The utility model discloses a gate protection circuit is connected with the driving plate including the drive pulse signal output port D and port D Gon E, connecting the gate of the IGBT port IGBT G and connect the IGBT emitter port IGBT E; and the gate is connected between the port and port IGBT Gon D G the driving resistor connected between the port E and port IGBT D E source driver resistance; the connection between G and port IGBT port IGBT E IGBT conduction pressure relief circuit and IGBT shutdown circuit for pressure relief. The utility model is added with the part of the circuit, the turn-on and turn off the energy absorption when discharged, the design reduces driving resistance, reduce the loss of IGBT; IGBT can work normally, the door pole voltage stable at about 16V, to ensure the long-term operation performance and service life of IGBT.
【技术实现步骤摘要】
一种栅极保护电路
本技术涉及高压变频器,特别是一种用于高压变频器和MMC变频器IGBT门极保护的栅极保护板。
技术介绍
功率单元是使用功率电力电子器件进行整流、滤波、逆变的高压变频器主回路的主要部件,每个功率单元都相当于一台交-直-交电压型单相低压变频器,目前功率单元使用的核心器件是IGBT,对于如何良好的驱动IGBT,驱动电路的设计是核心。目前行业内高压变频器采用的门极保护板,现在正在使用的栅极保护板比较简单(如图1所示),IGBT工作时,主要靠TVS管(D2)吸收瞬间的浪涌,但是有时TVS管不能把浪涌的能量吸收完,在波形上就会看到Vge电压尖峰很高,带载运行的时候,Vge有时就超过了20V;在做短路实验时,Vge的值直接超过了20V,使IGBT处于危险工作状态,随时可能爆炸;因此现有的栅极保护板虽然可以使得变频器运行起来,但是对于其长期运行的性能、寿命却没有得到保障。IGBT正常开通时,通过TVS管把门极电压抑制在+20V以下,根据测试发现,空载的时候确实能够抑制住门极电压不超过20V,但是带载的时候就会出现门极电压超过20V的情况,IGBT随时有失效的风险;IGBT关断时,为了不出现太高的开通阀值电平,在现有的电路下,只能加大门极电阻阻值和门极电容容值,把IGBT关断过程中多余的能量进行吸收消耗掉,但是这样又会使IGBT正常工作时的损耗增大。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本技术的目的是提供一种栅极保护电路。本技术采用的技术方案是:一种栅极保护电路,包括连接驱动板输出驱动脉冲信号的端口D-Gon与端口D-E,连接IGBT栅极的端口IGBT-G及连接IGB ...
【技术保护点】
一种栅极保护电路,其特征在于:包括连接驱动板输出驱动脉冲信号的端口D‑Gon 与端口D‑E,连接IGBT 栅极的端口IGBT‑G 及连接IGBT 射级的端口IGBT‑E;以及连接在端口D‑Gon 与端口IGBT‑G之间的栅极驱动电阻,连接在端口D‑E与端口IGBT‑E之间的源极驱动电阻;连接在端口IGBT‑G 与端口IGBT‑E之间的IGBT导通泄压电路(10)和IGBT关断泄压电路(20)。
【技术特征摘要】
1.一种栅极保护电路,其特征在于:包括连接驱动板输出驱动脉冲信号的端口D-Gon与端口D-E,连接IGBT栅极的端口IGBT-G及连接IGBT射级的端口IGBT-E;以及连接在端口D-Gon与端口IGBT-G之间的栅极驱动电阻,连接在端口D-E与端口IGBT-E之间的源极驱动电阻;连接在端口IGBT-G与端口IGBT-E之间的IGBT导通泄压电路(10)和IGBT关断泄压电路(20)。2.根据权利要求1所述的一种栅极保护电路,其特征在于:所述IGBT导通泄压电路(10)包括NPN型三极管Q4、稳压二极管D5、吸收电容C10、泄压电阻R25以及二极管D8,该三极管Q4的集电极与端口IGBT-G连接,稳压二极管D5连接在三极管Q4的集电极与基极之间,该吸收电容C10连接在三极管Q4的发射级与端口IGBT-E之间,该泄压电阻R25、二极管D8依次串联在三极管Q4的发射级与端口D-Gon之间。3.根据权利要求2所述的一种栅极保护电路,其特征在于:所述三极管Q4的...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨坤树,黎裕文,黄关烧,庄网发,黄玉观,
申请(专利权)人:广东明阳龙源电力电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。