切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法。本发明专利技术的一个实施方式的目的在于，提供能够用切割的冷却液将纤维状屑洗掉的切割/芯片接合薄膜。本发明专利技术的一个实施方式涉及切割/芯片接合薄膜。切割/芯片接合薄膜包含切割支撑层和芯片接合层。切割支撑层的熔点为60℃～100℃。切割支撑层在室温下的拉伸模量为30N/m

Cutting / chip bonding film, cutting / chip bonding band and manufacturing method of semiconductor device

The present invention relates to a method for manufacturing cutting / chip bonding film, cutting / chip bonding tape and semiconductor device. An embodiment of the present invention is to provide a cutting / chip bonding film capable of washing the fibrous debris with a cutting coolant. An embodiment of the present invention relates to cutting / chip bonding films. The cutting / chip bonding film includes a cutting support layer and a chip bonding layer. The melting point of the cutting support layer is 60 to 100 degrees centigrade. The tensile modulus of the cutting support layer is 30N/m at room temperature

【技术实现步骤摘要】
切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法。
技术介绍
有具备基材层、位于基材层上的粘合剂层以及位于粘合剂层上的粘接剂层的、切割用且芯片接合用的薄膜。也有具备基材层和位于基材层上的粘接剂层的、切割用且芯片接合用的薄膜。若用切割刃切入这些薄膜的基材层，则会产生纤维状屑。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-174963号公报专利文献2：日本特开2012-209363号公报专利文献3：日本特开2007-63340号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的一个实施方式的目的在于，提供能够用切割的冷却液将纤维状屑洗掉的切割/芯片接合薄膜及切割/芯片接合带。本专利技术的一个实施方式的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术的一个实施方式涉及一种切割/芯片接合薄膜。切割/芯片接合薄膜包含切割支撑层和芯片接合层。切割支撑层的熔点为60℃～100℃。由于熔点为100℃以下，因此能够用冷却液将纤维状屑洗掉。由于切割支撑层与切割刃的摩擦，能使切割支撑层熔化，能够使纤维状屑从切割支撑层脱离。切割支撑层在室温下的拉伸模量为30N/m2～100N/m2。由于拉伸模量为100N/m2以下，因此有不易发生切割/芯片接合薄膜自切割环的剥离、切割支撑层的破裂的倾向。本专利技术的一个实施方式涉及一种切割/芯片接合带。切割/芯片接合带包含隔膜和与隔膜接触的切割/芯片接合薄膜。本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括对固定于切割/芯片接合薄膜的半导体晶圆进行切割的工序，和将通过对半导体晶圆进行切割的工序形成的、芯片接合前的芯片压接在被粘物上的工序。附图说明图1为切割/芯片接合带的俯视示意图。图2为切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。图3为半导体装置的制造工序的截面示意图。图4为半导体装置的制造工序的截面示意图。图5为半导体装置的制造工序的截面示意图。图6为半导体装置的制造工序的截面示意图。图7为半导体装置的制造工序的截面示意图。图8为变形例1中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。图9为变形例2中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。图10为变形例3中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。图11为变形例4中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。具体实施方式以下举出实施方式详细地对本专利技术进行说明，但本专利技术不仅限定于这些实施方式。实施方式1如图1所示，切割/芯片接合带1包含隔膜11和切割/芯片接合薄膜12a、12b、12c、……、12m(以下，总称为“切割/芯片接合薄膜12”。)。切割/芯片接合带1可以呈卷状。隔膜11呈带状。隔膜11为例如进行了剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。切割/芯片接合薄膜12位于隔膜11上。切割/芯片接合薄膜12a与切割/芯片接合薄膜12b间的距离、切割/芯片接合薄膜12b与切割/芯片接合薄膜12c间的距离、……切割/芯片接合薄膜12l与切割/芯片接合薄膜12m间的距离是恒定的。切割/芯片接合薄膜12呈圆盘状。如图2所示，切割/芯片接合薄膜12可以包含晶圆固定部12A和切割环固定部12B。切割环固定部12B位于晶圆固定部12A的周边。切割/芯片接合薄膜12包含切割支撑层122。切割支撑层122呈圆盘状。切割支撑层122的厚度例如为50μm～150μm。切割支撑层122的两面是用与芯片接合层121接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。切割支撑层122的第1主面可以涂布有底涂剂。切割支撑层122的熔点为100℃以下，优选为95℃以下。由于熔点为100℃以下，因此能够用冷却液将因切割而产生的纤维状屑洗掉。由于切割支撑层122与切割刃的摩擦能使切割支撑层122熔化，能够使纤维状屑从切割支撑层122脱离。切割支撑层122的熔点的下限例如为60℃、70℃、80℃。切割支撑层122的熔点可以通过下面叙述的方法来测定。从切割支撑层122切出10mmg的试样，使用差示扫描量热计(SIINanoTechnologyInc.制的DSC6220)，以试样10mmg、升温速度5℃/分钟、30℃～200℃的条件进行差示扫描量热测定(differentialscanningcalorimetry：DSC)，读取DSC曲线中的熔解的峰值温度。存在多个峰时，读取最初出现的熔解峰的峰值温度。切割支撑层122在室温下的拉伸模量为100N/m2以下，优选为90N/m2以下、更优选为80N/m2以下。由于拉伸模量为100N/m2以下，因此有不易产生切割/芯片接合薄膜12自切割环的剥离、切割支撑层122的破裂的倾向。切割支撑层122在室温下的拉伸模量的下限例如为30N/m2。切割支撑层122的拉伸模量可以通过实施例中记载的方法来测定。切割支撑层122例如为塑料薄膜，优选为乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(以下，称为“EVA”)薄膜。通常EVA薄膜的熔点比聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜等的熔点低。即，切割支撑层122优选包含EVA。切割/芯片接合薄膜12包含芯片接合层121。芯片接合层121位于隔膜11与切割支撑层122之间。芯片接合层121呈圆盘状。芯片接合层121的厚度例如为2μm以上，优选为10μm以上。芯片接合层121的厚度例如为200μm以下，优选为150μm以下、进一步优选为100μm以下。芯片接合层121的两面是用第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。芯片接合层121的第1主面与隔膜11接触。芯片接合层121的第2主面与切割支撑层122接触。芯片接合层121包含树脂成分。作为树脂成分，可列举出：热塑性树脂、热固性树脂等。作为热塑性树脂，例如可列举出丙烯酸类树脂。作为丙烯酸类树脂，没有特别限定，可列举出：以具有碳数30以下、特别是碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为前述烷基，例如可列举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。另外，作为形成聚合物(丙烯酸类共聚物)的其它单体，没有特别限定，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等之类的含羧基单体、马来酸酐或衣康酸酐等之类的酸酐单体、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟基甲基环己酯)-甲酯等之类的含羟基单体、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、基(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之类的含磺酸基单体、或2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等之类的含磷酸基单体。丙烯酸类树脂中，重均分子量优选10万以上、更优选30万～300万、进一步优选50万～200万。这是因为若为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割/芯片接合薄膜，其包含切割支撑层和芯片接合层，所述切割支撑层的熔点为60℃～100℃，所述切割支撑层在室温下的拉伸模量为30N/m

【技术特征摘要】
2016.04.22 JP 2016-0862971.一种切割/芯片接合薄膜，其包含切割支撑层和芯片接合层，所述切割支撑层的熔点为60℃～100℃，所述切割支撑层在室温下的拉伸模量为30N/m2～100N/m2。2.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述切割支撑层...

【专利技术属性】
技术研发人员：宍户雄一郎，高本尚英，大西谦司，木村雄大，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP