The invention provides a wafer and device, residue cleaning method comprises: a machine table is provided with a shifting interval; a Longmen rail station will separate out a first area and a second area; a detection mechanism is arranged on the Longmen rail side; a fetching mechanism is arranged on the machine, the first work area, including spacing two holder apart; a carrier, can be driven by displacement in second the first work area, interval, and pick up mechanism for reception will be applied to the workpiece or the workpiece delivery fetching mechanism; a cleaning mechanism is arranged on the Longmen rail, the other side is provided with a pressure. Is the seat frame and a wiping material component; the pressing block is provided with a first pressing component, the component provides a wipes wipes around by it; the first pressing component can be driven by the pressing of wipes on the platform to be applied to the workpiece cleaning residue Clean.
【技术实现步骤摘要】
晶圆残胶清洁方法及装置
本专利技术是有关于一种清洁方法及装置,尤指一种用以将晶圆上残胶予以清除的晶圆残胶清洁方法及装置。
技术介绍
按,一般晶圆加工制程中常使用粘胶进行喷涂或沾点在管芯或其周缘上,这些粘胶通常在完成制程后会留在管芯上,有些则必须作清除否则会影响下一制程的进行,而无论以任何溶剂进行清洁,粘胶都很难完全被清除;先前技术在进行清洁时,皆会采取对整片晶圆作擦拭的操作,以使整片晶圆的表面的残胶被清除。
技术实现思路
先前技术中对整片晶圆作擦拭的操作仅能适用于晶圆表面具有大片残胶的状况,且仅适用于2D的晶圆;由于现今晶圆制程已发展至3D的制程,往往在晶圆已完成切割出管芯后,仍必须作管芯间的涂胶,因此许多时后残胶的发生不会是一大片,而是仅会残留在某些个别管芯,则作整片晶圆的清洁难以针对个别管芯作有效清洁。爰是,本专利技术的目的,在于提供一种可针对个别管芯进行残胶清洁的晶圆残胶清洁方法。本专利技术的另一目的,在于提供一种可针对个别管芯进行残胶清洁的晶圆残胶清洁装置。本专利技术的又一目的,在于提供一种使用所述晶圆残胶清洁方法的装置。依据本专利技术目的的晶圆残胶清洁方法,包括:在一机台上执行:一残胶检查步骤,使待施作工件的晶圆在一载台上受一检测机构逐一对晶圆上各管芯检视其残胶状况;一管芯擦拭步骤,使一擦拭机构以拭材对被检出有残胶的单独个别管芯逐一进行擦拭。依据本专利技术另一目的的晶圆残胶清洁装置,包括:一机台,具有一机台台面,机台台面上设有一移载区间;一龙门轨架,将机台分隔出一第一工作区,以及一第二工作区;一检测机构,设于朝第一工作区的该龙门轨架一侧, ...
【技术保护点】
一种晶圆残胶清洁方法,包括:在一机台上执行:一残胶检查步骤,使待施作工件的晶圆在一载台上受一检测机构逐一对晶圆上各管芯检视其残胶状况;一管芯擦拭步骤,使一擦拭机构以拭材对被检出有残胶的单独个别管芯逐一进行擦拭。
【技术特征摘要】
2016.05.11 TW 1051145221.一种晶圆残胶清洁方法,包括:在一机台上执行:一残胶检查步骤,使待施作工件的晶圆在一载台上受一检测机构逐一对晶圆上各管芯检视其残胶状况;一管芯擦拭步骤,使一擦拭机构以拭材对被检出有残胶的单独个别管芯逐一进行擦拭。2.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被一载台承接,并在该载台的一载盘上受到负压吸附而定位于载盘上。3.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被载台上加热元件加热而使残胶受温热执行一由下对整片待施作工件的热解程序。4.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被一擦拭机构由具有热源的第一压抵组件执行一由上对下针对单独管芯的热解程序。5.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被擦拭机构的一第一压抵组件以一移擦头压贴拭材抵于待施作工件上管芯时,移擦头下压的施力受到一荷重量测元件的量测。6.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件完成管芯擦拭步骤后,执行一以线激光测高器所投射线性激光光束对管芯进行检查清洁是否已达预期程度的清洁检查步骤。7.如权利要求1所述晶圆残胶清洁方法,其特征在于,该待施作工件被擦拭机构的一第一压抵组件以一移擦头压贴拭材抵于待施作工件上管芯时,下压的压力受弹性元件作用而具有缓冲。8.一种晶圆残胶清洁装置,包...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑伟呈,许耀廷,薛全萌,
申请(专利权)人:万润科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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