灯丝、电离室及离子植入设备制造技术

本发明专利技术公布了一种灯丝，所述灯丝包括第一端部、第二端部及位于所述第一端部与所述第二端部之间的连接部，所述第一端部和所述第二端部用于电连接至供电器件，所述第一端部通过所述连接部相对所述第二端部弯折，并且弯折的所述连接部的截面尺寸与所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同。本发明专利技术还公布了一种电离室及离子植入设备。灯丝截面尺寸均匀，灯丝各部位的阻值相同，灯丝通电后各部位产生的热电子数量相同，热电子与离子源气体撞击产生等离子体，灯丝周围的等离子体浓度均匀，避免出现灯丝某部位附近等离子体浓度过高腐蚀灯丝，灯丝不易断裂，提高了灯丝的寿命，降低了离子植入设备的维护成本和显示设备的生产成本。

Filament, ionization chamber and ion implantation equipment

The invention discloses a filament, the filament comprises a connecting part between the first end and the second end and the first end and the second end, the first end and the second end portion for electrically connecting to the power devices, the first end of the connecting part relative to the the second end part is bent by the sectional dimension and bending the connecting part and the first end and the second end of the same. The invention also discloses an ionization chamber and an ion implantation device. The filament section size uniform, each part of the filament resistance, the same number of electronic parts produced hot filament electricity, hot electron and ion source gas impact plasma, plasma concentration around the filament is uniform, to avoid a part of filament near the plasma concentration of corrosion filament, filament is not easy to fracture, improve the filament life, reduce the maintenance cost of the ion implantation apparatus and display equipment production cost.

【技术实现步骤摘要】
灯丝、电离室及离子植入设备
本专利技术涉及显示器件制造
，尤其是涉及一种灯丝、电离室及离子植入设备。
技术介绍
显示设备已成为人们现代生活中的不可缺少的一部分，在显示设备的低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)的制程中，需要使用离子植入设备将等离子体植入到玻璃基板。在离子植入设备中，离子源气体通过送气管均匀的进入电离室，电离室内的灯丝通入电流后产生热电子，热电子与离子源气体发生碰撞形成等离子体。现有技术中，离子植入设备中的灯丝需要经过多次弯曲形成特定的形状，灯丝在弯曲点位置截面积会变小，导致弯折点的灯丝阻止大于未弯折部分，向灯丝通入电流后产生热电子，进入电离室内的离子源气体与热电子撞击产生等离子体，由于灯丝阻值大的部分会产生较多热电子，更多的热电子与离子源气体撞击产生更多的等离子体，导致灯丝的弯折点附近的等离子体浓度更高，灯丝附近的等离子体浓度不均匀，较高的等离子体浓度更易腐蚀灯丝，从而灯丝在长时间使用后更易在弯折点附近断裂，缩短了灯丝的寿命，提高了离子植入设备的维护成本和显示设备的生产成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种灯丝、电离室及离子植入设备，用以解决现有技术中灯丝在长时间使用后更易在弯折点附近断裂，灯丝的寿命短，离子植入设备的维护成本和显示设备的生产成本高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种灯丝，应用于离子植入设备，所述灯丝包括第一端部、第二端部及位于所述第一端部与所述第二端部之间的连接部，所述第一端部和所述第二端部用于电连接至供电器件，所述第一端部通过所述连接部相对所述第二端部弯折，并且弯折的所述连接部的截面尺寸与所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同。进一步，所述连接部包括主体部与凸起部，所述主体部连接于所述第一端部与所述第二端部之间，并且所述主体部的截面尺寸与所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同，所述凸起部凸设于所述主体部的截面尺寸方向的表面上，以使弯折前的所述连接部的截面尺寸大于所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸，弯折后的所述连接部的截面尺寸等于所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸。进一步，所述凸起部包括第一端、第二端及位于所述第一端与所述第二端之间的第三端，所述第一端凸设于所述主体部连接所述第一端部的一端，所述第二端凸设于所述主体部连接所述第二端部的一端，弯折前所述第一端至所述第三端的截面尺寸均匀增大，所述第二端至所述第三端的截面尺寸均匀增大，以使弯折后的所述连接部的截面尺寸均匀。进一步，弯折后的所述连接部的弧度不小于π，以使所述第一端部与所述第二端部的距离不大于所述连接部的弯折直径。进一步，所述第一端部、所述连接部及所述第二端部依次相连形成弯折单元，所述灯丝包括多个所述灯丝单元，每个所述灯丝单元的所述第一端部固定连接相邻的所述灯丝单元的所述第二端部，每个所述灯丝单元的所述第二端部固定连接相邻的所述灯丝单元的所述第一端部。进一步，相邻的两个所述灯丝单元的连接部的弯折方向相反。进一步，所述第一端部、所述第二端部及所述连接部一体成型。进一步，所述灯丝为钨丝。本专利技术还提供一种电离室，应用于离子植入设备，所述电离室包括腔体、送气管及以上任意一项所述的灯丝，所述送气管和所述灯丝位于所述腔体内，所述灯丝通电时产生热电子，所述送气管用于输出离子源气体，所述离子源气体撞击所述热电子，以产生等离子体。本专利技术还提供一种离子植入设备，所述离子植入设备包括以上任意一项所述的灯丝。本专利技术的有益效果如下：连接部为灯丝的弯折部分，灯丝弯折后各部位(第一端部、第二端部、连接部)的截面尺寸相同，由于灯丝的阻值与灯丝的截面尺寸有关，灯丝截面尺寸均匀，灯丝各部位的阻值相同，灯丝通电后各部位产生的热电子数量相同，热电子与离子源气体撞击产生等离子体，灯丝周围的等离子体浓度均匀，避免出现灯丝某部位附近等离子体浓度过高腐蚀灯丝，灯丝不易断裂，提高了灯丝的寿命，降低了离子植入设备的维护成本和显示设备的生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的明显变形方式。图1、图2及图3为本专利技术实施例一提供的灯丝弯折前的结构示意图。图4为本专利技术实施例一提供的灯丝弯折后的结构示意图。图5为本专利技术实施例一提供的灯丝的结构示意图。图6和图7为本专利技术实施例二提供的灯丝弯折后的结构示意图。图8为本专利技术实施例二提供的灯丝的结构示意图。图9为本专利技术实施例提供的电离室的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供的灯丝应用于离子植入设备，离子植入设备是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子植入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子植入设备广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。进一步的，本专利技术实施例提供的电离室及离子植入设备可以应用于显示设备的低温多晶硅薄膜晶体管和有机发光二极管的制程中，即植入等离子体于玻璃基板表面。请一并参阅图1、图2、图3及图4，本专利技术实施例一提供的灯丝100包括第一端部10、第二端部20及连接部30，连接部30位于第一端部10与第二端部20之间，并连接第一端部10与第二端部20。第一端部10和第二端部20用于电连接至供电器件，一种实施方式中，第一端部10背离连接部30的一端设有连接头，用于接入供电设备，第二端部20背离连接部30的一端也设有连接头，用于接入供电设备，从而使灯丝100与供电设备串联，供电设备向灯丝100输入电流流经灯丝100以产生热电子。第一端部10通过连接部30相对第二端部20弯折，具体的，第一端部10与第二端部20对称弯折，弯折的灯丝100一方面可以节省灯丝100的体积，另一方面提高单位空间产生的等离子体的浓度。进一步的，弯折的连接部30的截面尺寸与第一端部10及第二端部20的截面尺寸相同，即灯丝100各部位的截面尺寸均相同，灯丝100截面尺寸均匀。一种较佳的实施方式中，灯丝100的截面形状为圆形，其他实施方式中，灯丝100的截面形状也可以为椭圆形、矩形等形状。本实施例中，在灯丝100弯折前，连接部30的截面尺寸大于第一端部10及第二端部20的截面尺寸。具体的，弯折前，第一端部10的截面尺寸和第二端部20的截面尺寸相同，连接部30包括主体部32与凸起部34，主体部32连接于第一端部10与第二端部20之间，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种灯丝，应用于离子植入设备，其特征在于，所述灯丝包括第一端部、第二端部及位于所述第一端部与所述第二端部之间的连接部，所述第一端部和所述第二端部用于电连接至供电器件，所述第一端部通过所述连接部相对所述第二端部弯折，并且弯折的所述连接部的截面尺寸与所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同。

【技术特征摘要】
1.一种灯丝，应用于离子植入设备，其特征在于，所述灯丝包括第一端部、第二端部及位于所述第一端部与所述第二端部之间的连接部，所述第一端部和所述第二端部用于电连接至供电器件，所述第一端部通过所述连接部相对所述第二端部弯折，并且弯折的所述连接部的截面尺寸与所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同。2.根据权利要求1所述的灯丝，其特征在于，所述连接部包括主体部与凸起部，所述主体部连接于所述第一端部与所述第二端部之间，并且所述主体部的截面尺寸与所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸相同，所述凸起部凸设于所述主体部的截面尺寸方向的表面上，以使弯折前的所述连接部的截面尺寸大于所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸，弯折后的所述连接部的截面尺寸等于所述第一端部及所述第二端部的截面尺寸。3.根据权利要求2所述的灯丝，其特征在于，所述凸起部包括第一端、第二端及位于所述第一端与所述第二端之间的第三端，所述第一端凸设于所述主体部连接所述第一端部的一端，所述第二端凸设于所述主体部连接所述第二端部的一端，弯折前所述第一端至所述第三端的截面尺寸均匀增大，所述第二端至所述第三端的截面尺寸均匀增大，以使弯折后的所述连接部的截面尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢锐，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42