The invention discloses a manufacturing method for the insulation structure of power electronic devices, which belongs to the field of power electronic technology. The manufacturing method comprises: providing a heat sink, copper substrate, an insulating layer, a chip and pin, the insulating layer is arranged on the top of the copper substrate, the chip is mounted on the insulating layer, the connecting pin and the chip, the copper substrate mounted on a heat sink. Manufacturing method of a power electronic device of the invention of the insulation structure, the insulating layer installed on the copper substrate so that the current generated by the chip cannot transfer to the copper substrate, so that the copper substrate electrical insulation, accordingly, between the copper substrate and the heat sink can be set with insulating layer, therefore, the insulation structure of a power electronic device produced by this invention, in ensuring the normal use of the function of the power electronic devices, more heat conduction effect on copper substrate to the heat sink, helps to ensure the normal use of power electronic devices.
【技术实现步骤摘要】
一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法
本专利技术属于电力电子
,尤其涉及一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法。
技术介绍
铜基板是金属基板中最贵的一种电力电子器件,导热效果比铝基板和铁基板都好很多倍,适用于高频电路以及高低温变化大的地区及精密通信设备的散热和建筑装饰行业。铜基板是导电层,铜基板通常是安装在散热片上的,在很多电力电子器件的应用中,铜基板需要进行绝缘保护。在实现本专利技术的过程中,申请人发现现有技术中至少存在以下不足:现有技术中,对铜基板进行绝缘保护的方式通常是在在铜基板朝向散热片的侧部加装绝缘层,该绝缘层可以是陶瓷片或绝缘胶套等,此方法虽然起到了一定的绝缘保护作用,但是对铜基板的导热造成很大的影响,影响电力电子器件的正常使用。
技术实现思路
针对上述现有技术存在问题,本专利技术提供一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法,该方法制造出来的电力电子器件的绝缘结构,具有绝缘和散热性能好的特点。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的:一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供散热片、铜基板、绝缘层、芯片和管脚;将所述绝缘层安装在所述铜基板的顶部上;将所述芯片安装在所述绝缘层上;将所述管脚与所述芯片电连接;将所述铜基板安装在所述散热片上。进一步地,将所述绝缘层安装在所述铜基板的顶部上包括;在所述绝缘层的底部覆盖第一铜片;将所述第一铜片焊接在所述铜基板的顶部上。进一步地,将所述芯片安装在所述绝缘层上包括:所述绝缘层的顶部覆盖有第二铜片,所述芯片焊接在所述第二铜片上。更进一步地,将所述管脚与所述芯片电连接包括:所述管脚插接在 ...
【技术保护点】
一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供散热片、铜基板、绝缘层、芯片和管脚;将所述绝缘层安装在所述铜基板的顶部上;将所述芯片安装在所述绝缘层上;将所述管脚与所述芯片电连接;将所述铜基板安装在所述散热片上。
【技术特征摘要】
1.一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供散热片、铜基板、绝缘层、芯片和管脚;将所述绝缘层安装在所述铜基板的顶部上;将所述芯片安装在所述绝缘层上;将所述管脚与所述芯片电连接;将所述铜基板安装在所述散热片上。2.根据权利要求1所述的一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法,其特征在于,将所述绝缘层安装在所述铜基板的顶部上包括;在所述绝缘层的底部覆盖第一铜片;将所述第一铜片焊接在所述铜基板的顶部上。3.根据权利要求1所述的一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法,其特征在于,将所述芯片安装在所述绝缘层上包括:所述绝缘层的顶部覆盖有第二铜片,所述芯片焊接在所述第二铜片上。4.根据权利要求3所述的一种电力电子器件的绝缘结构的制造方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:王丕龙,徐旭,王新强,
申请(专利权)人:青岛佳恩半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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