The utility model discloses a laser edge device, comprises a fixed platform, lifting and placing at least a silicon wafer under the plate and is arranged on the fixed platform outside the laser generator, laser generator can be fixed along the circumference of mobile platform outside, under the plate is just above the column and vertically arranged on the fixed platform. The laser generator is in place and the launch of the first mobile side on a silicon wafer, and the lower platen under pressure so as to transmit silicon, PN junction laser emission around the silicon removal. The utility model relates to a laser emitting head alignment generator side circumference of silicon wafer, the laser can effectively remove the surrounding silicon PN junction, the front and back of the N type N type silicon silicon battery disconnect, prevent short circuit, photoelectric conversion efficiency and does not affect the battery, but also can ensure the battery positive edge etching with good appearance; the process of the utility model is especially suitable for high performance double N type amorphous silicon solar cell, the process can be greatly simplified double N type battery.
【技术实现步骤摘要】
一种激光刻边设备
本技术涉及一种激光刻边设备。
技术介绍
在光伏太阳能行业,太阳能电池的制造需要经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷和烧结这六大工序。其中,制绒和刻蚀属于化学刻蚀工艺。制绒的目的是在硅片的正面形成有利于太阳光吸收的绒面;刻蚀的目的是去掉硅片四周的PN结,避免太阳能电池的正面和背面发生短路,但却不能刻蚀硅片正面的PN结。目前,业界主要采用水平链式湿法刻蚀设备对硅片进行刻蚀,该设备的工作原理是将硅片放置在刻蚀酸槽的旋转滚轮上,控制刻蚀酸液的液位,使药液只浸润硅片的侧面和背面,滚轮带动硅片通过刻蚀酸槽,完成硅片周边PN结和背面PN结的刻蚀,防止电池短路。但是,水平链式湿法刻蚀设备在湿法刻蚀过程中存在着以下缺陷:⑴在湿法刻蚀过程中,不能完全避免酸液浸润到硅片的正面边缘,因此,仍然会存在影响电池的光电转换效率的问题,同时也会带来电池片正面边缘外观不良的问题。⑵湿法刻蚀包括强酸刻蚀、碱洗、DI水洗、风干等多个处理步骤,需要药液的供应和排放、安全和环保设施,设备庞大复杂,设备和工艺成本高昂。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构简单、成本低廉、不会影响电池的光电转换效率且能够保证电池片正面边缘外观良好的激光刻边设备。本技术的目的通过以下的技术措施来实现:一种激光刻边设备,其特征在于:它包括用于放置至少一片硅片的固定平台、可升降的下压板和在固定平台外围设置的激光发生器,所述激光发生器可沿固定平台外围的圆周移动,所述下压板为柱状体并竖向设于固定平台的正上方,所述激光发生器移动到位且其发射头对准硅片的侧面,同时下压板下压硅片,以便发射头发射的激光去除硅片周边的P ...
【技术保护点】
一种激光刻边设备,其特征在于:它包括用于放置至少一片硅片的固定平台、可升降的下压板和在固定平台外围设置的激光发生器,所述激光发生器可沿固定平台外围的圆周移动,所述下压板为柱状体并竖向设于固定平台的正上方,所述激光发生器移动到位且其发射头对准硅片的侧面,同时下压板下压硅片,以便发射头发射的激光去除硅片周边的PN结。
【技术特征摘要】
1.一种激光刻边设备,其特征在于:它包括用于放置至少一片硅片的固定平台、可升降的下压板和在固定平台外围设置的激光发生器,所述激光发生器可沿固定平台外围的圆周移动,所述下压板为柱状体并竖向设于固定平台的正上方,所述激光发生器移动到位且其发射头对准硅片的侧面,同时下压板下压硅片,以便发射头发射的激光去除硅片周边的PN结。2.根据权利要求1所述的激光刻边设备,其特征在于:固定平台的台面内部中空,在台面的上表面设有用于吸附固定硅片的真空吸附孔,所述真空吸附孔与台面内部相通并和抽真空装置连接。3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:何达能,方结彬,陈刚,
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司,广东爱康太阳能科技有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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