剥离膜以及使用剥离膜的粘合膜制造技术

技术编号:1655895 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的在于,得到用于制造可靠性高的电气装置的粘合膜。由于本发明专利技术的剥离膜11的脱模剂层15是以氟化合物为主要成分且不含有硅油,所以基材12与脱模剂层15的粘合力高,并且可得到将剥离膜11从粘合剂层18剥离下来时不粘合有脱模剂层15的可靠性高的电气装置1。由于基材12的表面粗糙度在3μm以下,所以粘合剂层18的剥离剥离膜11一侧的面的凹凸小,与半导体芯片31压合时粘合剂层18与半导体芯片31之间不产生气泡。此外,基材12的表面粗糙度在1μm以上时,粘合膜10的分切性变高。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在粘合膜中使用的剥离膜,特别是涉及在各向异性导电性粘合膜中使用的剥离膜。
技术介绍
以往,将半导体芯片接在基片上时普遍采用粘合膜。图5(a)的符号110表示现有技术的粘合膜。粘合膜110具有剥离膜111和在剥离膜111的表面贴紧配置的粘合剂层118。剥离膜111具有基材112和在基材112表面上形成的脱模剂层115,脱模剂层115配置在剥离膜111的紧贴粘合剂层118的面上。图5(a)的符号102表示基片。基片102具有基膜103和在基膜103表面上配置的金属配线104。连接该基片102与后述的半导体芯片时,首先,将粘合膜110的配置粘合剂层118一侧的面与基片102的配置金属配线104一侧的面压在一起(图5(b))。通常,脱模剂层115是由硅油构成,硅油(脱模剂层)与粘合剂层118之间的粘合力要比硅油与基材112之间的粘合力小,且比粘合剂层118和基片102之间的粘合力小,因此在图5(b)所示的状态,将剥离膜111剥离时,剥离膜111从粘合剂层118剥离,在基片102上残留粘合剂层118(图5(c))。图5(d)的符号105表示半导体芯片。半导体芯片105具有芯片本体106和在芯片本体106的一面上形成的凸起状连接端子107。使半导体芯片105的形成连接端子107一侧的面与基片102的配置金属配线104一侧的面相对,在对准位置后,把半导体芯片105压在基片102的粘合剂层118上,在此状态下一边挤压半导体芯片105一边进行加热,则可使半导体芯片105的连接端子107对接在基片102的金属配线104表面。由于粘合剂层118通过加热可呈现粘合性,因此也可在半导体芯片105与基片102之间产生机械连接,并最终得到图5(e)所示的电气装置101。由此,使用具有脱模剂层115的剥离膜111构成粘合膜110的话,则易于从粘合剂层118上剥离剥离膜111,并可进行基片102与半导体芯片105的连接。不过,由于由硅油构成的脱模剂对基材112的粘合性差,因此在制造粘合膜110的工艺中,脱模剂层115有可能部分脱落,并且从粘合剂层118剥离剥离膜111时,脱模剂层115的一部分有可能粘附在粘合剂层118上。如果脱模剂层115从剥离膜111上脱落,在脱落的部分,粘合剂层118与基材112直接接触,并且由于这部分对粘合剂层118的粘合力高,使得难以从剥离膜111上剥离粘合剂层118。在粘合剂层118表面残留有粘附的脱模剂层115时,粘合剂层118与半导体芯片105的粘合力降低,所得到的电气装置101的可靠性变差。另外,如特开平5-154857中记载的那样,已知有不形成脱模剂层,而是使用氟树脂膜那样的具有脱模性的基材作为剥离膜的方法。不过,氟树脂膜通常是用拉伸法制造的,在制造工艺中由于发生膜的拉伸,所以膜的厚度容易不均衡,得到的膜的宽度精度和形成粘合膜时的膜厚精度降低。在基材表面不设置脱模剂而直接设置粘合剂层时,粘合剂层与基材(剥离膜)之间的粘合力受到基材表面的表面粗糙度的制约。因此,基材表面的表面粗糙度不均衡时,粘合剂层与基材之间的粘合力也发生起伏。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述现有技术的不足而提出的,其目的在于,得到粘合剂层的剥离性优异,以及可用于制造可靠性高的电气装置的粘合膜。为了解决上述课题,本专利技术提供一种具有基材和在基材表面形成的脱模剂层的剥离膜,其中,上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在3μm以下,上述脱模剂层以氟化合物为主要成分。本专利技术是剥离膜,其中,上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在1μm以上3μm以下。本专利技术是剥离膜,其中,上述脱模剂层是将上述氟化合物为主要成分的脱模剂按每平方米上述基材表面0.01g以上5g以下涂布而成的。本专利技术是剥离膜,其中,上述脱模剂层对水的接触角为100°以上140°以下,上述脱模剂层对硅油的接触角超过30°且在50°以下。本专利技术是剥离膜,其中,上述氟化合物中至少具有一种选自C6H4(CF3)2、C8F16O和C8H18的化合物。本专利技术是剥离膜,其中,上述基材的膜厚度为12.5μm以上100μm以下。本专利技术是剥离膜,其中,上述基材具有成型为膜状的聚酯树脂和分散在上述聚酯树脂中的填充料。本专利技术是具有剥离膜、粘合剂层的粘合膜,其中,上述剥离膜具有基材和在基材表面上形成的脱模剂层,上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在3μm以下,上述脱模剂层以氟化合物为主要成分,上述粘合剂层是在上述脱模剂层表面上形成的。本专利技术是粘合膜,其中,上述粘合剂层含有热固性树脂。本专利技术是粘合膜,其中,上述热固性树脂以环氧树脂为主要成分。本专利技术中所用的表面粗糙度指用激光显微镜型干涉计(例如Lasertec公司制的“Laser Microscope ILM21”)测定由对象物(基材)表面的焦点契合方向得到的Z方向的高度时,得到的中心线的平均粗糙度。本专利技术的构成如上所述,本专利技术剥离膜的基材表面的粗糙度在3μm以下。在上述的基材表面上形成脱模剂层,并在该脱模剂层的表面上形成粘合剂层时,粘合剂层的与脱模剂层贴紧的面,其表面粗糙度在2μm以下。粘合剂层的表面粗糙度在2μm以下时,将粘合剂层的从剥离膜剥离的面贴在贴附对象物的话,贴附对象物与粘合剂层之间没有多余空气进入,粘合剂层与贴附对象物之间不产生气泡。基材表面的粗糙度在1μm以上时,剥离膜表面的凹凸使得剥离膜和粘合剂层之间产生适度的摩擦力,进而切断粘合膜时粘合剂层不会从剥离膜剥离。作为使基材表面形成凹凸(粗糙化)的方法,例如在基材中含有填充料的方法,以及通过电晕放电和研磨等使基材表面粗糙化的方法等。在基材中含有填充料时,通过调整所含填充料的粒径(平均粒径)和含量,就可以调整基材表面的粗糙度。实施专利技术的具体方案以下,详细说明本专利技术的剥离膜和粘合膜,以及它们的制造方法。附图说明图1(a)的符号12表示基材。该基材12是由成型为膜状的聚酯树脂和分散于聚酯树脂中的填充料所构成。图1(a)的符号13表示基材12中的填充料,位于基材12的表面附近的填充料13可使基材12的表面隆起,并且使基材12的表面形成凹凸。用这种基材12制造粘合膜时,首先,在基材12的表面涂布预定量(每平方米面积的基材12表面为0.01g以上5g以下)的以氟化合物为主要成分的脱模剂。此时,由于涂敷液的涂布量十分少,基材12表面的凹凸不会被涂敷液所淹没。接着,将整体加热干燥,在基材12表面形成脱模剂层15(图1(b))。图1(b)的符号11表示形成脱模剂层15状态下的剥离膜。剥离膜11的形成脱模剂层15一侧的面沿基材12的凹凸模式形成凹凸。在脱模剂层15的形成工序中,脱模剂层15的氟化合物和基材12的聚酯树脂之间形成交联结构,使脱模剂层15与基材12的贴紧性变得非常高。随后,准备以热固性树脂为主要成分的浆料状粘合剂。相对于这种粘合剂,由于具有氟化合物的脱模剂层15的湿润性高,在剥离膜11的形成脱模剂层15一侧的面上涂布粘合剂时,粘合剂并不粘连在脱模剂层15上,进而可形成膜厚均匀的粘合剂层18。接着,将整体进行干燥,得到本专利技术的粘合膜10(图1(c))。如上所述,剥离膜11的形成脱模剂层15一侧的面由于沿着基材12的凹凸模式形成凹凸,在该脱模剂表面形成的粘本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种剥离膜,它是具有基材和在基材表面上形成的脱模剂层的剥离膜,其中,上述基材的配置上述脱模剂层一侧的面的表面粗糙度在3μm以下,上述脱模剂层以氟化合物为主要成分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:山田幸男
申请(专利权)人:索尼化学株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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