例的存储器件实现的微处理器的示例的配置图。图8是图示用根据一个实施例的存储器件实现的处理器的示例的配置图。图9是图示用根据一个实施例的存储器件实现的系统的示例的配置图。图10是图示用根据一个实施例的存储器件实现的数据储存系统的示例的配置图。图11是图示用根据一个实施例的存储器件实现的存储系统的示例的配置图。具体实施方式下面参照附图详细地描述公开的技术的各种示例和实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备，包括：半导体存储器，所述半导体存储器包括：全局线对，所述全局线对包括全局位线和全局源极线；多个单元矩阵，所述多个单元矩阵耦接在所述全局位线和所述全局源极线之间，每个单元矩阵包括多个局部线对和耦接到所述多个局部线对的多个储存单元，其中每个储存单元可操作以储存数据并耦接在对应的局部线对的局部线之间；以及多个隔离开关对，所述多个隔离开关对将所述多个单元矩阵耦接到所述全局线对的全局位线和全局源极线，每个单元矩阵一个隔离开关对。

【技术特征摘要】
2016.05.17 KR 10-2016-00602891.一种电子设备，包括：半导体存储器，所述半导体存储器包括：全局线对，所述全局线对包括全局位线和全局源极线；多个单元矩阵，所述多个单元矩阵耦接在所述全局位线和所述全局源极线之间，每个单元矩阵包括多个局部线对和耦接到所述多个局部线对的多个储存单元，其中每个储存单元可操作以储存数据并耦接在对应的局部线对的局部线之间；以及多个隔离开关对，所述多个隔离开关对将所述多个单元矩阵耦接到所述全局线对的全局位线和全局源极线，每个单元矩阵一个隔离开关对。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体存储器可操作以控制所述隔离开关对到单元矩阵，使得选中的单元矩阵的所述多个局部线对浮置，同时未选中的单元矩阵的所述多个局部线对以接地电压被驱动。3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述多个单元矩阵中的每个单元矩阵还包括：多个局部选择开关对，所述局部选择开关对耦接在所述单元矩阵的两端与所述多个局部线对之中对应的局部线对之间；以及一个或更多个放电开关对，所述放电开关对耦接到所述多个局部线对之中所述对应的局部线对。4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，当所述多个单元矩阵之中对应的单元矩阵为选中的单元矩阵时，所述半导体存储器可操作以关断单元矩阵的一个或更多个放电开关对而使对应的局部线对浮置，以及当所述多个单元矩阵之中对应的单元矩阵是未选中的单元矩阵时，所述一个或更多个放电开关对被导通而以接地电压驱动对应的局部线对。5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，每个隔离开关对包括第一隔离开关和第二隔离开关，所述第一隔离开关将对应的单元连接到全局位线或从全局位线断开，而第二隔离开关将对应的单元连接到全局源极线或从全局源极线断开。6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，每个储存单元包括可变电阻元件，所述可变电阻元件呈现不同电阻状态以用于储存数据以及包括磁性隧道结。7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述半导体存储器还包括：全局线驱动器，所述全局线驱动器耦接到全局线对，以及在读取操作或写入操作期间用预定电压驱动全局线对。8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述电阻式储存单元的每个电阻式储存单元包括：选择单元；以及可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻值基于储存在电阻式储存单元中的数据来决定。9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述可变电阻元件包括相变可变电阻元件。10.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，其中，所述微处理器包括：访问控制单元，所述访问控制单元适用于：从所述微处理器的外部接收具有命令的信号、提取或解码命令，或者执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宰渊，徐弘周，金世东，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR