一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法技术

本申请公开了一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，包括在P型基底上制作具有背面铝栅线的双面PERC太阳电池；去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线，形成背面凹槽，所述背面凹槽的与所述P型基底相邻的一侧形成铝背场；在所述背面凹槽中内嵌式印刷银栅线，所述银栅线通过所述铝背场连接至所述P型基底；对所述银栅线进行烧结。上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，能够在降低背面电阻，提高双面PERC电池的填充因子的同时，减小背面栅线的宽度，降低背面的遮光面积。

Fabrication method of double sided PERC solar cell with back silver grid line

The invention discloses a method for manufacturing with back silver grid line double-sided PERC solar cells, including the production of double-sided PERC solar cell with a back gate line in the P type aluminum substrate; back aluminum gate line to remove the double PERC solar cells, the formation of the back side of the groove, and the groove on the back P type substrate adjacent formation of aluminum back surface field; embedded printed silver grid line on the back of the groove, the silver grid line through the aluminum back surface field is connected to the P type substrate; sintering of the silver grid line. With the method of making back silver grid line double-sided PERC solar cells, can reduce the resistance in the back, to improve the filling factor of double PERC battery at the same time, reduce the back gate line width, shading area on the back of the.

【技术实现步骤摘要】
一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法
本专利技术涉及晶体硅太阳电池
，更具体地说，涉及一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法。
技术介绍
随着光伏产业的发展进步，出于对太阳电池高转换效率以及组件高输出功率的追求，越来越多的高效电池技术被应用到晶体硅太阳电池的商业化量产中。其中重要的一种高效电池技术是钝化发射极背面接触技术(PassivatedEmitterbackcontact，PERC)。这种技术用Al2O3/SiNx叠层钝化薄膜替代现有的太阳电池的铝背场，大大改善了晶体硅太阳电池背面的钝化效果，提高了中长波段的内量子效率，使得晶体硅太阳电池的量产效率提高了约1个百分点。最新的量产PERC电池结构正逐渐过渡到双面PERC电池，相比PERC电池，双面PERC电池不需额外增加工艺流程和设备，仅使用铝细栅线代替PERC电池的全覆盖铝层，铝细栅线和双面PERC电池背面局部开膜的线状区域相重合，并通过开膜区域和硅基片相连接，实现电流传输。背面铝细栅线之间是Al2O3/SiNx叠层钝化薄膜，能够吸收环境中的反射光，这样就能够增加额外的输出功率，同时也降低背面铝浆料的用量。由于这两个优势，双面PERC电池得到越来越多的重视。现有的双面PERC太阳电池的制作方法包括如下步骤：碱制绒、磷扩散、去PSG及背面抛光、背面沉积氧化铝薄膜和氮化硅薄膜、正面沉积氮化硅薄膜、背面激光局部剥离氧化铝/氮化硅薄膜、丝网印刷背面电极和背面铝栅线、丝网印刷正面电极以及烧结，由上述工艺流程制造的双面PERC电池背面使用铝栅线来收集背面电流，由于丝网印刷烧结铝细栅线的线电阻比较大，使得双面PERC电池相比已有的单面PERC电池在串联电阻上有比较多的上升，降低了双面PERC电池的填充因子，为兼顾双面PERC电池的填充因子，通常需要增加背面铝栅线的宽度至300um左右，这样就增加了背面的遮光面积，降低了对环境反射光的利用效果。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，能够在降低背面电阻，提高双面PERC电池的填充因子的同时，减小背面栅线的宽度，降低背面的遮光面积。本专利技术提供的一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，包括：在P型基底上制作具有背面铝栅线的双面PERC太阳电池；去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线，形成背面凹槽，所述背面凹槽的与所述P型基底相邻的一侧形成铝背场；在所述背面凹槽中内嵌式印刷银栅线，所述银栅线通过所述铝背场连接至所述P型基底；对所述银栅线进行烧结。优选的，在上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法中，所述去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线为：利用盐酸和硝酸的混合溶液对所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线酸洗30秒至90秒，去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线。优选的，在上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法中，所述形成背面凹槽为：形成深度为5微米至25微米以及宽度为30微米至60微米的背面凹槽。优选的，在上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法中，所述在所述背面凹槽中内嵌式印刷银栅线为：在每个所述背面凹槽内印刷重量范围为0.9克至1.3克的银浆料，形成所述银栅线。优选的，在上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法中，所述对所述银栅线进行烧结为：设置烧结温度范围为550℃至600℃，并且设置500℃以上的烧结时间范围为3秒至30秒，对所述银栅线进行烧结。优选的，在上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法中，所述在P型基底上制作具有背面铝栅线的双面PERC太阳电池包括：在所述P型基底上进行碱制绒和磷扩散；去除PSG并背面抛光；在所述P型基底的背面沉积氧化铝薄膜和氮化硅薄膜；在所述P型基底的背面局部剥离所述氧化铝薄膜和所述氮化硅薄膜；丝网印刷背面电极和背面铝栅线；丝网印刷正面电极并烧结。从上述技术方案可以看出，本专利技术所提供的上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，由于在P型基底上制作具有背面铝栅线的双面PERC太阳电池之后，还包括去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线，形成背面凹槽，所述背面凹槽的与所述P型基底相邻的一侧形成铝背场；在所述背面凹槽中内嵌式印刷银栅线，所述银栅线通过所述铝背场连接至所述P型基底；对所述银栅线进行烧结，因此能够在降低背面电阻，提高双面PERC电池的填充因子的同时，减小背面栅线的宽度，降低背面的遮光面积。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的第一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法的示意图。具体实施方式本专利技术的核心思想在于提供一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，能够在降低背面电阻，提高双面PERC电池的填充因子的同时，减小背面栅线的宽度，降低背面的遮光面积。下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请实施例提供的第一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法的示意图，该方法包括如下步骤：S1：在P型基底上制作具有背面铝栅线的双面PERC太阳电池；需要说明的是，在该步骤中，印刷背面铝细栅线并烧结有两个作用，其中，第一个作用是形成背面凹槽，另一个是在凹槽的底部形成掺Al3+的铝背场。铝背场能够使银和P型硅基底形成良好的接触电阻。S2：去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线，形成背面凹槽，所述背面凹槽的与所述P型基底相邻的一侧形成铝背场；具体的，上一步骤中烧结工序的高温过程中，铝栅线和P型基底通过背面Al2O3/SiN局部剥离的窗口发生互熔扩散，使得P型基底背面形成深约20um、宽约50um的U形的背面凹槽，同时背面凹槽一侧的硅基底形成掺Al3+的铝背场，凹槽另一侧是铝栅线，本步骤可以在稀的HCl/HNO3酸体系中铝栅线反应生成AlCl3和AlNO3，并溶解在溶液中从而被除去，留下U形的背面凹槽，其中，HCl/HNO3酸体系溶液的浓度在1％-5％之间。S3：在所述背面凹槽中内嵌式印刷银栅线，所述银栅线通过所述铝背场连接至所述P型基底；需要说明的是，该方案中，银浆料通过精确对位的方式被印刷到背面凹槽中，形成背面埋栅的银栅线，为避免背面银主栅破坏背面的Al2O3/Si3N4叠层薄膜，所印刷的银浆料为不与Si3N4反应的非穿透性银浆料，背面电极的主要成分是银材料，这种背面埋栅双面PERC电池的背面栅线由主栅和细栅组成，两者的主要成分都是银，因而背面电极可以由背面的银主栅替代，也就省去了丝网印刷背面电极工序。S4：对所述银栅线进行烧结。采用银细栅线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，包括：在P型基底上制作具有背面铝栅线的双面PERC太阳电池；去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线，形成背面凹槽，所述背面凹槽的与所述P型基底相邻的一侧形成铝背场；在所述背面凹槽中内嵌式印刷银栅线，所述银栅线通过所述铝背场连接至所述P型基底；对所述银栅线进行烧结。

【技术特征摘要】
1.一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，包括：在P型基底上制作具有背面铝栅线的双面PERC太阳电池；去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线，形成背面凹槽，所述背面凹槽的与所述P型基底相邻的一侧形成铝背场；在所述背面凹槽中内嵌式印刷银栅线，所述银栅线通过所述铝背场连接至所述P型基底；对所述银栅线进行烧结。2.根据权利要求1所述的具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，其特征在于，所述去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线为：利用盐酸和硝酸的混合溶液对所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线酸洗30秒至90秒，去除所述双面PERC太阳电池的背面铝栅线。3.根据权利要求1所述的具有背面银栅线的双面PERC太阳电池的制作方法，其特征在于，所述形成背面凹槽为：形成深度为5微米至25微米以及宽度为30微米至60微米的背面凹槽。4.根据权利要求1所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：许佳平，郑霈霆，金浩，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33