电子封装件及基板结构制造技术

一种电子封装件及基板结构，包括：一表面形成有至少一倒角的基板、以及结合至该基板的多个导电体，以供该基板结构通过该倒角分散于封装制程中所产生的应力，避免该基板结构发生破裂问题。

Electronic package and substrate structure

Including an electronic package and substrate structure, a surface is formed with at least one chamfered substrate, a plurality of conductors and bonded to the substrate, the stress for the substrate structure through the chamfer dispersion produced in the packaging process, avoid the substrate structure rupture problem.

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及基板结构
本专利技术有关一种半导体封装件，尤指一种能提高产品良率的电子封装件及其基板结构。
技术介绍
目前应用于芯片封装领域的技术繁多，例如芯片尺寸封装(ChipScalePackage，简称CSP)、芯片直接贴附封装(DirectChipAttached，简称DCA)或多芯片模组封装(Multi-ChipModule，简称MCM)等覆晶型封装模组、或将芯片立体堆迭化整合为三维积体电路(3DIC)芯片堆迭模组。图1为悉知3DIC式半导体封装件1的剖面示意图。如图1所示，将一半导体芯片13通过多个焊锡凸块130设于一硅中介板(ThroughSiliconinterposer，简称TSI)12上，其中，该硅中介板12具有多个导电硅穿孔(Through-siliconvia，简称TSV)120及电性连接该些导电硅穿孔120与该些焊锡凸块130的线路重布层(Redistributionlayer，简称RDL)121，且该硅中介板12通过该些导电硅穿孔120与多个导电元件110结合至一封装基板11上，再以底胶10’包覆该些导电元件110与该些焊锡凸块130，并以封装胶体10包覆该半导体芯片13与该硅中介板12。然而，悉知半导体封装件1的封装制程中，于遭遇温度循环(temperaturecycle)或应力变化时，如搬运、通过回焊炉、或经历落摔等制程或测试时，该半导体芯片13及该硅中介板12会在各角落形成较大的角落应力(CornerStress)，导致该半导体芯片13及该硅中介板12会沿角落处发生破裂(Crack)(如图所示的破裂处K)；或由于该半导体芯片13、硅中介板12及封装基板11间因热膨胀系数(Coefficientofthermalexpansion，简称CTE)不匹配(mismatch)而与该封装胶体10或底胶10’分离，即产生脱层(delaminating)问题，造成该硅中介板12无法有效电性连接该半导体芯片13或无法通过可靠度测试，致使产品的良率不佳。前述问题对于现今电子产品要求轻薄短小及芯片薄化趋势下更显严重。因此，如何克服上述悉知技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述悉知技术的种种缺失，本专利技术提供一种电子封装件及基板结构，避免基板结构发生破裂问题。本专利技术的基板结构，包括：一基板，于其表面形成有至少一第一倒角；以及多个导电体，其结合至该基板。本专利技术还提供一种电子封装件，包括：一承载件；至少一基板，其接置于该承载件上，且于该基板的表面形成有至少一第一倒角；多个导电体，其供电性连接该基板与该承载件；以及封装体，其形成于该基板与该承载件之间。前述的电子封装件中，该封装体覆盖该基板。前述的电子封装件及其基板结构中，该第一倒角设于该基板的角落位置。前述的电子封装件及其基板结构中，该基板的表面上还具有未贯穿该基板的凹部。例如，该第一倒角与凹部相隔一距离，且该凹部设于该基板的角落位置，又该凹部的形式为开口宽度大而内部空间宽度小、或该凹部的形式为开口宽度小而内部空间宽度大。前述的电子封装件及其基板结构中，该基板还形成有从该第一倒角延伸出的第二倒角。前述的电子封装件及其基板结构中，该导电体为线路层、导电柱或导电凸块所组群组的其中一者。由上可知，本专利技术的电子封装件及基板结构，主要通过该第一倒角的设计来分散该基板所受应力，并通过该凹部的设计来增加该基板与该封装层的结合力，故能避免该基板于封装制程中发生破裂或脱层等问题，因而能提高产品良率。附图说明图1为悉知半导体封装件的剖面示意图；图2为本专利技术的基板结构的剖面示意图；图3及图3’为图2的另一实施例的剖面示意图；图4为本专利技术的基板结构的凹部的各种形状的剖面示意图；图5A至图5F为本专利技术的基板结构的各种不同实施例的上视示意图；以及图6为本专利技术的电子封装件的剖面示意图。符号说明1半导体封装件10,601封装胶体10’,600底胶11封装基板110导电元件12硅中介板120导电硅穿孔121线路重布层13半导体芯片130焊锡凸块2,3基板结构21基板21a表面21c侧面210第一倒角25导电体25a金属柱25b焊锡材料31密封环310第二倒角34,34’,34”凹部6电子封装件60封装体61第一基板62第二基板63承载件A布线区K破裂处L距离R开口宽度D深度。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”、“第三”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图2为本专利技术的基板结构2的剖面示意图。如图2所示，该基板结构2包括：于其表面形成有至少一第一倒角210的基板21、以及多个结合至该基板21的导电体25。所述的基板21为半导体板材，且于其一表面21a的边缘(如角落处)形成该第一倒角210。然而，该基板21的板材也可为陶瓷板材或有机材料，如玻纤树脂或印刷电路板等，并不限于上述。于本实施例中，该基板21为硅晶圆、硅芯片或硅中介板，且该基板21可为条状(stripform)或已切单体(singulation)，并以梯形刀于该基板21上切割出该第一倒角210。此外，该基板21可为各式几何形状的板体，如矩形、多边形或圆形等，且可为对称板体或不对称板体，故该基板21的外观形状的种类繁多，并无特别限制。又，该第一倒角210的表面为平直斜面(如图6所示)、内凹圆弧状(如图2及图3图所示)、外凸圆弧状(如图3’所示)或其它形状等。所述的导电体25为线路层(图未示)、导电柱或导电凸块(如图2所示)所组群组的其中一者。于本实施例中，各该导电体25包含有一金属柱25a与一焊锡材料25b。于另一实施例中，如图3及图3’所示，该基板结构3还包括一设于该基板21的表面21a上的密封环31，该密封环31环绕该基板21的布线区A(用以布设该导电体25的区域)，且该基板21的表面21a上于该密封环31外具有至少一未贯穿该基板21的凹部34，并使该第一倒角210与该凹部34相隔一距离L，也就是该凹部34位于该第一倒角210与该密封环31之间，以避免切割刀具碰触该导电体25而造成包刀(即金属材料因受刀具切割而内缩以包覆该刀具)的问题。具体地，该凹部34的制作方式繁多，例如，制作该凹部34的方式可为超声波研磨、化学机械研磨(Chemical-MechanicalPolishing，简称CMP)、激光、水刀、等向/非等向性蚀刻、干/湿蚀刻或上述加工法的搭配组合等。此外，如图4所示，该凹部34,34’,34”的尺寸可依后述图6所示的封装体60的胶材种类而变化，即该凹部34的深宽比可允许胶材的颗粒进出而不会造成胶材流动堵塞。若以目前封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板结构，其特征为，该基板结构包括：一基板，其表面形成有至少一第一倒角；以及多个导电体，其结合至该基板。

【技术特征摘要】
2016.04.25 TW 1051128021.一种基板结构，其特征为，该基板结构包括：一基板，其表面形成有至少一第一倒角；以及多个导电体，其结合至该基板。2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该第一倒角设于该基板的角落位置。3.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该基板的表面还形成有未贯穿该基板的凹部。4.根据权利要求3所述的基板结构，其特征为，该第一倒角与凹部相隔一距离。5.根据权利要求3所述的基板结构，其特征为，该凹部设于该基板的角落位置。6.根据权利要求3所述的基板结构，其特征为，该凹部的形式为开口宽度大而内部空间宽度小。7.根据权利要求3所述的基板结构，其特征为，该凹部的形式为开口宽度小而内部空间宽度大。8.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该基板还形成有自该第一倒角延伸出的第二倒角。9.根据权利要求1所述的基板结构，其特征为，该导电体为线路层、导电柱或导电凸块所组群组的其中一者。10.一种电子封装件，其特征为，该电子封装件包括：一承载件；至...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁芳瑜，张宏宪，林长甫，林畯棠，张博豪，王伯豪，曾文聪，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71