Resurf半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种Resurf半导体器件及其制作方法，制作方法至少包括以下步骤：1）提供一衬底；2）在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3）在所述衬底表面形成栅极结构；4）在所述衬底内形成沟道区域；5）在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6）在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。通过在衬底中的N型轻掺杂漏区内形成浅槽区域，可以缩小芯片设计尺寸，可以在充分降低栅极结构下方的电场的同时，有效地降低器件表面的电场强度，提高器件的可靠性。

Resurf semiconductor device and its manufacturing method

The invention provides a Resurf semiconductor device and manufacturing method thereof, manufacturing method at least comprises the following steps: 1) providing a substrate; 2) on the substrate to form a shallow groove corresponding to a subsequent region formed N type lightly doped drain region; 3) at the gate structure to form the surface of the substrate; 4) a channel region formed on the substrate; 5) N type lightly doped drain region formed on the substrate; 6) source is formed in the channel region, and in the N type lightly doped drain region formed in the drain. The N type light doped in the substrate leakage shallow groove region formed in the region, can reduce the chip size of design, can fully reduce the electric field below the gate structure at the same time, effectively reduce the electric field intensity on the surface of a device, improve the reliability of the device.

【技术实现步骤摘要】
Resurf半导体器件及其制作方法
本专利技术属于半导体
，涉及一种Resurf半导体器件及其制作方法。
技术介绍
如图1所示，传统的Resurf(ReducedSURfaceField，降低表面电场)半导体器件包括：硅衬底10、位于所述硅衬底10内的沟道区域11、位于所述硅衬底10内且与所述沟道区域11相邻接的N型轻掺杂漏区12、位于所述硅衬底10表面的栅氧化层13、位于所述栅氧化层13表面的多晶硅栅极14、位于所述沟道区域11内的源极15、位于所述N型轻掺杂漏区12内的漏极16、位于所述沟道区域11内且位于所述源极15远离所述多晶硅栅极14一侧的重掺杂源极区17、位于所述栅氧化层13及所述硅衬底10表面的介质层18、位于所述源极15及所述漏极16表面的引出电极19，其中，所述源极15及所述漏极16均为重掺杂区域。然而，传统的Resurf半导体器件存在栅极下方电场较高、表面电场强度较强、器件可靠性较差的问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种Resurf半导体器件及其制作方法，用于解决现有技术中传统Resurf半导体器件存在的栅极下方电场较高、表面电场强度较强、器件可靠性较差的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种Resurf半导体器件的制作方法，所述Resurf半导体器件制作方法至少包括以下步骤：1)提供一衬底；2)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3)在所述衬底表面形成栅极结构；4)在所述衬底内形成沟道区域；5)在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6)在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。作为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤2)中，在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域包括以下步骤：2-1)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽；2-2)在所述浅槽内填充氧化物以形成所述浅槽区域。作为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤2)中，形成的所述浅槽区域的数量为多个，多个所述浅槽区域间隔排布。作为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤2)中，形成的所述浅槽区域的深度小于所述N型轻掺杂漏区的深度。作为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，所述浅槽区域的深度为1μm～5μm。作为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤3)中，在所述衬底表面形成栅极结构包括以下步骤：3-1)在所述衬底表面形成栅氧化层；3-2)在所述栅氧化层表面形成多晶硅栅极。作为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤6)之后，还包括以下步骤：7)在所述源极远离所述栅极结构一侧的所述衬底内形成重掺杂源极区；8)在步骤7)得到的结构表面形成介质层，并在对应于所述源极及漏极需要引出区域的所述介质层内形成开口，所述开口暴露出部分所述源极及部分所述漏极；9)在所述开口内的所述源极表面及所述漏极表面形成引出电极。作为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的一种优选方案，在步骤9)之后，还包括以下步骤：10)在所述介质层表面形成法拉第环及浮空层板。本专利技术还提供一种Resurf半导体器件，所述Resurf半导体器件包括：衬底；沟道区域，位于所述衬底内；N型轻掺杂漏区，位于所述衬底内，且与所述沟道区域相邻接；浅槽区域，位于所述N型轻掺杂漏区内；栅极结构，位于所述衬底表面，且一部分位于所述沟道区域上方，另一部分位于所述N型轻掺杂漏区上方；源极，位于所述沟道区域内；漏极，位于所述N型轻掺杂漏区内，且位于所述浅槽区域远离所述栅极结构的一侧。作为本专利技术的Resurf半导体器件的一种优选方案，所述浅槽区域的数量为多个，多个所述浅槽区域间隔排布。作为本专利技术的Resurf半导体器件的一种优选方案，所述浅槽区域的深度小于所述N型轻掺杂漏区的深度。作为本专利技术的Resurf半导体器件的一种优选方案，所述浅槽区域的深度为1μm～5μm。作为本专利技术的Resurf半导体器件的一种优选方案，所述栅极结构包括栅氧化层及多晶硅栅极；所述栅氧化层位于所述衬底表面，所述多晶硅栅极位于所述栅氧化层表面。作为本专利技术的Resurf半导体器件的一种优选方案，所述Resurf半导体器件还包括：重掺杂源极区，位于所述沟道区域内，且位于所述源极远离所述栅极结构的一侧；介质层，位于所述衬底及所述栅极结构表面；所述介质层对应于所述源极及漏极需要引出的区域形成有开口，所述开口暴露出部分所述源极及部分所述漏极；引出电极，位于所述开口内的所述源极表面及所述漏极表面。作为本专利技术的Resurf半导体器件的一种优选方案，所述Resurf半导体器件还包括：法拉第环，位于所述介质层表面，且一部分位于所述栅极结构的上方，另一部分位于所述栅极结构的一侧；浮空层板，位于所述介质层表面，且位于所述法拉第环与所述漏极之间；所述浮空层板一部分位于所述浅槽区域上方，另一部分位于所述浅槽区域一侧。如上所述，本专利技术的Resurf半导体器件及其制作方法，具有以下有益效果：通过在衬底中的N型轻掺杂漏区内形成浅槽区域，可以缩小芯片设计尺寸，可以在充分降低栅极结构下方的电场的同时，有效地降低器件表面的电场强度，提高器件的可靠性。附图说明图1显示为现有技术中的Resurf半导体器件的结构示意图。图2显示为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法的流程图。图3至图13显示为本专利技术的Resurf半导体器件的制作方法在各步骤中的结构示意图。元件标号说明10硅衬底11沟道区域12N型轻掺杂漏区13栅氧化层14多晶硅栅极15源极16漏极17重掺杂源极区18介质层19引出电极20衬底21沟道区域22N型轻掺杂漏区23浅槽区域231浅槽24栅极结构241栅氧化层242多晶硅栅极25源极26漏极27重掺杂源极区28介质层281开口29引出电极30法拉第环31浮空层板具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图请参阅图2至图13。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一请参阅图2，本专利技术还提供一种Resurf半导体器件的制作方法，所述Resurf半导体器件的制作方法至少包括以下步骤：1)提供一衬底；2)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3)在所述衬底表面形成栅极结构；4)在所述衬底内形成沟道区域；5)在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6)在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。执行步骤1)，请参阅图2中的S1步骤及图3，提供一衬底20。作为示例，所述衬底20可以为但不仅限于硅衬底。作为示例，所述衬底20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一衬底；2)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3)在所述衬底表面形成栅极结构；4)在所述衬底内形成沟道区域；5)在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6)在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。

【技术特征摘要】
1.一种Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一衬底；2)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域；3)在所述衬底表面形成栅极结构；4)在所述衬底内形成沟道区域；5)在所述衬底内形成N型轻掺杂漏区；6)在所述沟道区域内形成源极，并在所述N型轻掺杂漏区内形成漏极。2.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽区域包括以下步骤：2-1)在所述衬底内对应于后续要形成N型轻掺杂漏区的区域内形成浅槽；2-2)在所述浅槽内填充氧化物以形成所述浅槽区域。3.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，形成的所述浅槽区域的数量为多个，多个所述浅槽区域间隔排布。4.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，形成的所述浅槽区域的深度小于所述N型轻掺杂漏区的深度。5.根据权利要求4所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：所述浅槽区域的深度为1μm～5μm。6.根据权利要求1所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤3)中，在所述衬底表面形成栅极结构包括以下步骤：3-1)在所述衬底表面形成栅氧化层；3-2)在所述栅氧化层表面形成多晶硅栅极。7.根据权利要求1至6中任一项所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步骤6)之后，还包括以下步骤：7)在所述源极远离所述栅极结构一侧的所述衬底内形成重掺杂源极区；8)在步骤7)得到的结构表面形成介质层，并在对应于所述源极及漏极需要引出区域的所述介质层内形成开口，所述开口暴露出部分所述源极及部分所述漏极；9)在所述开口内的所述源极表面及所述漏极表面形成引出电极。8.根据权利要求7所述的Resurf半导体器件的制作方法，其特征在于：在步...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴多武，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50