The present invention discloses a silicon material heating crucible with a buffer layer, which belongs to the technical field of monocrystalline silicon production. It includes the protection and quartz crucible crucible, quartz crucible nested in the crucible crucible for protection, protection of the integrated structure, between the quartz crucible and the crucible in the protection of side wall position and bottom position have gap, gap filled with sand cushion. The present invention in protection crucible is an integral structure, can prevent the silicon vapor into the crucible to improve protection of protection, the service life of the crucible, and the quartz crucible and crucible, the protection is not in direct contact, but the gap between the two crucible filled with buffer sand, sand cushion can absorb the expansion force of the quartz crucible, to protect protection Guo up.
【技术实现步骤摘要】
一种带缓冲夹层的硅料加热埚
本专利技术涉及单晶硅生产
,特别是指一种带缓冲夹层的硅料加热埚。
技术介绍
在直拉单晶硅的生产中,特别是大直径单晶硅的生产中,大部分采用分瓣的石墨埚,这样才能避免石墨埚在生产中发生断裂而造成的闷炉事故。但是石墨埚开瓣后也存在一些问题,一是其开瓣处存在间隙,造成硅蒸气进入埚内,影响石墨埚的寿命;二是石墨埚每一瓣都已不再是完整的圆形结构,使得石墨埚在生产中容易断裂。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提出一种带缓冲夹层的硅料加热埚,其能够有效保护加热埚中的外层保护埚,提高保护埚的使用寿命。基于上述目的,本专利技术提供的技术方案是:一种带缓冲夹层的硅料加热埚,包括保护埚和石英埚,石英埚嵌套在保护埚内,保护埚为一体化结构,石英埚和保护埚之间在侧壁位置处和底部位置处均具有间隙,间隙内填充有缓冲砂。可选的,保护埚和石英埚之间设有使石英埚悬在保护埚内的支撑结构,支撑结构位于保护埚和石英埚的埚口位置处。可选的,石英埚的埚沿处设有至少两个向埚外延伸的、用于将石英埚架在保护埚的埚口处的第一挡瓣,第一挡瓣将石英埚的埚口外径扩展为第一直径,第一挡瓣为支撑结构的组成部分之一,相邻两个第一挡瓣之间具有用于向间隙内填充缓冲砂的空隙。可选的,支撑结构还包括位于保护埚埚口处的、向保护埚埚内延伸的第二挡瓣,第二挡瓣将保护埚的埚口内径缩小为第二直径,第一直径大于第二直径。可选的,第二挡瓣直接设置在保护埚的埚沿上,且与保护埚为一体化结构。可选的,第二挡瓣设置在一个定位圈的圈壁顶部,定位圈套在保护埚的埚口处并通过第二挡瓣挂在保护埚的埚沿上。可选的,所有第一挡瓣沿圆周均 ...
【技术保护点】
一种带缓冲夹层的硅料加热埚,包括保护埚和石英埚,所述石英埚嵌套在所述保护埚内,其特征在于,所述保护埚为一体化结构,所述石英埚和所述保护埚之间在侧壁位置处和底部位置处均具有间隙,所述间隙内填充有缓冲砂。
【技术特征摘要】
1.一种带缓冲夹层的硅料加热埚,包括保护埚和石英埚,所述石英埚嵌套在所述保护埚内,其特征在于,所述保护埚为一体化结构,所述石英埚和所述保护埚之间在侧壁位置处和底部位置处均具有间隙,所述间隙内填充有缓冲砂。2.根据权利要求1所述的带缓冲夹层的硅料加热埚,其特征在于,所述保护埚和石英埚之间设有使所述石英埚悬在所述保护埚内的支撑结构,所述支撑结构位于所述保护埚和所述石英埚的埚口位置处。3.根据权利要求2所述的带缓冲夹层的硅料加热埚,其特征在于,所述石英埚的埚沿处设有至少两个向埚外延伸的、用于将所述石英埚架在所述保护埚的埚口处的第一挡瓣,所述第一挡瓣将所述石英埚的埚口外径扩展为第一直径,所述第一挡瓣为所述支撑结构的组成部分之一,相邻两个第一挡瓣之间具有用于向所述间隙内填充缓冲砂的空隙。4.根据权利要求3所述的带缓冲夹层的硅料加热埚,其特征在于,所述支撑结构还包括位于所述保护埚埚口处的、向保护埚埚内延伸的第二挡瓣,所述第二挡瓣将所述保护埚的埚口内径缩小为第...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘军波,焦鹏,李杰涛,
申请(专利权)人:宁晋晶兴电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:河北,13
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