一种IBC电池工艺制备方法技术

本发明专利技术公开了一种IBC电池工艺制备方法。它包括以下步骤：A、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um‑10um，绒面反射率为9%‑13%，背面抛光反射率为30%‑45%；B、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；C、利用质量比为1%‑3%的KOH、质量比为3%‑5%添加剂、温度为75‑85℃的腐蚀液进行分区制绒腐蚀，腐蚀区域反射率为20%‑28%；D、然后在背面形成第二掺杂区；在正面形成FSF；正反两面沉积钝化层；最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。采用上述方法后，在背面金属印刷过程中，p区、n区利用绒面/抛光面进行区分，形成表面状态反差，金属印刷中，CCD相机在不同表面状态会有不同的光谱响应，实现金属印刷的快速、精确对准。

Process for preparing IBC battery

The invention discloses a method for preparing IBC battery technology. It includes the following steps: A, N in primary silicon positive etching, polishing on the back, front size 1um 10um suede, suede reflectivity is 9% and 13%, the back polishing reflectivity is 30% B, 45%; forming a first doped region on the back, then the selective removal of the oxide layer partition by C; the mass ratio of 1% 3% KOH, mass ratio of corrosion solution is 3% 5% additive, the temperature is 75 DEG C to 85 zoning pile corrosion, the corrosion area of reflectivity is 20% 28%; D, then back in the second doped region is formed; the formation of FSF in the front; both sides of depositing a passivation layer; the metal electrode P and N region is formed in the back of the selective. Using these methods, on the back of the metal printing process, P and N regions with suede / polishing surface to distinguish, the formation of surface state contrast, metal printing, CCD camera will have different spectral response in different surface state, to achieve fast and accurate alignment of metal printing.

【技术实现步骤摘要】
一种IBC电池工艺制备方法
本专利技术涉及一种新能源光伏晶硅电池技术，具体地说是一种IBC电池工艺制备方法。
技术介绍
太阳能光伏发电具有重大的应用前景，目前光伏行业发展趋势为提效降本，而常规结构电池的效率已无较大提升空间，高效晶硅电池成为市场研发的主流。IBC为背接触背结电池，也称叉指电池。该电池最大的特点为效率高，目前多家科研单位制备的IBC电池效率已经达到了23%，有效降低了电池的温度系数，使得IBC电池与常规电池相比具有更加优越的实际发电能力，且组件外观具有较好的一致性。该电池是在高寿命的n型硅衬底的背面形成p+、n+扩散区，正面制备金字塔绒面来增强光的吸收，同时在正面形成前表面场（FSF），并对正、反两面沉积钝化层，最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。然而对于选择性分区来说，目前行业内常用的适合产业化的方案为激光开槽或者印刷掩膜、刻蚀浆料的方式去除氧化层，然后进行选择性分区腐蚀；在背面金属印刷过程中，p区、n区均为抛光面，表面状态一致无反差，CCD相机无法清晰识别对准标志，造成印刷识别困难，p区、n区易错位，印刷良率为20%，并联电阻低于100Ω，也就是说现有的这种方法会导致不利于后序的快速、高精度对准。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能够有利于后序的快速、高精度对准的IBC电池工艺制备方法。为了解决上述技术问题，本专利技术的IBC电池工艺制备方法，包括以下步骤：A、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um-10um，绒面反射率为9%-13%，背面抛光反射率为30%-45%；B、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；C、利用质量比为1%-3%的KOH、质量比为3%-5%添加剂、温度为75-85℃的腐蚀液进行分区制绒腐蚀，腐蚀区域反射率为20%-28%；D、然后在背面形成第二掺杂区；在正面形成FSF；正反两面沉积钝化层；最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。所述正面绒面大小为4um，绒面反射率为10%，背面抛光反射率为45%。采用上述的方法后，在背面金属印刷过程中，p区、n区利用绒面/抛光面进行区分，形成表面状态反差，金属印刷中，CCD相机在不同表面状态会有不同的光谱响应，不仅可以实现金属印刷的快速识别对准标志，而且可以实现精准对准，避免了错位而带来的p区、n区之间致命的漏电风险，提高了量产良率。具体实施方式下面结合具体实施方式，对本专利技术的IBC电池工艺制备方法作进一步详细说明。本专利技术的IBC电池工艺制备方法，包括以下步骤：A、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um-10um，绒面反射率为9%-13%，背面抛光反射率为30%-45%；B、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；C、利用碱质量比为1.5%，添加剂质量比为2%，温度为80℃的腐蚀液中进行分区制绒腐蚀，腐蚀区域反射率为20%-28%；D、然后在背面形成第二掺杂区；在正面形成FSF；正反两面沉积钝化层；最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。经过本专利技术的工艺方法，采用常规的激光开槽或者印刷掩膜、刻蚀浆料的方式选择性分区，然后热碱进行分区制绒腐蚀，使得p区、n区表面状态不一致，利用绒面、抛光面进行区分，形成表面状态反差，金属印刷中，CCD相机在不同表面状态会有不同的光谱响应，这样不仅可以实现金属印刷的快速对准，而且可以实现精确对准，避免了错位而带来的p区、n区之间致命的漏电风险，提高了量产良率，经过实践证明，其印刷良率为100%，并阻高达1000Ω以上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IBC电池工艺制备方法，包括以下步骤：A、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um‑10um，绒面反射率为9%‑13%，背面抛光反射率为30%‑45%；B、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；C、利用质量比为1%‑3%的KOH、质量比为3%‑5%添加剂、温度为75‑85℃的腐蚀液进行分区制绒腐蚀，腐蚀区域反射率＜28%为20%‑28%；D、然后在背面形成第二掺杂区；在正面形成FSF；正反两面沉积钝化层；最后在背面选择性形成p区和n区的金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种IBC电池工艺制备方法，包括以下步骤：A、在n型原硅片进行正面制绒，背面抛光，正面绒面大小为1um-10um，绒面反射率为9%-13%，背面抛光反射率为30%-45%；B、在背面形成第一掺杂区，然后进行背面选择性分区去除氧化层；C、利用质量比为1%-3%的KOH、质量比为3%-5%添加剂、温度为75-...

【专利技术属性】
技术研发人员：张娟，李高非，王继磊，黄金，白炎辉，鲍少娟，易治凯，
申请(专利权)人：晋能清洁能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山西,14