一种清洗剂、其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种清洗剂、其制备方法和应用。本发明专利技术的清洗剂的制备方法，其包括下列步骤，将下述原料混合，即可；所述的原料包含下列质量分数的组分：0.5％‑20％的含碘氧化剂、0.5％‑20％的含硼蚀刻剂、1％‑50％的吡咯烷酮类溶剂、1％‑20％的腐蚀抑制剂、0.01％‑5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5‑13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。本发明专利技术的制备方法制得的清洗剂在清洗刻蚀灰化后的半导体芯片中的应用中，清洗质量和效果好。

Cleaning agent, preparation method and application thereof

The invention discloses a cleaning agent, a preparation method and an application thereof. The cleaning agent preparation method of the invention, which comprises the following steps will be mixed, the materials can; the raw materials include the following components: the mass fraction of 0.5% 20% iodine oxidant, 0.5% boron containing 20% etchant, 1% 50% pyrrolidone solvent, 1% 20% 5% of the 0.01% corrosion inhibitor, surfactant free of metal ions and water agent, component mass fraction and 100%; the cleaning agent pH 7.5 13.5; one or more corrosion inhibitors for the three benzo triazole corrosion inhibitor, corrosion inhibitor, Kaba hydrazone hydrazone inhibitor and thio hydrazone corrosion inhibitors in Kaba. The cleaning agent prepared by the preparation method has good cleaning quality and good effect in the application of the semiconductor chip for cleaning, etching and ashing.

【技术实现步骤摘要】
一种清洗剂、其制备方法和应用
本专利技术涉及一种清洗剂、其制备方法和应用。
技术介绍
在集成电路的双重镶嵌加工期间，光刻法用于将图案成像在装置晶片上。光刻技术包括涂覆、曝光和显影步骤。用正性或负性光刻胶物质涂覆晶片并随后用掩模覆盖，所述掩模在随后的工艺中限定待保持或去除的图案。将掩模适当放置后，掩模已将一束单色辐射，例如紫外(UV)光或深UV(DUV)光(≈250nm或193nm)导向通过掩模，以使暴露的光刻胶材料或多或少地可溶于选择的冲洗溶液中。然后去除或“显影”可溶性光刻胶材料，从而留下与掩模相同的图案。随后，将气相等离子刻蚀用于将显影的光刻胶涂层的图案转印至下面的层，其可以包括硬掩膜(hardmask)、层间电介质和/或蚀刻停止层。等离子刻蚀后的残余物通常沉积在后端布线的结构上，如果不去除就可能妨碍随后的硅化或接触形成。等离子刻蚀灰化后的残余物通常包括硬掩膜残留物、聚合物残留物、其它颗粒等各种残留物。在清洗这些等离子刻蚀灰化后的残余物时，需要清洗剂具有较高的选择性，例如，能够在对金属和低k介电材料影响较小的情况下高效率地移除硬掩膜残留物的氮化物。随着设备临界尺寸的持续缩小以及对于高生产效率与可靠设备性能的相应要求，需要此类改善的清洁组合物。目前用于选择性移除含钛、含钨、含钽的蚀刻掩膜的清洗剂专利较多，如下表所示的专利或专利申请：这些专利中虽然公开了各种清洗选择性，但对于氮化钽这一蚀刻硬掩膜组分的清洗效果及移除选择性，这些专利均效果不佳。尤其EKC科技股份有限公司的专利CN105874568A的权利要求中明确指出其移除组合物可选择性移除氮化钽，但其说明书中没有给出氮化钽相关的蚀刻实验数据。本专利技术的专利技术人采用其保护范围内的多种配方进行实验，发现其组合物及清洗方法对于选择性移除含钛和含钨蚀刻掩膜效果较佳，但对于含钽蚀刻掩膜材料(如氮化钽)的效果不佳，氮化钽无法进行有效移除。这将严重影响清洗剂的清洗效果。因此，亟需开发一种清洗剂，其能够高选择性移氮化物蚀刻掩膜，同时与铜，钴、钽、钨、钛及低k材料相容，而且必须有效同时移除灰化蚀刻残留物。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是为了克服现有的清洗剂对于含钽蚀刻掩膜材料(如氮化钽)的效果不佳，氮化钽无法进行有效移除等缺陷，而提供了一种清洗剂、其制备方法和应用。本专利技术制得的清洗剂能够在对金属和低k介电材料影响较小的情况下高效率地移除硬掩膜残留物的氮化物，选择性好，具有非常广阔的市场应用前景。本专利技术主要是通过以下技术手段解决上述技术问题的：本专利技术提供了一种清洗剂，其由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：0.5％-20％的含碘氧化剂、0.5％-20％的含硼蚀刻剂、1％-50％的吡咯烷酮类溶剂、1％-20％的腐蚀抑制剂、0.01％-5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5-13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。其中，所述的含碘氧化剂的质量分数优选为1％-10％，更优选为1.5％-5％。所述的含硼蚀刻剂的质量分数优选为1％-10％，更优选为1.5％-5％。所述的吡咯烷酮类溶剂的质量分数优选为5％-35％，更优选为10％-30％。所述的腐蚀抑制剂的质量分数优选为3％-15％，更优选为5％-10％。所述的表面活性剂的质量分数优选为0.1％-4％，更优选为0.2％-3％。所述清洗剂的pH值优选为8-12，更优选为9-11。其中，所述的清洗剂中，各组分质量分数之和为100％，故水的用量优选以补足各组分质量分数之和为100％计。其中，所述的含碘氧化剂优选为碘酸、碘酸盐、过碘酸和过碘酸盐中的一种或多种。所述的碘酸盐优选为碘酸铵和/或碘酸四甲铵。所述的过碘酸盐优选为过碘酸铵和/或过碘酸四甲铵。其中，所述的含硼蚀刻剂可为本领域常规的含硼蚀刻剂，优选为四氟硼酸、四氟硼酸铵、四氟硼酸四甲铵、四氟硼酸四乙铵、四氟硼酸四丙铵和四氟硼酸四丁铵中的一种或多种。其中，所述的吡咯烷酮类溶剂为本领域常规的吡咯烷酮类溶剂，优选为N上的氢被取代的吡咯烷酮类溶剂。所述的N上的氢被取代的吡咯烷酮类溶剂优选为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮和N-羟乙基吡咯烷酮中的一种或多种。其中，所述苯并三氮唑类腐蚀抑制剂优选为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑和5-羧基苯并三氮唑中的一种或多种。所述腙类腐蚀抑制剂优选为苯乙酮苯腙。所述硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂优选为二苯基硫代卡巴腙。其中，所述的不含金属离子的表面活性剂为本领域常规的不含金属离子的表面活性剂，优选为聚乙烯吡咯烷酮和/或十二烷基苯磺酸。所述的pH值可根据清洗剂中各组分和含量的实际情况调节。例如可使用有机酸、无机酸、无机碱、强碱弱酸盐和缓冲溶液中的一种或多种。若避免去胶剂的pH值发生剧烈波动，可使用本领域常规的缓冲溶液进行调节。所述的有机酸优选柠檬酸。所述的无机酸优选硼酸。所述的强碱弱酸盐优选氢氧化四甲铵。其中，所述水优选去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种(例如两种)。在本专利技术一优选实施方案中，所述的清洗剂，其由下述原料制得，所述的原料组分由1％-10％的含碘氧化剂、1％-10％的含硼蚀刻剂、5％-35％的吡咯烷酮类溶剂、3％-15％的腐蚀抑制剂、0.1％-4％的不含金属离子的表面活性剂和水组成，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为8-12；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。本专利技术还提供了一种所述的清洗剂的制备方法，其包括下列步骤：将所述的原料混合，即可。所述的混合优选为将所述的原料组分中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可。所述的混合的温度为室温。所述的混合后，较佳地还进一步包含振荡，过滤的操作。振荡的目的是为了使各原料组分充分混合，振荡速度和时间不限。过滤是为了除去不溶物。本专利技术还提供了一种所述的清洗剂在清洗刻蚀灰化后的半导体芯片中的应用。所述的半导体芯片优选为铜互连或铝互连结构的半导体芯片。所述的应用优选包括下列步骤：将刻蚀灰化后的半导体芯片与所述的刻蚀清洗剂接触即可。更优选包括下列步骤：将刻蚀灰化后的半导体芯片与所述的刻蚀清洗剂接触、振荡、洗涤、干燥即可。其中，所述的接触的温度优选10℃-90℃，优选20℃-60℃，例如40-45℃。所述的接触的操作优选将刻蚀灰化后的半导体芯片浸入所述的清洗液中。所述的振荡优选在恒温振荡器中振荡。所述的振荡的温度优选10℃-90℃，优选20℃-60℃，例如40-45℃。所述的洗涤优选用水(例如去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种)洗涤。所述的干燥的方法优选用高纯度氮气吹干。本专利技术中室温是指10-30℃。在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本专利技术各较佳实例。本专利技术所用试剂和原料均市售可得。本专利技术的积极进步效果在于：本专利技术的制备方法制得的清洗剂能够在对金属和低k介电材料影响较小的情况下高效率地移除氮化物，选择性好，清洗效佳，具有非常广阔的市场应用前景，为微电子企业解决了难题，对促进我国微电子行业的发展起了积极的作用，也具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗剂的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：将下述原料混合，即可；所述的原料包含下列质量分数的组分：0.5％‑20％的含碘氧化剂、0.5％‑20％的含硼蚀刻剂、1％‑50％的吡咯烷酮类溶剂、1％‑20％的腐蚀抑制剂、0.01％‑5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5‑13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。

【技术特征摘要】
1.一种清洗剂的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：将下述原料混合，即可；所述的原料包含下列质量分数的组分：0.5％-20％的含碘氧化剂、0.5％-20％的含硼蚀刻剂、1％-50％的吡咯烷酮类溶剂、1％-20％的腐蚀抑制剂、0.01％-5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5-13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。2.如权利要求1所述的清洗剂的制备方法，其特征在于，所述的含碘氧化剂的质量分数为1％-10％；和/或，所述的含硼蚀刻剂的质量分数为1％-10％；和/或，所述的吡咯烷酮类溶剂的质量分数为5％-35％；和/或，所述的腐蚀抑制剂的质量分数为3％-15％；和/或，所述的表面活性剂的质量分数为0.1％-4％；和/或，所述清洗剂的pH值为8-12。3.如权利要求2所述的清洗剂的制备方法，其特征在于，所述的含碘氧化剂的质量分数为1.5％-5％；和/或，所述的含硼蚀刻剂的质量分数为1.5％-5％；和/或，所述的吡咯烷酮类溶剂的质量分数为10％-30％；和/或，所述的腐蚀抑制剂的质量分数为5％-10％；和/或，所述的表面活性剂的质量分数为0.2％-3％；和/或，所述清洗剂的pH值为9-11。4.如权利要求1所述的清洗剂的制备方法，其特征在于，所述苯并三氮唑类腐蚀抑制剂为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王溯，蒋闯，冯强强，
申请(专利权)人：上海新阳半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31