粘接带制造技术

一种基质材料的层，具有薄膜层和薄膜层上的阻挡层，以及粘结带也具有基质材料和阻挡层上的粘结层。因此，它们在其表面上没有任何鱼眼或异物，使厚度精度得到改良，而且用粘结层待粘结的材料的污染也得到改良。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种基质材料，特别涉及用于粘接带的基质材料，该粘接带用于诸如透镜的光学构件或诸如硅晶片的半导体构件等的精密机械加工。本专利技术还涉及含有这种基质材料的粘接带。迄今为止，光学、半导体等工业领域一直使用粘接带，用来制造需要精密机械加工的构件。用于半导体晶片表面保护的粘接带一般以这种工艺来制造，该工艺步骤包括熔化热塑树脂；使用T型模头流延熔融热塑树脂，吹塑挤出，压延等形成成膜的基质材料作为基片；和在基片的至少一个表面上涂覆一种粘接剂。如此得到的粘接带在研磨晶片背面和将晶片切割并分离成小片期间一般用来就地固定晶片半导体。我们首先说明在正面已形成预定图案的晶片背面研磨工艺中所使用的粘接带实例(亦即背面研磨步骤)。研磨晶片背面时，流动的净水不断淋洗晶片背面以便去除分散的或破碎的残渣(亦即碎片)并减少研磨产生的热量。在这种情况下，则将粘接带涂覆在晶片正面以防止研磨其上形成的图案。进行半导体晶片切割并分离成小片的步骤时，粘接带涂覆在晶片背面，使已粘附粘接带的晶片依次进行切割、清洗、干燥、膨胀、粘接电极头、安装的各个步骤。这些步骤要求粘接带具有如下性能，例如在完成背面研磨或切割并分离步骤之后除掉粘接带时，晶片或芯片上不残留任何粘接剂。为了解决这个问题，一些专利文件公开了一些改良方法，包括JP-A-62-153376(1987)和JP-A-5-77284(1993)。JP-A-62-153376(1987)公开一种粘接片，包括一种粘接剂，它含有作为辐照引发聚合的化合物的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(m.w.300010000)，和一种涂覆粘接剂的基片。因此，在切割半导体晶片后粘接电极头步骤中通过紫外线等的辐照作用可有效降低粘接片的粘接强度。所以，粘接剂并不残留在晶片芯片的背面。另一方面，JP-A-5-77284公开一种粘接带，包括一种涂覆在基片上作为粘接层的水溶胀型粘接剂。在这种情况下，研磨步骤后通过流动的水能够将附着在晶片表面的粘接剂去除。上述每种粘接带所用的基质材料都是薄膜型材料，其制备如下熔化诸如氯乙烯或聚丙烯的热塑树脂，并采用T型模头将熔融的热塑树脂流延，吹塑挤出，压延等等。大多数情况下，根据晶片的可加工性和防护要求，所用的基质材料厚度为50μm或更多。但是在基质材料形成薄膜的工艺期间，由于不合要求的异物混入基质材料或树脂等成分内而存在不溶成分，在基质材料表面上稀疏地形成凸起。这些凸起的形状象鱼的眼睛，高度大约10-50μm(下文记作“鱼眼”)。因此，在研磨晶片背面时，鱼眼就起散布损坏硅晶片中心的作用。还有，在这种情况下，另一个问题是切割分离晶片时，鱼眼起着崩飞晶片中心的作用。如果基质材料的厚度在50μm以下可控制产生鱼眼。然而这么薄的膜片起不到保护晶片的作用，并且导致降低可加工性。为了克服这些缺点，JP-A-9-253964(1997)公开一种用于粘结带的基质材料。这种基质材料是压延一种辐照固化的液态树脂，该树脂包括聚氨酯丙烯酸酯低聚物和反应性稀释单体混和物，随后用射线辐照固化树脂的工序制得。然而，直接将粘结层涂覆在基质材料薄膜层上形成粘结带的缺点之一是，当粘结带从被粘物去除时，残留在被粘物上残余粘结剂(所谓的“微粒”会污染被粘物(例如半导体晶片)。本专利技术人及其同事认为，微粒(亦即被粘物上前述粘结剂的残余粘结剂)的成因是不接收成分从薄膜层流失到粘结层。不接收成分具有小分子量，并且包含在形成基质材料薄膜层的辐照固化树脂内。最后，他们发现解决上述问题有赖于使用在薄膜层上形成阻挡层的基质材料。这种阻挡层可防止从薄膜层到粘结层的流失。因此，本专利技术的一个目的是提供一种可得到粘结带的基质材料，该粘结带具有改良上述粘结剂污染被粘物的优异特性并提供厚度精度，其中没有鱼眼且不包含杂异物。本专利技术另一个目的是提供一种包括基质材料的粘结带。本专利技术第一方面，提供一种基质材料，包括一种薄膜层，它是通过射线辐照固化一种聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物和反应性稀释单体的混和物而得到；和一种阻挡层，在薄膜层的至少一个表面上形成。其中反应性稀释单体可以是有环状结构的单体。有环状结构的单体选自脂环化合物，芳环化合物和杂环化合物。阻挡层的厚度为0.1-40μm。本专利技术第二方面，提供一种粘结带，包括具有薄膜层的一种基质材料，该薄膜层是通过射线辐照一种聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物和反应性稀释单体的混和物而得到，和在薄膜层的至少一个表面上形成的一种阻挡层，和一种粘结层，在阻挡层的至少一个表面上形成。其中反应性稀释单体可以是有环状结构的单体。有环状结构的单体选自脂环化合物，芳环化合物和杂环化合物。阻挡层的厚度为0.1-40μm。通过在基质材料上形成阻挡层并使阻挡层有预定厚度，本专利技术就使粘结带具有改良微粒污染被粘物的优异特性，所述微粒是被粘物上的残留粘结剂，并且提供精确厚度的粘结带，其中没有鱼眼且不含异物。这种粘结带在半导体领域对各种材料作表面保护带时特别有用，例如尤其是在研磨半导体硅片背面步骤。另外，使用有环状结构的单体作反应性稀释单体可得到具有断裂伸长为10％或更多的优选基质材料。参照附图结合下文实施方案详述将使本专利技术上述和其他目的、作用、特点和优点更加明了。附图说明图1是本专利技术实施方案之一基质材料截面图；和图2是本专利技术实施方案之一粘结带的截面图。现参看图1，详述本专利技术优选实施方案之一的基质材料。如图所示，基质材料3的一种层(下文记作基质层)包括薄膜层1和在薄膜层1上层合的阻挡层2。所提供的薄膜层1是JP-A-9-253964(1997)公开的一种辐照固化树脂制造的薄膜。该树脂的组成主要是聚氨酯丙烯酸酯低聚物和一种反应性稀释单体，所以能够通过诸如紫外线辐射或电子辐射固化而形成薄膜。上述组成中使用的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物还可以是酯-二醇作其主要骨架的双官能聚氨酯(甲基)丙烯酸酯，其分子量优选500-50000，更优选1000-30000。在这种情况下，它既可是聚酯-多醇型又可是聚醚-多醇型。根据本专利技术，聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物可单独使用，或必要时与一种或多种不同类型的低聚物以其混和物结合使用。上述组成中反应性稀释单体优选是单官能稀释单体，或者更优选有环状结构的单体。它可选自脂环化合物，包括(甲基)丙烯酸异冰片酯，(甲基)丙烯酸二环戊烯酯，(甲基)丙烯酸二环戊酯，(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧乙酯，(甲基)丙烯酸环己酯，和(甲基)丙烯酸金刚烷酯；芳环化合物，包括丙烯酸苄基酯；和杂环化合物包括(甲基)丙烯酸四氢呋喃酯，丙烯酸吗啉酯，N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基己内酰胺。作为选择，可选地使用多官能(甲基)丙烯酸酯。上述组成中，聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物和反应性稀释单体之间的混和比例基于重量百分比是95-5∶5-95，优选50-70∶50-30。除上述成分外，薄膜层1可进一步包括一种或多种合乎要求的添加剂，例如光引发剂诸如苯偶姻化合物，苯乙酮化合物，酰基氧化膦化合物，二茂钛(titanocene)化合物，噻吨酮化合物，和过氧化物；光敏剂诸如胺或醌；和着色剂如染料或颜料。形成薄膜层1的组成中一个优选实例包括100重量份的聚氨酯(甲基)丙烯酸酯低聚物和反应性稀释单体的混和物；和0.1-10或优选1-5重量份的光引发剂。通过常规方法将上述组成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基质材料，包括：一种薄膜层，它是通过射线辐照固化一种聚氨酯（甲基）丙烯酸酯低聚物和反应性稀释单体的混和物而得到；和一种阻挡层，在所述薄膜层的至少一个表面上形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：永元公市，近藤健，高桥和弘，田口克久，江部和义，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]