耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，包括下列步骤：设置耐高温磁性吸附组件于载具的第一容置空间内、设置芯片于载具的第二容置空间内以及以非磁性金属掩膜覆盖载具的第二容置空间，其中高温的温度大于80℃以上。本发明专利技术还提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，包括一载具、一耐高温磁性吸附组件、一芯片以及一非磁性金属掩膜。载具具有第一容置空间及第二容置空间。耐高温磁性吸附组件设置于第一容置空间内。芯片设置于载具的第二容置空间内。非磁性金属掩膜覆盖载具的第二容置空间，其中高温的温度为80℃以上。

Method and device for forming high temperature resistant light emitting diode evaporation coating pattern

The invention provides a high temperature resistant method of light emitting diode deposited film pattern is formed, which comprises the following steps: setting the high temperature magnetic adsorption component on the carrier of the first accommodating space, set the chip carrier second containing space and using non magnetic metal mask covering carrier second containing space. The temperature of the temperature above 80 DEG C. The invention also provides a device for forming a high temperature resistant light emitting diode evaporation coating pattern, which comprises a carrier, a high temperature magnetic adsorption component, a chip and a nonmagnetic metal mask. The carrier has the first hold space and the two hold space. The high temperature magnetic adsorption assembly is arranged in the first accommodation space. The chip is arranged in the second hold space of the carrier. The nonmagnetic metal mask covers the second space of the carrier, in which the temperature of high temperature is above 80 degrees.

【技术实现步骤摘要】
耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法及其装置
本专利技术旨在提供一种大幅降低制造成本、并使产品方便量产化制造的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法及其装置，尤适于应用在发光二极管电极或类似结构的制造。
技术介绍
发光二极管由于耗电量少、体积小，目前广泛地应用于家电用品的指示灯、移动电话的背光光源、交通信号、广告广告牌以及汽车第三煞车灯等等。一般发光二极管的制法，首先制作出III-V化合物芯片后，再于III-V化合物芯片上制作金属电极，而后进行切割以形成发光二极管晶粒，最后进行封装作业，即可完成发光二极管的制作。现有的发光二极管金属电极的制作方法，大致可分为二种，第一种方法是先于III-V化合物芯片表面镀上一层金属膜，接续利用微影蚀刻技术形成一图案化光阻层，并以该图案化光阻层为掩膜，蚀刻该金属膜，以完成金属电极的制作；另一种方法则是于III-V化合物芯片上涂布一层光阻并进行微影成像后，镀上一层金属膜，再进行光阻浮离工艺，使金属成像完成金属电极的制作。但是，上述方法均需利用微影蚀刻工艺才能完成电极的制作，但微影蚀刻工艺相当烦琐、复杂，在制作上具有较高的困难。再者，为改善上述工艺的缺点，其使用的磁性吸附组件在当工作温度为80℃以上时，将产生磁力衰退、退化的现象，造成无法紧密吸附非磁性金属掩膜的问题。因此，如何提出一种可减化工艺、方便制造、大幅降低制造成本以及适用于高温工作环境，并使所制出的发光二极管具有所需电极为本专利技术的用意。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，包括下列步骤：设置耐高温磁性吸附组件于载具的第一容置空间内、设置芯片于载具的第二容置空间内以及以非磁性金属掩膜覆盖载具的第二容置空间，其中高温的温度为80℃以上。本专利技术更提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，包括一载具、一耐高温磁性吸附组件、一芯片以及一非磁性金属掩膜。载具具有第一容置空间及第二容置空间。耐高温磁性吸附组件设置于第一容置空间内。芯片设置于载具的第二容置空间内。非磁性金属掩膜覆盖载具的第二容置空间，其中高温的温度为80℃以上。如上所述，本专利技术公开一改进现有微影蚀刻工艺繁琐、复杂的缺点，而提供一种工艺精简、降低成本、抵抗高温(耐高温)、并可令芯片电极方便量产化的耐高温发光二极管蒸镀膜图案形成的方法及装置。附图说明图1A及图1B为本专利技术耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置分解立体图及侧视图；图2为本专利技术蒸镀的使用状态图；图3A及图3B为耐高温磁性吸附组件相比于一般磁铁烘烤累积时间的衰退率比较图；图4为耐高温磁性吸附组件于各种工作温度范围的钕铁硼磁铁材料特性图。【符号说明】10载具12容置空间13定位孔20耐高温磁性吸附组件30非磁性金属掩膜40芯片50挡片51定位柱52结合柱60蒸镀转盘61点蒸发源具体实施方式请参阅图1A及图1B，其为本专利技术耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置分解立体图及侧视图。本专利技术提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，包括一载具10、一耐高温磁性吸附组件20、一非磁性金属掩膜30以及一芯片40。载具10具有第一容置空间11及第二容置空间12。耐高温磁性吸附组件20设置于第一容置空间11内。芯片40设置于载具10的第二容置空间12内。非磁性金属掩膜30覆盖载具10的第二容置空间，其中高温的温度为80℃以上。载具10可为圆形、方形或三角形等任意形状，而载具10的周缘上、下各延伸一适当长度的边框，使载具10的上、下方各形成一容置空间11、12，且载具10一侧边框上设置有数个定位孔13。耐高温磁性吸附组件20是配合载具10的外形而设计，以便于设置于载具10下方的容置空间11中。非磁性金属掩膜30包括不具磁性的金属薄片，其中非磁性金属掩膜30的厚度为10μm～100μm，其是配合载具10外形而设置。此外，不具磁性的金属薄片上设有所需的多孔状几何图形。芯片40设置于载具10上方的容置空间12内。挡片50对应载具10设置有定位孔13处的一侧，突出设置至少一定位柱51，另一侧中央设置结合柱52。如上所述，实际制造时，将耐高温磁性吸附组件20置于挡片50上设有定位柱51之处，再将载具10设有定位孔13的一侧朝下并与定位柱51扣合，使耐高温磁性吸附组件20置于载具10下方的容置空间11内，另外，把芯片40置于载具10上方的容置空间12中，最后再将设有所需图形的非磁性金属掩膜30置于芯片40的表面，使非磁性金属掩膜30完整覆盖芯片40，此时，非磁性金属掩膜30即被下方的耐高温磁性吸附组件20的磁力所吸附，芯片40则被非磁性金属掩膜30与耐高温磁性吸附组件20夹住并固定，以便于挡片50进行蒸镀，并于芯片40上直接形成所需的电极。请参阅图2，其为本专利技术蒸镀的使用状态图。蒸镀转盘60包括一球面部，并与点蒸发源61之间以一预定距离相对设置。再者，利用挡片50底部所设的结合柱52，以将多个挡片50结合于蒸镀转盘60的球面部上，使每一挡片50上的芯片40与点蒸发源61近乎成垂直角度，以使图案移转完整及减少图案周边膜厚下降，而方便芯片40镀膜成像。请参阅图3A及图3B，其为耐高温磁性吸附组件相比于一般磁铁烘烤累积时间的衰退率比较图。于本专利技术中，耐高温磁性吸附组件20包括耐高温磁铁，其指能够承受环境温度80℃以上的磁铁。需注意的是，图3A中所测试的烘烤温度是以100℃作为测试温度，但于本专利技术中并不以此为限。相比之下，一般磁铁在经过相同的烘烤时间以及相同的环境温度之后，其磁力衰退的幅度远远大于耐高温磁性吸附组件20衰退的程度，因而可能影响到吸附非磁性金属掩膜30的紧密程度。于本专利技术中，耐高温磁性吸附组件20包括钕铁硼磁铁、钐钴磁铁以及铝镍钴磁铁，于本专利技术中并不以此为限。根据不同的工作温度范围，用户可选择不同材料的耐高温磁性吸附组件。请参阅图4，其为耐高温磁性吸附组件于各种工作温度范围的钕铁硼磁铁材料特性图。例如，于80℃至240℃的工作温度之间，可根据图4选择不同类型的钕铁硼磁铁，包括M型、H型、SH型、UH型、EH型以及AH型。此外，根据其它实验结果，于240℃至350℃的工作温度之间，可选择不同混合比例的钐钴磁铁，例如在240℃至250℃的工作温度之间，可选用1∶5比例的钐钴磁铁，在250℃至350℃的工作温度之间，可选用2∶17比例的钐钴磁铁。大于350℃的工作温度时，可选择铝镍钴磁铁。需注意的是，上述界定的工作温度数值范围并非为一定标准，而是作为使用者选择的对照参考。此外，本专利技术还提供一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，包括下列步骤：设置耐高温磁性吸附组件20于载具10的第一容置空间11内、设置芯片40于载具10的第二容置空间12内以及以非磁性金属掩膜30覆盖载具10的第二容置空间12，其中高温的温度为80℃以上。如上所述，上述方法还包括以一挡片50覆盖载具10的第一容置空间11的步骤。再者，耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法还包括根据不同工作温度范围选择不同材料的该耐高温磁性吸附组件的步骤。进一步而言，该步骤包括于80℃至240℃的工作温度之间，选择不同类型的钕铁硼磁铁耐的高温磁性吸附组件；于240℃至350℃的工作温度之间，选择不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，包括下列步骤：设置一耐高温磁性吸附组件于一载具的一第一容置空间内；设置一芯片于该载具的一第二容置空间内；以及以一非磁性金属掩膜覆盖该载具的该第二容置空间；其中，该高温的温度为80℃以上。

【技术特征摘要】
1.一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，包括下列步骤：设置一耐高温磁性吸附组件于一载具的一第一容置空间内；设置一芯片于该载具的一第二容置空间内；以及以一非磁性金属掩膜覆盖该载具的该第二容置空间；其中，该高温的温度为80℃以上。2.如权利要求1所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，还包括以一挡片覆盖该第一容置空间的步骤。3.如权利要求1所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，还包括根据不同工作温度范围选择不同材料的该耐高温磁性吸附组件的步骤。4.如权利要求3所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，其中该步骤包括于80℃至240℃的工作温度之间，选择不同类型的钕铁硼磁铁耐的高温磁性吸附组件。5.如权利要求3所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，其中该步骤包括于240℃至350℃的工作温度之间，选择不同混合比例的钐钴磁铁的耐高温磁性吸附组件。6.如权利要求3所述的耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的方法，其特征在于，其中该步骤包括于大于350℃的工作温度选择铝镍钴磁铁的耐高温磁性吸附组件。7.一种耐高温的发光二极管蒸镀膜图案形成的装置，其特征在于，包括：一载具，具有一第一容置空间及一第二容置空间；一耐高温磁性吸附组件，设置于该第一容置空间内；一芯片，设置于该载具的该第二容置空间内；以及一非磁性金属掩膜，覆盖该载具的该第二容置空间；其中，该高温的温度为80℃以上。8.如权利要求7所述的耐高温...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚正，刘建政，杨政达，
申请(专利权)人：元茂光电科技武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42