喷嘴单元及包括其的基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种喷嘴单元及包括其的基板处理装置，喷嘴单元包括：喷嘴体，其形成有混合室；气体供给流路，其将气体沿着第一方向供给于混合室；液体供给流路，其设置有多个液体供给通道，所述多个液体供给通道将液体沿着与第一方向相交叉的第二方向供给于混合室；排出流路，其与混合室相连通，并且将在混合室混合的混合流体排出至所述喷嘴体的外部，据此可得到的有利的效果在于，提高气体和液体的混合均匀度。

Nozzle unit and substrate processing device including the nozzle unit

The utility model relates to a nozzle unit and substrate processing apparatus including the same, the nozzle unit comprises a nozzle body, the formation of a mixing chamber; the gas supply flow path, the gas supply will be along the first direction in the mixing chamber; the liquid supply passage, which is provided with a plurality of liquid supply channels, wherein a plurality of liquid the liquid supply passage along the second direction intersecting the first direction of the supply in the mixing chamber; the discharge flow channel, which is communicated with the mixing chamber, and is discharged to the outside of the nozzle body in the mixed fluid mixing chamber is mixed, which can get good effect, to improve the gas and liquid mixing evenly degree.

【技术实现步骤摘要】
喷嘴单元及包括其的基板处理装置
本技术涉及一种喷嘴单元及包括其的基板处理装置，所述喷嘴单元能够使得气体和液体的混合均匀度提高，并且能够使得喷射特性提高。
技术介绍
在制造半导体装置的工艺中包括类似于CMP工艺等使得异物残留于表面的工艺。由此，使用用于对附着于晶元的表面的粒子、有机污染物、金属杂质等进行清除并清洗的装置。此外，在制造显示器装置的工艺中也需要将液态显示元件覆盖于对粘在较薄的玻璃基板的表面的异物进行清除的干净的玻璃基板。如此，在用于制造半导体装置的晶元或用于制造显示器装置的玻璃基板等的基板(以下，将“晶元”、“玻璃基板”等称为“基板”)的处理工艺中必须伴随清洗基板的工艺。虽然清洗基板的工艺包括多种形态，但是其中被众所周知的一种是利用流体喷嘴将清洗液和高压气体进行混合并喷射至晶元表面的方式。图1是示出现有的用于清洗基板的基板处理装置1的图，图2是示出通过图1的基板处理装置的喷嘴使得混合流体涂覆于基板的表面的路径的平面图。图1所示的基板处理装置1以如下形式进行操作：使得基板W放置于外壳(casing)55内部的基板放置架10，并且在用驱动马达使得基板放置架10的旋转轴12旋转驱动10r的同时，将清洗液或冲洗液从喷嘴20喷射至基板W的表面。在此，喷嘴20也可构成为用高压来喷射清洗液，但是如图3所示，为了提升清洗效率，可构成为混合喷嘴，所述混合喷嘴包括第一部件21和第二部件22，并且通过气体通道21p来供给的高压气体91和通过纯水通道22p来供给的纯水92在混合区域Mx得到混合，并且混合流体93通过混合通道23p被排放，所述第一部件21设置有供给高压气体(AIR)91的气体通道21p，所述第二部件22设置有供给纯水(Deionizedwater、DI)92的纯水通道22p。并且，喷嘴20在相对于基板W向半径方向成分进行往复移动20d的同时，将混合流体93喷射至在基板W规定的路径10s，从而使得混合流体93到达基板W的整个表面。如上所述，将混合有高压的气体91和纯水92的混合流体93喷射至基板W的表面，据此可更加提高对基板W的清洗效率。但是，如图3所示，现有的用于基板处理装置1的喷嘴20虽然使得高压气体91和纯水22混合，但是没有在混合区域Mx得到充分混合，从而存在的问题在于，到达基板W的混合流体93的均质性(混合均匀度)较低。尤其，在现有技术中难以在混合区域Mx使得高压气体91和纯水22均匀地混合，从而到达基板的混合流体93以形成独立分离的层(气体层、纯水层)的形态被喷射，由此存在的问题在于，清洗及冲洗效率降低。由此，最近用于提高异种流体(例如，气体及液体)的混合均匀度的多种研究正在进行，但是仍存在不足，因此需要对此的开发。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种喷嘴单元及包括其的基板处理装置，所述喷嘴单元能够使得异种流体的混合均匀度提高，并且能够使得喷射特性提高。尤其，本技术的目的在于能够以漩涡的形态均匀地对气体和液体进行混合并喷射。此外，本技术的目的在于使得与气体相混合的液体沿着喷嘴单元的内部壁面往下流的情况最少化，并且能够将所述液体分布于气体上。此外，本技术的目的在于能够使得混合流体以均匀的喷射粒子尺寸进行喷射。此外，本技术的目的在于能够提高稳定性及可靠性。此外，目的在于能够提高对基板的清洗及冲洗效率。根据用于实现所述的本技术的目的的本技术的优选实施例，喷嘴单元包括：喷嘴体(nozzlebody)，其形成有混合室；气体供给流路，其将气体沿着第一方向供给于混合室；液体供给流路，其设置有多个液体供给通道，所述多个液体供给通道将液体沿着与第一方向相交叉的第二方向供给于混合室；排出流路，其与混合室相连通，并且将在混合室混合的混合流体排出至喷嘴体的外部。其目的在于将相互不同的异种流体(气体和液体)以均匀混合的状态进行喷射。尤其，本技术中，在多个位置将液体沿着与气体供给于混合室的第一方向相交叉的第二方向供给至混合室，据此可得到的有利的效果在于，使得在混合室内的气体和液体间的混合均匀度提高。换句话说，在现有技术中，液体局部地供给于混合室(仅供给于气体流动的周围的特定一个区域)，从而存在的问题在于，在混合室内气体和液体以没有充分混合的状态集中于特定区域。但是，在本技术中，在混合室内液体通过多个液体供给通道以放射状的形式均匀地供给于沿着竖直方向供给的气体流动的周围，据此可得到的有利的效果在于，可使得在混合室内气体和液体以没有被混合的状态集中于特定区域的现象最少化，并且在混合室内更加均匀地混合气体和流体。优选地，多个液体供给通道沿着混合室的圆周方向隔开地配置。此外，包括液体供给室，所述液体供给室与多个液体供给通道相连通，液体经过液体供给室供给至多个液体供给通道。此时，在喷嘴体的壁面形成有与液体供给流路相连通的液体供给孔，并且供给至液体供给孔的液体首先填充至液体供给室之后，通过多个液体供给通道供给于混合室的内部。如上所述，液体经过液体供给室之后，通过多个液体供给通道供给至混合室的内部，据此可得到的有利的效果在于，均匀地保持从多个液体供给通道供给的液体的供给压力及供给量，从而在混合室的内部更加均匀地对气体和液体进行混合。优选地，在喷嘴体的内部形成有嵌件容纳部，喷嘴嵌件(nozzleinsert)容纳于嵌件容纳部，在喷嘴嵌件形成有混合室、气体供给流路和液体供给流路。如上所述，以容纳于喷嘴体的内部的喷嘴嵌件为媒介形成混合室、气体供给流路和液体供给流路，据此可得到的有利的效果在于，可易于加工喷嘴单元，并且使得施加至喷嘴的压力分散。根据不同的情况，也可将混合室、气体供给流路、液体供给流路直接形成于喷嘴体本身。例如，喷嘴嵌件包括：第一嵌件部件，其形成有气体供给流路；第二嵌件部件，其配置于第一嵌件部件的下部，在内部形成有混合室，在壁面形成有液体供给流路。优选地，在第一嵌件部件的下部凸出地形成有配置于混合室的内部的延长嵌件部，并且气体通过延长嵌件部供给至混合室的内部。更为优选地，在延长嵌件部的下端部外面形成有倾斜引导面，沿着液体供给流路被供给的液体沿着倾斜引导面引导至混合室。如上所述，在混合室的大致中间高度通过凸出地配置于混合室的内部的延长嵌件部来供给气体，并且沿着液体供给流路被供给的液体沿着倾斜引导面朝向向下倾斜的方向引导至混合室的内部，据此可得到的有利的效果在于，在防止混合流体的回流现象以及流速降低的同时，在混合室内更加提高气体和液体间的混合均匀度。排出流路可形成为能够对在混合室混合的混合流体进行排出的多种结构。优选地，排出流路包括：第一排出通道，其连通于混合室；第二排出通道，其形成为连通于第一排出通道并具有比第一排出通道更加扩张的截面积。如上所述，在混合室混合的混合流体(气体+液体)在通过第一排出通道之后，通过具有比第一排出通道更加扩张的截面积(例如，直径)的第二排出通道得到排出，据此可得到的有利的效果在于，均匀地诱导从喷嘴单元喷射的混合流体的喷射粒子尺寸(dropsize)。更为优选地，第一排出通道形成为具有比混合室更加缩小的截面积，第二排出通道形成为具有比混合室更加缩小的截面积。由此，在混合室混合的混合流体在经过具有比混合室更加缩小的截面积的第一排出通道之后，通过比第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷嘴单元，其特征在于，包括：喷嘴体，其形成有混合室；气体供给流路，其将气体沿着第一方向供给于所述混合室；液体供给流路，其设置有多个液体供给通道，所述多个液体供给通道将液体沿着与所述第一方向相交叉的第二方向供给于所述混合室；排出流路，其与所述混合室相连通，并且将在所述混合室混合的混合流体排出至所述喷嘴体的外部。

【技术特征摘要】
2017.01.11 KR 10-2017-00039881.一种喷嘴单元，其特征在于，包括：喷嘴体，其形成有混合室；气体供给流路，其将气体沿着第一方向供给于所述混合室；液体供给流路，其设置有多个液体供给通道，所述多个液体供给通道将液体沿着与所述第一方向相交叉的第二方向供给于所述混合室；排出流路，其与所述混合室相连通，并且将在所述混合室混合的混合流体排出至所述喷嘴体的外部。2.根据权利要求1所述的喷嘴单元，其特征在于，所述多个液体供给通道沿着所述混合室的圆周方向隔开地配置。3.根据权利要求1所述的喷嘴单元，其特征在于，还包括液体供给室，所述液体供给室与所述多个液体供给通道相连通，所述液体经过所述液体供给室供给至所述多个液体供给通道。4.根据权利要求1所述的喷嘴单元，其特征在于，在所述喷嘴体的内部形成有嵌件容纳部，喷嘴嵌件容纳于所述嵌件容纳部，在所述喷嘴嵌件形成有所述混合室、所述气体供给流路和所述液体供给流路。5.根据权利要求4所述的喷嘴单元，其特征在于，所述喷嘴嵌件包括：第一嵌件部件，其形成有所述气体供给流路；第二嵌件部件，其配置于所述第一嵌件部件的下部，在内部形成有所述混合室，在壁面形成有所述液体供给流路。6.根据权利要求5所述的喷嘴单元，其特征在于，包括延长嵌件部，所述延长嵌件部凸出于所述第一嵌件部件的下部，并且配置于所述混合室的内部，所述气体通过所述延长嵌件部供给至所述混合室的内部。7.根据权利要求6所述的喷嘴单元，其特征在于，在所述延长嵌件部的下端部外面形成有倾斜引导面，沿着所述液体供给流路被供给的所述液体沿着所述倾斜引导面引导至所述混合室。8.根据权利要求4所述的喷嘴单元，其特征在于，在所述喷嘴体的壁面形成有与所述液体供给流路相连通的液体供给孔。9.根据权利要求1至8中任意一项所述的喷嘴单元，其特征在于，所述排出流路包括：第一排出通道，其连通于所述混合室；第二排出通道，其形成为连通于所述第一排出通道并具有比所述第一排出通道更加扩张的截面积。10.根据权利要求9所述的喷嘴单元，其特征在于，所述第一排出通道形成为具有比所述混合室更加缩小的截面积。11.根据权利要求9所述的喷嘴单元，其特征在于，所述第二排出通道形成为具有比所述混合室更加缩小的截面积。12.根据权利要求1至8中任意一项所述的喷嘴单元，其特征在于，还包括混合诱导部，所述混合诱导部在所述混合室内对所述液体和所述气体的混合进行强制地诱导。13.根据权利要求12所述的喷嘴单元，其特征在于，所述混合诱导部在所述混合室内强制地形成由所述液体和所述气体中至少任意一个而产生的涡流。14.根据权利要求13所述的喷嘴单元，其特征在于，所述混合诱导部包括凸出部和凹陷部中至少任意一个，所述凸出部形成于所述混合室的内壁面，所述凹陷部形成于所述混合室的内壁面。15.根据权利要求13所述的喷嘴单元，其特征在于，所述凸出部和所述凹陷部以沿着所述混合室的圆周方向连续地形成波形的形式反复地形成。16.根据权利要求1至8中任意一项所述的喷嘴...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹勤植，
申请(专利权)人：KC科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR