The utility model discloses a super junction structure of MOSFET, which includes N type heavily doped substrate and N type lightly doped epitaxial layer; and the N - doped epitaxial layer including cellular area and terminal area; at least one transistor cell formation in cellular area, the transistor unit includes formed in N - doped in the epitaxial layer of a cellular P column, the top cell zone of P columns are connected with the P type and N type body body region; N type lightly doped epitaxial layer formed on the surface of a grid, grid component is in the cellular P region between the column; and the gate assembly includes a polysilicon gate formed in the and forming a gate oxide layer N - doped epitaxial layer on the surface of the gate oxide layer; at least one terminal area P column formed in the terminal area, a terminal area oxide insulating layer is formed on the top of the terminal area P column. In the utility model, the symmetry than traditional injection to mask with high symmetry, so as to improve the P cellular P column thickness, improve the degree of pressure device.
【技术实现步骤摘要】
超结MOSFET结构
本技术公开了一种场效晶体管,本技术尤其是一种超结MOSFET结构。
技术介绍
VDMOSFET(高压功率MOSFET)可以通过减薄漏端漂移区的厚度来减小导通电阻,然而,减薄漏端漂移区的厚度就会降低器件的击穿电压,因此在VDMOSFET中,提高器件的击穿电压和减小器件的导通电阻是一对矛盾,超结MOSFET采用新的耐压层结构,利用一系列的交替排列的P型和N型半导体薄层,在较低反向电压下将P型N型区耗尽,实现电荷相互补偿,从而使N型区在高掺杂浓度下实现高的击穿电压,从而同时获得低导通电阻和高击穿电压,打破传统功率MOSFET导通电阻的理论极限。超结MOSFET具有导通损耗低,栅极电荷低,开关速度快,器件发热小,能效高的优点,产品可广泛用于个人电脑、笔记本电脑、上网本或手机、照明(高压气体放电灯)产品以及电视机(液晶或等离子电视机)和游戏机等高端消费电子产品的电源或适配器。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种对称性高、可提高耐压程度的超结MOSFET结构。按照本技术提供的技术方案,所述超结MOSFET结构,它包括N型重掺杂衬底及形成于N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂外延层;且N型轻掺杂外延层包括元胞区及包围元胞区的终端区;在元胞区中形成有至少一个晶体管单元,晶体管单元包括形成于N型轻掺杂外延层中的一对元胞区P柱,元胞区P柱的顶端均连接有P型体区和N型体区,P型体区和N型体区均位于N型轻掺杂外延层内;N型轻掺杂外延层表面形成有栅极组件,栅极组件位于一对元胞区P柱之间;且栅极组件包括形成于N型轻掺杂外延层表面的栅氧化层及形成于 ...
【技术保护点】
超结MOSFET结构,其特征是:它包括N型重掺杂衬底(201)及形成于N型重掺杂衬底(201)上的N型轻掺杂外延层(202);且N型轻掺杂外延层(202)包括元胞区及包围元胞区的终端区;在元胞区中形成有至少一个晶体管单元,晶体管单元包括形成于N型轻掺杂外延层(202)中的一对元胞区P柱(203),元胞区P柱(203)的顶端均连接有P型体区(204)和N型体区(208),P型体区(204)和N型体区(208)均位于N型轻掺杂外延层(202)内;N型轻掺杂外延层(202)表面形成有栅极组件,栅极组件位于一对元胞区P柱(203)之间;且栅极组件包括形成于N型轻掺杂外延层(202)表面的栅氧化层(205)及形成于栅氧化层(205)内的多晶硅栅极(206);在终端区中形成有至少一个终端区P柱(207),在终端区P柱(207)的顶端形成有终端区氧化绝缘层(209)。
【技术特征摘要】
1.超结MOSFET结构,其特征是:它包括N型重掺杂衬底(201)及形成于N型重掺杂衬底(201)上的N型轻掺杂外延层(202);且N型轻掺杂外延层(202)包括元胞区及包围元胞区的终端区;在元胞区中形成有至少一个晶体管单元,晶体管单元包括形成于N型轻掺杂外延层(202)中的一对元胞区P柱(203),元胞区P柱(203)的顶端均连接有P型体区(204)和N型体区(208),P型体区(204)和N型体区(208)均位于N型轻掺杂外延层(20...
【专利技术属性】
技术研发人员:白玉明,徐承福,张海涛,
申请(专利权)人:无锡同方微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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