被加工物的加工方法技术

本发明专利技术提供一种被加工物的加工方法，包括如下工序：在切割用粘着片上贴合通过具有热剥离型或辐射线固化型粘着层的双面粘着片固定在支承板上的被加工物的工序；对双面粘着片进行加热或者照射辐射线而从被加工物剥离该双面粘着片及支承板的工序；对贴合有切割用粘着片的被加工物进行切割而形成被加工物小片的工序；以及对被加工物小片进行拾取的工序，切割用粘着片被构成为在基材膜上至少设置粘着剂层，该粘着剂层含有丙烯酸类聚合物，且粘着剂层的厚度为１～５０μｍ，其中，该丙烯酸类聚合物含有５重量％以上的在侧链上具有烷氧基的单体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。进而涉及由该方法获得的半导体装置。本专利技术的尤其适用于 硅半导体、化合物半导体晶圆、半导体封装件、玻璃等被加工物。
技术介绍
在半导体装置的制造方法中具有下述工序首先，在半导 体晶圆的电路形成面上贴合保护片之后，对半导体晶圆的背面 进行研磨等加工。在实施该工序之后，将半导体晶圆转印到切 割用粘着片上，对半导体晶圓进行切割。在剥离保护片后将半 导体晶圆单体贴合到半导体晶圆间的切割用粘着片上，或者在由保护片支承半导体晶圆的状态下将半导体晶圆贴合在半导体 晶圆间的切割用粘着片上。作为上述切割用粘着片例如如日本 特开2001—234136号7>才艮所/>示。但是，在半导体晶圆逐渐薄化、脆弱化的近年来，该半导 体晶圓变得容易破损。因此，根据上述方法，即使贴合在切割 用粘着片上的半导体晶圆产生翘起，矫正该翘起也较为困难。 若难以矫正翘起，则使半导体晶圓吸附在吸附台上时，有时不 能使该半导体晶圆紧密贴合在该吸附台上而出现吸附错误。另 外，由于输送中微小的冲击导致半导体晶圓破损的情况也变得 显著。因此，从保护半导体晶圆的方面考虑，研究如下这样的 所谓台座方式，即、通过双面粘着片将支承片等机械强度较大 的支承板贴合在半导体晶圆上，增强半导体晶圆的机械强度的 同时，将该半导体晶圆转印到切割用粘着片上。在台座方式中，由于需要用低应力从半导体晶圆上剥离双面粘着片，因此，通 常双面粘着片采用热剥离型或者辐射线固化型材料。使用热剥离型或者辐射线固化型的双面粘着片时，在剥离 该双面粘着片时，对双面粘着片进行加热或者照射辐射线，降 低双面粘着片的粘着力，使剥离变得容易。但是，由于以往的切割用粘着片的耐热性差，所以通过热 (在照射辐射线时为辐射线辐射热)会增大切割用粘着片的粘 着力。因此，存在切割后半导体芯片的拾取变得困难，还残留 粘浆的问题。
技术实现思路
本专利技术是为解决上述以往问题而作出的，其目的在于提供 一种使用了在对半导体晶圆等被加工物进行转印、切割时表现 出足够的粘着性、在拾取半导体芯片等被加工物小片时表现出 易剥离性的、耐热性优良的切割用粘着片的被加工物加工方法 以及由该方法获得的半导体装置。本申请专利技术人为了解决上述问题，对;故加工物的加工方法 以及由该方法获得的半导体装置进行了研究。其结果发现，可 以通过采用下述构成来达到上述目的，以至完成了本专利技术。即，为了解决上述问题，本专利技术的^c加工物的加工方法， 包括如下工序在切割用粘着片上贴合通过具有热剥离型或辐射线固化型粘着层的双面粘着片固定在支7 义才反上的5^皮加工物的工序；对上述双面粘着片进行加热或者照射辐射线而从上述被 加工物剥离该双面粘着片的工序；对贴合有上述切割用粘着片 的上述被加工物进行切割而形成被加工物小片的工序；以及对 上述被加工物小片进行拾取的工序，上述切割用粘着片是在基 材膜上至少设置粘着剂层而构成的，上述切割用粘着片使用如下这样的粘着剂层上述粘着剂层含有丙烯酸类聚合物，且粘着剂层的厚度为1 ~ 50pm，其中，该丙烯酸类聚合物含有5重 量％以上的在侧链上具有烷氧基的单体。在上述方法中使用的切割用粘着片具有含丙烯酸类聚合物 的粘着剂层，其中，该丙烯酸类聚合物含有5重量％以上的在侧 链上具有烷氧基的单体。若为上述构成的粘着剂层，则即使由 于在从被加工物剥离双面粘着片时进行加热或者照射辐射线而 被加热(在照射辐射线时为辐射线辐射热)，也可以抑制粘着力 的增大。虽然其机理未必明确，但是可以看出其原因为，通过 丙烯酸类聚合物以及稍微表面偏析的低分子量成分的玻璃化转 变点高温位移，可以提高内聚力等。因此，由于在拾取被加工 物小片时表现出良好的剥离性，减少发生拾取不良，所以，变 得可以成品率较高地制作半导体装置。另外，由于切割用粘着片的粘着剂层厚度为1 50iim,因 此，可以抑制切割;陂加工物时产生的"t展动的振幅变大，减少发 生在被加工物小片上产生破片(碎屑)。另 一方面，通过将粘着 剂层的厚度设定为llim以上，可以可靠地保持被加工物，从而 使被加工物在切割时不容易剥离。优选是上述粘着剂层含有5重量％以上的在侧链上具有氮 的单体。优选是上述粘着剂层表面相对于水的接触角为90度以下。 上述方法所使用的切割用粘着片的粘着剂层，由于具有相 对于水的接触角处于上述范围内的物性，因此，具有在切割时 可靠固定被加工物的粘着力、以及在拾取时可以容易剥离的剥 离性。因此，若为使用上述切割用粘着片的上述方法，则可以 进一步提高成品率。优选是上述粘着剂层在25 。C时的损耗角正切tan 5为0.5以下，并且在5(TC时的损耗角正切tan5为0.15以下。上述方法所使用的切割用粘着片的粘着剂层，由于具备2 5 。C时的tan5为0.5以下、50°C时的tan 5为0.15以下的物性， 因此，表现出在拾取时能容易剥离的剥离性。因此，若为使用 上述切割用粘着片的上述方法，则可以进一步提高成品率。在上述方法中，作为上述切割用粘着片，使用上述丙烯酸 类聚合物在分子内全部侧链中1/100以上的侧链上分别具有1 个碳-碳双键的物质，在拾取上述被加工物小片时，可以向上述 粘着剂层照射辐射线。若上述粘着剂层含有辐射线固化型丙烯酸类聚合物，其中， 该辐射线固化型丙烯酸类聚合物其全部侧链的1/100以上具有 1个碳-碳双键，则可以通过照射辐射线使粘着剂层固化而降低 粘着性。因此，在拾取被加工物小片时向粘着剂层照射辐射线， 从而可以使被加工物小片的剥离变得更加容易，提高生产率。优选是上述粘着剂层含有在l个分子中具有平均6个以上 碳-碳双键的辐射线固化型粘着剂，并且，将切割用粘着片贴合 在镜面硅片上，在150。C加热1分钟，再以23mJ/cn^的照射强 度照射20秒钟辐射线之后，在测定温度为23 ± 3。C 、粘着剂层 表面与镜面硅片表面的夹角为180。、拉伸速度为300mm/分钟 的条件下进行剥离时的粘着力为0.5N/25mm带宽以下。.粘着剂层含有辐射线固化型粘着剂，其中，该辐射线固化 型粘着剂平均在一个分子中具有6个以上碳-碳双键，并且，使 用在上述条件中粘着剂层粘着力为0.5N/25mm带宽以下的切 割用粘着片，从而可以防止在拾取^皮加工物小片时的拾取不良。优选是上述丙烯酸类聚合物的重均分子量为50万以上。优选是上述切割用粘着片中的粘着剂层具有从被加工物剥 离后、该被加工物贴着面上的表面有机物污染增加量△ C为5%以下的剥离性。若粘着剂层具有上述剥离性，则可以减少所谓的粘浆残留， 进一 步提高的成品率。优选是作为上述双面粘着片，在基材的两面分别具有上述 粘着层，至少其中任一粘着层为热剥离型粘着层。为了解决上述问题，本专利技术所涉及的半导体装置的特征在 于，通过上述记载的^C加工物的加工方法可以获得。通过上述方法，本专利技术可以起到下述效果。即，对本专利技术;陂加工物的加工方法，由于作为切割用粘着片使用含丙烯酸类聚合物的粘着剂层，其中，该丙烯酸类聚合物含有5重量％以上的在侧链上具有烷氧基的单体，因此，对具 有热剥离型或者辐射线固化型粘着层的双面粘着片进行加热或 照射辐射线而降低粘着层的粘着力时，可以抑制切割用粘着片 的粘着剂层的粘着力增大。由此，具有在切割被加工物时可以 可靠本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被加工物的加工方法，其特征在于，包括如下工序：　　　　在切割用粘着片上贴合通过具有热剥离型或辐射线固化型粘着层的双面粘着片固定在支承板上的被加工物的工序；　　　　对上述双面粘着片进行加热或者照射辐射线而从上述被加工物剥离该双面粘着片的工序；　　　　对贴合有上述切割用粘着片的上述被加工物进行切割而形成被加工物小片的工序；　　　　以及对上述被加工物小片进行拾取的工序，　　　　上述切割用粘着片被构成为在基材膜上至少设置粘着剂层，该粘着剂层含有丙烯酸类聚合物，且粘着剂层的厚度为１～５０μｍ，其中，该丙烯酸类聚合物含有５重量％以上的在侧链上具有烷氧基的单体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木内一之，高桥智一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]