显示装置及其制造方法制造方法及图纸

一种显示装置，具备半导体层、金属部、共用电极、像素电极、位于上述半导体层与上述金属部之间的第1层间绝缘膜、位于上述金属部与上述共用电极之间的第2层间绝缘膜、以及位于上述共用电极与上述像素电极之间的第3层间绝缘膜，其中，上述金属部经由形成于上述第1层间绝缘膜的第1接触孔而与上述半导体层接触，上述像素电极经由形成于上述第2层间绝缘膜以及上述第3层间绝缘膜的第2接触孔而与上述金属部接触，上述金属部是至少具有第1导电层以及第2导电层的层叠体，在俯视时，上述第1接触孔的边缘不与上述第2接触孔的边缘交叉地位于上述第2接触孔内，上述像素电极与上述第1导电层接触。

Display device and manufacturing method thereof

A display device with first layers of semiconductor layer, a metal, a common electrode, a pixel electrode, located between the semiconductor layer and the metal part of the second layer insulation film, located between the metal part and the common electrode between the insulating film and the third layer is located between the common electrode and the pixel electrode. The insulating film, the metal part via the formation of first contact holes in the first interlayer insulating film in contact with the semiconductor layer via the pixel electrode is formed on the second interlayer insulating film and the third interlayer insulating film second contact holes in contact with the metal part of the metal part is at least with the first conductive layer and second conductive layer of the laminated body, in view, the first contact hole edge and the second edge of the contact hole is located in the intersection of second contact holes The pixel electrode is contacted with the first conductive layer.

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法关联申请的相互参照本申请基于2016年4月12日提出的日本专利申请2016－079782主张优先权，并通过参照而将该公开内容引入本申请。
本专利技术的实施方式涉及显示装置及其制造方法。
技术介绍
显示装置具备各种信号布线、开关元件、像素电极等。在开关元件中，半导体层与源极/漏极电极经由第1接触孔而连接，源极/漏极电极与像素电极经由第2接触孔而连接。在源极/漏极电极与像素电极之间夹着有机绝缘膜的构成中，第2接触孔有变深且其直径扩大的趋势。与这些接触孔重叠的区域以及其周边区域成为高度差较大、无助于显示的区域。在近年来的显示装置中，有高精细化的期望进一步提高、一像素的尺寸缩小而另一方面布线的根数增加的趋势。因此，要求抑制有助于显示的开口部的缩小等的显示品质的恶化。
技术实现思路
根据一实施方式，提供一种显示装置，具备半导体层、金属部、共用电极、像素电极、位于上述半导体层与上述金属部之间的第1层间绝缘膜、位于上述金属部与上述共用电极之间的第2层间绝缘膜、以及位于上述共用电极与上述像素电极之间的第3层间绝缘膜，其中，上述金属部经由形成于上述第1层间绝缘膜的第1接触孔而与上述半导体层接触，上述像素电极经由形成于上述第2层间绝缘膜以及上述第3层间绝缘膜的第2接触孔而与上述金属部接触，上述金属部是至少具有第1导电层以及第2导电层的层叠体，在俯视时，上述第1接触孔的边缘不与上述第2接触孔的边缘交叉地位于上述第2接触孔内，上述像素电极与上述第1导电层接触。根据一实施方式，提供一种显示装置的制造方法，具备如下步骤：在位于半导体层上的第1层间绝缘膜形成贯通至上述半导体层的第1接触孔，在上述第1层间绝缘膜上形成作为至少具有第1导电层以及第2导电层的层叠体的金属部，经由上述第1接触孔使上述金属部接触于上述半导体层，在位于上述金属部上的第2层间绝缘膜形成贯通至上述金属部的第2接触孔的第1孔，在位于上述第2层间绝缘膜上的第3层间绝缘膜形成贯通至上述金属部的第2接触孔的第2孔，在上述第3层间绝缘膜上形成像素电极，经由上述第2接触孔使上述像素电极接触于上述金属部的上述第1导电层，其中，在俯视时，上述第1接触孔的边缘不与上述第2接触孔的边缘交叉地位于上述第2接触孔内，上述第2孔通过使用了不包含氧的等离子体气体的干式蚀刻形成。根据本实施方式，能够提供一种可抑制显示品质的恶化的显示装置及其制造方法。附图说明图1是表示本实施方式的显示装置DSP的基本构成以及等价电路的图。图2是表示显示面板PNL的构成的剖面图。图3是表示图2所示的显示面板PNL的像素的构造的俯视图。图4是表示图2以及图3所示的显示面板PNL的一部分的构造的剖面图。图5是用于说明图4所示的开关元件SW与像素电极PE的连接构造的剖面图。图6是表示图5所示的第1接触孔CH1以及第2接触孔CH2的配置例的俯视图。图7是表示图5所示的第1接触孔CH1以及第2接触孔CH2的其他配置例的俯视图。图8是表示图5所示的第1接触孔CH1以及第2接触孔CH2的其他配置例的俯视图。图9是表示图5所示的第1接触孔CH1以及第2接触孔CH2的其他配置例的俯视图。图10是表示图5所示的第1接触孔CH1以及第2接触孔CH2的其他配置例的俯视图。图11是用于说明图4所示的开关元件SW与像素电极PE的其他连接构造的剖面图。图12是表示其他构成例的俯视图。图13是包含图12所示的第1基板SUB1的显示面板PNL的沿着第1方向X的剖面图。图14是表示其他构成例的剖面图。具体实施方式以下，一边参照附图一边说明本实施方式。此外，公开只是一个例子，对于本领域技术人员保留专利技术的主旨而进行的适当的变更，只要是能够容易想到的则当然包含在本专利技术的范围中。另外，附图为了使说明明确，有时相比于实质的形态而示意性地示出了各部分的宽度、厚度、形状等，但这只是一个例子，并非限定本专利技术的解释。另外，在本说明书和各图中，有时对与已出现过的附图的已述部分发挥相同或者类似的功能的构成要素标注相同的参照附图标记，适当地省略重复的详细说明。图1是表示本实施方式的显示装置DSP的基本构成以及等价电路的图。在图中，第1方向X以及第2方向Y相互正交，但也可以以90度以外的角度交叉。在本实施方式中，作为显示装置的一个例子，对液晶显示装置进行说明。此外，在本实施方式中公开的主要的构成也能够应用于具有有机电致发光显示元件等的自发光型的显示装置、具有电泳元件等的电子纸型的显示装置、应用了MEMS(MicroElectroMechanicalSystems，微机电系统)的显示装置、或应用了电致变色的显示装置等。显示装置DSP具备显示面板PNL等。显示面板PNL例如是液晶显示面板。显示面板PNL具备显示图像的显示区域DA、以及包围显示区域DA的边框状的非显示区域NDA。显示面板PNL在显示区域DA中具备多个像素PX。多个像素PX配置为矩阵状。另外，显示面板PNL在显示区域DA中具备多根扫描线G(G1～Gn)、多根信号线S(S1～Sm)、共用电极CE等。扫描线G分别向第1方向X延伸，沿第2方向Y排列，并连接于扫描线驱动电路GD。信号线S分别向第2方向Y延伸，沿第1方向X排列，并连接于信号线驱动电路SD。此外，扫描线G以及信号线S可以不必须呈直线状延伸，也可以使它们的一部分弯曲。共用电极CE遍及多个像素PX地配置，连接于共用电极驱动电路CD。各像素PX具备开关元件SW、像素电极PE、共用电极CE、液晶层LC等。开关元件SW例如由薄膜晶体管(TFT)构成，并与扫描线G以及信号线S电连接。扫描线G与沿第1方向X排列的像素PX的每一个中的开关元件SW连接。信号线S与沿第2方向Y排列的像素PX的每一个中的开关元件SW连接。像素电极PE与开关元件SW电连接。像素电极PE分别与共用电极CE对置，并通过在像素电极PE与共用电极CE之间产生的电场来驱动液晶层LC。保持电容CS例如形成于与共用电极CE相同电位的电极、以及与像素电极PE相同电位的电极之间。图2是表示显示面板PNL的构成的剖面图。图中的第3方向Z是与第1方向X以及第2方向Y交叉的方向。观察显示面板PNL的观察位置位于表示第3方向Z的箭头的前端侧，将从该观察位置朝向X－Y平面的观察称为俯视。显示面板PNL具备第1基板SUB1、第2基板SUB2、液晶层LC、密封件SE、光学元件OD1、光学元件OD2等。第2基板SUB2与第1基板SUB1对置。密封件SE配置于非显示区域NDA，使第1基板SUB1与第2基板SUB2贴合。液晶层LC保持于第1基板SUB1与第2基板SUB2之间。光学元件OD1配置于第1基板SUB1的与液晶层LC接触的一侧相反侧。光学元件OD2配置于第2基板SUB2的与液晶层LC接触的一侧相反侧。此外，关于显示面板PNL的详细构成，虽然这里省略说明，但显示面板PNL也可以具有对应于利用沿着基板主面的法线的纵电场的显示模式、利用相对于基板主面向倾斜方向倾斜的倾斜电场的显示模式、利用沿着基板主面的横电场的显示模式、以及将上述纵电场、横电场、以及倾斜电场适当地组合并利用的显示模式的任意的构成。这里的基板主面指的是与由第1方向X以及第2方向Y规定的X－Y平面平行的面。本实施方式的显示面板PNL可以是具备通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，具备半导体层、金属部、共用电极、像素电极、位于上述半导体层与上述金属部之间的第1层间绝缘膜、位于上述金属部与上述共用电极之间的第2层间绝缘膜、以及位于上述共用电极与上述像素电极之间的第3层间绝缘膜，其中，上述金属部经由形成于上述第1层间绝缘膜的第1接触孔而与上述半导体层接触，上述像素电极经由形成于上述第2层间绝缘膜以及上述第3层间绝缘膜的第2接触孔而与上述金属部接触，上述金属部是至少具有第1导电层以及第2导电层的层叠体，在俯视时，上述第1接触孔的边缘不与上述第2接触孔的边缘交叉地位于上述第2接触孔内，上述像素电极与上述第1导电层接触。

【技术特征摘要】
2016.04.12 JP 2016-0797821.一种显示装置，具备半导体层、金属部、共用电极、像素电极、位于上述半导体层与上述金属部之间的第1层间绝缘膜、位于上述金属部与上述共用电极之间的第2层间绝缘膜、以及位于上述共用电极与上述像素电极之间的第3层间绝缘膜，其中，上述金属部经由形成于上述第1层间绝缘膜的第1接触孔而与上述半导体层接触，上述像素电极经由形成于上述第2层间绝缘膜以及上述第3层间绝缘膜的第2接触孔而与上述金属部接触，上述金属部是至少具有第1导电层以及第2导电层的层叠体，在俯视时，上述第1接触孔的边缘不与上述第2接触孔的边缘交叉地位于上述第2接触孔内，上述像素电极与上述第1导电层接触。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，上述显示装置还具备电连接于上述半导体层的信号线，上述信号线是至少具有第3导电层以及第4导电层的层叠体，上述第3导电层由与上述第1导电层相同的材料形成，上述第4导电层由与上述第2导电层相同的材料形成，上述第1导电层的厚度与上述第3导电层的厚度实质上相等。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在俯视时，上述第1接触孔的中心与上述第2接触孔的中心实质上一致。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，上述第2接触孔具备形成于上述第2层间绝缘膜的第1孔和形成于上述第3层间绝缘膜的第2孔，在俯视时，上述第1孔的中心与上述第2孔的中心实质上一致。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，上述第2孔的直径比上述第1孔的直径小，且比上述第1接触孔的直径大。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，上述第1孔的直径比上述第2孔的直径小，且比上述第1接触孔的直径大。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在俯视时，上述第2接触孔的边缘不与形成于上述共用电极的开口部的边缘交叉地位于上述开口部内。8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在俯视时，上述第1接触孔以及上述第2接触孔各自的边缘不与上述金属部的边缘交叉地重叠于上述金属部，上述第2层间绝缘膜将上述金属部的整周的边缘直接覆盖。9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，上述第2孔通过使用了不包含氧的等离子体气体的干式蚀刻形成。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：富冈哲也，米谷善唯，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP