The invention discloses an electronic programming using the current programmable fuse circuit structure, including circuit matrix unit, current mirror and a reference current source, the current reference generating circuit generates a reference current through the proportional current mirror for current programming, programmable current control the programmable fuse unit matrix. The matrix unit includes a m * n fuse unit, n column selection unit and a decoding unit, the n column and n column fuse unit are respectively connected to the fuse unit includes a fuse resistor and a programming transistor, the column selection unit includes a column select transistor, the decoding unit for determining fuse unit to be programmed fuse in the ranks of the position. The present invention provides an electronic programmable fuse circuit structure adopting current programming, and adopts the electric transfer mechanism to program the fuse, which has the advantages of increasing the fusing resistance and stable and reliable structure of the programming fuse circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构
本专利技术涉及电路保护领域,具体涉及一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构。
技术介绍
电子可编程熔丝(EFUSE-electricallyprogrammingFuse)技术是根据多晶硅熔丝特性发展起来的技术。随着EFUSE的理论与技术逐渐成熟,EFUSE的应用范围迅速扩大。例如,在集成电路中设计多个相同功能的电路模块作为备份,当发现其中一个电路模块有缺陷时,通过熔丝单元将其烧断,而使用具有相同功能的另一个电路模块取代。又如,设计一款通用的集成电路,根据不同用户的需求,将不需要的电路模块通过熔丝单元烧断,这样一款集成电路设计就可以以经济的方式制造并适用于不同客户。目前最常见的两种熔断模式包括热断裂(thermalrupture)模式和电迁移(EM)模式,现有EFUSE编程技术采用电压编程技术,电路结构如图1所示,电压编程EFUSE电路包括熔丝电阻EFUSE,编程晶体管NM1,编程电压源VFS。在编程熔丝过程中,当电子可编程熔丝处于编程熔丝状态时,EFUSElink阳极端施加编程电压源VFS,然后与行地址对应的字线信号(WL)为高电平时选中其中的某一行打开编程晶体管NM1,通过热断裂(thermalrupture)现象改变熔丝EFUSE的物理结构,由未被编程之前的低阻抗状态变成高阻抗状态,实现对熔丝EFUSE的编程。传统的用电压编程EFUSE结构电路图虽然可以熔断EFUSE熔丝电阻,但由于电流过大,多晶硅电熔丝局部聚集的热量非常大,导致多晶硅电熔丝爆裂。如果此时多晶硅熔丝出现过编程,会导致金属链上的大部分金属硅化 ...
【技术保护点】
一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构,其特征在于,包括矩阵单元、电流镜和基准电流源产生电路,所述基准电流源产生电路产生的基准电流经过所述电流镜成比例放大为编程电流,上述编程电流控制所述矩阵单元进行编程熔丝。
【技术特征摘要】
1.一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构,其特征在于,包括矩阵单元、电流镜和基准电流源产生电路,所述基准电流源产生电路产生的基准电流经过所述电流镜成比例放大为编程电流,上述编程电流控制所述矩阵单元进行编程熔丝。2.根据权利要求1所述的一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构,其特征在于,所述矩阵单元包括m×n个熔丝单元、n个列选单元和译码单元,所述n个列选单元分别和n列熔丝单元连接,所述列选单元包括列选晶体管,所述列选晶体管一端连接电流镜的输出端,另一端连接位于该列选晶体管所在列的熔丝单元,所述熔丝单元包括熔丝电阻和编程晶体管,所述熔丝电阻的一端连接所在列的列选晶体管,另一端连接该熔丝单元中的编程晶体管,同时所述编程晶体管的另一端接地,所述译码单元用于确定需要进行编程熔丝的熔丝单元所在的行列位置,其中,m和n均为正整数。3.根据权利要求2所述的一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构,其特征在于,所述列选晶体管为PMOS列选晶体管。4.根据权利要求2所述的一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构,其特征在于,所述编程晶体管为NMOS编程晶体管。5.根据权利要求2所述的一种采用电流编程的电子可编程熔丝电路结构,其特征在于,所述译码单元包括行译码单元和列译码单元,所述列译码单元用于确定需要进行编程熔丝的熔丝单元所在的列,并控制该列中的列选晶体管打开;所述行译码单元用于确定需要进行编程熔丝的熔丝单元...
【专利技术属性】
技术研发人员:任永旭,金建明,顾明,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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