裸眼3D光栅及制备方法技术

本发明专利技术提供一种裸眼3D光栅，包括基层，在基层的一面设有低反射层或高反射层，低反射层或高反射层上方设有高反射层或低反射层，高反射层和低反射层为光栅结构。制备方法，包括以下步骤：在真空状态下，在磁控溅射设备中，以Mo靶作为靶材，通入氧气，制备低反射层；Al靶或Ag靶作为靶材，通入氩气，制备高反射层；刻蚀光栅；通过以上步骤实现裸眼3D光栅的制备。本发明专利技术能够一次生产两种反射属性相反的膜层，其中低反射层的反射率小于20%以下，高反射层的反射率大于70%以上，一次完成裸眼3D光栅制备。本发明专利技术能够采用更为廉价的普通玻璃基板，普通玻璃基板的光罩和普通精度的光罩，无需考虑两次曝光的图形的光罩套合问题，并将制备工序减少一道。

【技术实现步骤摘要】
裸眼3D光栅及制备方法
本专利技术涉及显示器件领域，特别是涉及一种裸眼3D光栅及制备方法。
技术介绍
中国专利文献CN104166240A记载了一种裸眼3D显示装置，其中记载有采用光栅式(barriertype)裸眼3D显示装置的结构。裸眼3D显示装置主要是利用双眼视差的原理使人产生3D感觉，即通过对入射光的光路进行调节，使人的左眼能够接收到左眼影像，人的右眼能够接收到右眼影像，且左眼影像和右眼影像不会互相串扰。现有的裸眼3D光栅挡板为遮罩式结构，制备过程中，采用各个功能光栅层分次制备的方案，各个光栅层之间的对位精度要求高，制备难度非常大。为了提高对位精度，需要采用低膨胀率的玻璃基板、低膨胀率的MASK（光罩）基板、高精度MASK，便于两次制备3D光栅图形间的套合、生产线对温度精准控制，要求玻璃基板的温度变化要在0.5度以下。例如CN104345935A中所述的触控传感器和包含此触控传感器的触控面板及其制作方法中，记载了一种溅镀方式形成的视差光栅层，利用溅镀（Sputter）或蒸镀的方式所形成的条状图案来做为其中的视差光栅，但该制备工艺的具体步骤未公开。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种裸眼3D光栅及制备方法，能够降低裸眼3D光栅制备过程中的技术难度，能够采用普通玻璃基板、普通的光罩基板和普通精度的光罩。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种裸眼3D光栅，包括基层，在基层的一面设有低反射层，低反射层上方设有高反射层，至少高反射层为光栅结构。优选的方案中，低反射层和高反射层为光栅结构。另一可选的方案中，一种裸眼3D光栅，在基层的一面设有高反射层，高反射层上方设有低反射层，高反射层和低反射层为光栅结构。优选的方案中，所述的基层为玻璃基板或透明塑料基板。优选的方案中，所述的低反射层为氧化钼层；所述的高反射层为铝层或银层。优选的方案中，由基层、低反射层和高反射层组成的光栅器件位于背光组件与阵列玻璃组件之间。一种制备上述的裸眼3D光栅的制备方法，包括以下步骤：一、在真空状态下，在磁控溅射设备中，以Mo靶作为靶材，通入氧气，在基层的一面以磁控反应溅射工艺制备低反射层；二、更换为Al靶或Ag靶作为靶材，通入氩气，在低反射层的表面以磁控反应溅射工艺制备高反射层；三、刻蚀光栅；通过以上步骤实现裸眼3D光栅的制备。另一可选的方案中，一种制备上述的裸眼3D光栅的制备方法，包括以下步骤：一、在磁控溅射设备中，以Al靶或Ag靶作为靶材，通入氩气，在基层的一面以磁控反应溅射工艺制备高反射层；二、更换为Mo靶作为靶材，通入氧气，在高反射层的表面以磁控反应溅射工艺制备低反射层；三、刻蚀光栅；通过以上步骤实现裸眼3D光栅的制备。优选的方案中，低反射层溅镀的温度条件为100~150℃；高反射层溅镀的温度条件为70~100℃。优选的方案中，所述的刻蚀方法采用黄光刻蚀，包括以下步骤：s1、上光阻；s2、用光罩曝光，光照条件为平行紫外线光线；光积量：50~150mj；s3、显影，显影后检测；s4、以刻蚀液刻蚀；s5、脱膜；通过以上步骤实现光栅刻蚀。本专利技术提供的一种裸眼3D光栅及制备方法，通过采用磁控反应溅射镀膜、配合黄光刻蚀的加工方案，能够一次生产两种反射属性相反的膜层，其中低反射层的反射率小于20%以下，高反射层的反射率大于70%以上，一次完成裸眼3D光栅制备。本专利技术能够采用更为廉价的普通玻璃基板，普通玻璃基板的光罩和普通精度的光罩，无需考虑两次曝光的图形的光罩套合问题，并将制备工序减少一道，有效降低了裸眼3D光栅的制备难度。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明：图1为本专利技术中裸眼3D光栅的原理图。图2为本专利技术中另一种裸眼3D光栅的原理图。图3为本专利技术中裸眼3D光栅的局部放大图。图4为本专利技术中另一种结构的裸眼3D光栅的局部放大图。图5为本专利技术的工艺流程图。图中：光栅器件1，基层101，低反射层102，高反射层103，显示器件2，背光组件3，第一偏光片4，第二偏光片5，阵列玻璃组件6，第一光学胶7，第二偏光片8，彩膜玻璃9，盖板10，定位块11，第二光学胶12。具体实施方式实施例1：如图4中，一种裸眼3D光栅，包括基层101，在基层101的一面设有低反射层102，低反射层102上方设有高反射层103，至少高反射层103为光栅结构。本专利技术中所述的光栅结构是指由高反射层103和低反射层102组成的线条，具有相同线宽和相同线距。优选的方案中，低反射层102和高反射层103为光栅结构。该结构为反贴的光栅器件1。高反射层103靠近背光组件。在本例中，采用如实施例7的刻蚀液刻蚀光栅时，通过控制刻蚀参数，使仅高反射层103被制备成光栅结构，而低反射层102保持不变。该结构下能够提高显示质量。刻蚀参数包括调整降低酸液的浓度配比和缩短刻蚀时间。实施例2：另一可选的方案如图3中，一种裸眼3D光栅，在基层101的一面设有高反射层103，高反射层103上方设有低反射层102，高反射层103和低反射层102为光栅结构。该结构为正贴的光栅器件1。基层101靠近背光组件。实施例3：在实施例1、2的基础上，优选的方案中，所述的基层101为玻璃基板或透明塑料基板。优选的方案中，所述的低反射层102为氧化钼层,氧化钼层包括一氧化钼层、二氧化钼层、三氧化钼层等；所述的高反射层103为铝层或银层。优选的方案如图2中，由基层101、低反射层102和高反射层103组成的光栅器件1位于背光组件3与阵列玻璃组件6之间。例如图2中，采用本专利技术反射式的光栅器件1的整个裸眼3D显示组件的结构依次为：背光组件3，背光组件3之上是第一偏光片4，第一偏光片4贴附在光栅器件1底部，第一偏光片4之上是光栅器件1，光栅器件1之上是第一光学胶7，第一光学胶7之上是第二偏光片5，第二偏光片5之上是阵列玻璃组件6，例如液晶阵列玻璃组件，阵列玻璃组件6之上是彩膜玻璃9，彩膜玻璃9用于改变透过光线的颜色，彩膜玻璃9之上是第二偏光片8，第二偏光片8之上是第二光学胶12，第二光学胶12之上是盖板10，或者盖板及触控模组。确保光栅器件1与阵列玻璃组件6的对齐，误差精度小于5μm。为确保对齐，在光栅器件1与阵列玻璃组件6靠近边缘的位置设有用于定位的定位块11。实施例4：如图5中所示，一种制备上述实施例1~3的裸眼3D光栅的制备方法，包括以下步骤：一、在真空状态下，在磁控溅射设备中，以Mo靶作为靶材，通入氧气，气压为1~10mTorr，在基层101的一面以磁控反应溅射工艺制备低反射层102；磁控溅射方式为直流(DC)磁控溅射，电流密度：4~60mA/cm，功率密度：1~40W/cm，沉积速率100nm/min~1000nm/min。二、更换为Al靶或Ag靶作为靶材，通入氩气，气压为1~10mTorr，在低反射层102的表面以磁控反应溅射工艺制备高反射层103；控制参数与步骤一中相同；三、刻蚀光栅；通过以上步骤实现裸眼3D光栅的制备。实施例5：另一可选的方案如图5中，一种制备上述实施例1~3的裸眼3D光栅的制备方法，包括以下步骤：一、在磁控溅射设备中，以Al靶或Ag靶作为靶材，通入氩气，气压为1~10mTorr，在基层101的一面以磁控反应溅射工艺制备高反射层103；磁控溅射方式为直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种裸眼3D光栅，包括基层（101），其特征是：在基层（101）的一面设有低反射层（102），低反射层（102）上方设有高反射层（103），至少高反射层（103）为光栅结构。

【技术特征摘要】
1.一种裸眼3D光栅，包括基层（101），其特征是：在基层（101）的一面设有低反射层（102），低反射层（102）上方设有高反射层（103），至少高反射层（103）为光栅结构。2.根据权利要求1所述的裸眼3D光栅，其特征是：低反射层（102）和高反射层（103）为光栅结构。3.一种裸眼3D光栅，包括基层（101），其特征是：在基层（101）的一面设有高反射层（103），高反射层（103）上方设有低反射层（102），高反射层（103）和低反射层（102）为光栅结构。4.根据权利要求1~3任一项所述的裸眼3D光栅，其特征是：所述的基层（101）为玻璃基板或透明塑料基板。5.根据权利要求1~3任一项所述的裸眼3D光栅，其特征是：所述的低反射层（102）为氧化钼层；所述的高反射层（103）为铝层或银层。6.根据权利要求1~3任一项所述的裸眼3D光栅，其特征是：由基层（101）、低反射层（102）和高反射层（103）组成的光栅器件（1）位于背光组件（3）与阵列玻璃组件（6）之间。7.一种制备权利要求1、2、4~6所述的裸眼3D光栅的制备方法，其特征是包括以下步骤：一、在真空状态下，在磁控溅射设备中，以Mo靶作为靶材，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝永贵，江涛，贾文，刘为乐，翟健文，曹建强，
申请(专利权)人：宜昌南玻显示器件有限公司，中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42