像素结构及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构及液晶显示面板。像素结构包括衬底基板、第一金属层、第一绝缘层以及透明电极层。第一金属层形成于衬底基板上，其包括栅极线的图案。第一绝缘层形成于第一金属层上，透明电极层形成于第一绝缘层上。透明电极层包括第一透明电极，第一透明电极在栅极线上的投影位于栅极线的局部区域内，即第一透明电极与栅极线相对应的部分不完全覆盖于栅极线上。液晶显示面板为具有上述像素结构的液晶显示屏。本发明专利技术的像素结构一方面可以降低栅极线上的RC负载，使栅极线上提供的电压更加稳定，降低对像素充电率的影响。另一方面，降低了栅极线在接通后产生的高低电位对透明电极的影响，使得素结构的栅极线处不发生侧面漏光，提高了像素的开口率，提高具备该像素结构的液晶显示屏的显示质量。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及液晶显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素结构以及具有该像素结构的液晶显示面板。
技术介绍
PSVA(PolmerStabilizedVertivallyAligned，聚合物稳定的垂直排列液晶)模式的液晶显示屏是利用垂直方向的纵向电场，来驱动垂直配置于玻璃基板上的液晶分子，从而形成聚合物稳定并垂直排列的液晶显示屏。该模式的液晶显示屏在不施加电压时为黑色显示状态；在施加一定电压后，液晶显示屏的液晶分子倒向水平方向，该模式的液晶显示屏为白色显示状态。目前，为了避免黑矩阵弯曲造成的液晶显示屏侧面漏光，现有的PSVA模式的曲面液晶显示屏在栅极线上形成了一层遮光电极，该遮光电极有效的减少曲面液晶显示屏的侧面漏光现象。然而，曲面液晶显示屏栅极线上遮光电极的设置还存在如下问题：1、栅极线与遮光电极之间产生电容，使得栅极线的寄生电容变大，使得栅极线的RC延迟现象严重，影响像素的充电率；2、由于遮光电极完全覆盖于栅极线上，因此遮光电极很容易受到栅极线上的高低电位信号的影响，使得遮光电极与彩膜基板上的公共电极之间产生电压差，仍然会导致液晶显示屏的侧面漏光。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有像素结构的栅极线上设置的遮光电极增大了栅极线的寄生电容，从而使得栅极线上产生的RC延迟现象严重，影响像素的充电率，且遮光电极很容易受到栅极线上高低电位的影响，因此会使得曲面液晶显示屏的栅极线处出现侧面漏光现象。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种像素结构以及具有该像素结构的液晶显示面板。根据本专利技术的一个方面，提供了一种像素结构，包括衬底基板；形成于所述衬底基板上的第一金属层，其包括栅极线的图案；形成于所述第一金属层上的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层上的透明电极层，其包括第一透明电极的图案，所述第一透明电极被配置为使其位置所对应的液晶不发生翻转，所述第一透明电极在所述栅极线上的投影位于所述栅极线的局部区域内。优选地是，所述投影位于所述栅极线的轴线的两侧。优选地是，所述第一透明电极与公共电极的电位相同。优选地是，所述投影面积占栅极线的水平方向的最大横截面积的40-60％。优选地是，所述第一透明电极为长方形，所述第一透明电极沿栅极线的轴线方向间隔设置有多个镂空区域，所述镂空区域相对于栅极线的轴线对称设置。优选地是，所述第一透明电极为长方形，所述第一透明电极具有长方形镂空区域，所述长方形镂空区域相对于栅极线的轴线对称设置。优选地是，所述像素结构还包括：形成于所述第一绝缘层上的第二金属层，其包括数据线的图案；以及形成于所述第二金属层上的第二绝缘层；所述透明电极层还包括像素电极的图案，所述像素电极与所述第一透明电极绝缘设置。优选地是，所述透明电极层还包括第二透明电极的图案，所述第二透明电极在所述第二金属层上的投影位于所述数据线上，所述像素电极与所述第二透明电极绝缘设置。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种液晶显示面板，其包括上述像素结构。优选地，上述液晶显示面板为PSVA模式的液晶显示面板。与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：本专利技术提供的像素结构的栅极线的上方覆盖有透明电极，而透明电极的正投影只位于栅极线的局部区域内，也就是说，透明电极与栅极线相对应的部分不完全覆盖于栅极线上。与现有技术相比，本申请的透明电极减少了与栅极线的覆盖面，一方面减少了栅极线与透明电极在接通后产生的寄生电容，降低了栅极线上的RC负载，使得栅极线上提供的电压更加稳定，提高像素的充电率，另一方面，降低了栅极线在接通后产生的高低电位对透明电极的影响，以保证透明电极与公共电极之间所对应的液晶不发生翻转，即对应的像素处于暗态，以起到使像素结构的栅极线处不发生侧漏光，提高了像素的开口率，同时还提高了具有该像素结构的液晶显示屏的显示性能。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例共同用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1示出了本专利技术实施例一像素结构的剖面结构示意图；图2示出了本专利技术实施例一像素结构的俯视图；图3示出了本专利技术实施例二像素结构的俯视图；图4示出了具备实施例一的像素结构的液晶显示屏的结构示意图；图5示出了具备实施例二的像素结构的液晶显示屏的结构示意图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。现有的液晶显示屏，通常在栅极线的上方设置有黑矩阵，而该黑矩阵可以实现液晶显示屏的栅极线处的侧遮光。然而在曲面液晶显示屏的制作过程中，显示屏的弯曲设置往往会使黑矩阵位置发生偏移，从而导致曲面液晶显示屏的栅极线处发生侧漏光，影响曲面液晶显示屏的显示效果。为了解决上述问题，PSVA模式的曲面液晶显示屏将栅极线位置对应的黑矩阵去掉，在栅极线的上方形成一层遮光电极，通过控制遮光电极与公共电极处于相同电位，来使得栅极线位置对应的液晶不发生翻转，避免栅极线位置出现侧漏光问题，以达到曲面液晶显示屏侧面遮光的目的。然而，由于遮光电极设置为完全覆盖于栅极线上，在栅极线和遮光电极通电后，他们之间很容易产生寄生电容，从而使栅极线上的RC负载增加，影响栅极线提供的电压的稳定性。并且，遮光电极完全覆盖于栅极线上，栅极线在接通后产生的高低电位很容易影响遮光电极的电位，使得遮光电极与公共电极之间产生电压差，从而导致液晶显示屏的栅极线处出现侧面漏光的问题。实施例一为解决现有技术中存在的上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种像素结构。图1示出了根据本专利技术实施例一的像素结构的剖面结构示意图。图2示出了图1中所示的像素结构的俯视图。参照图1和图2，本实施例像素结构包括衬底基板1、第一金属层2、第一绝缘层3、透明电极层、第二金属层4以及第二绝缘层5。具体地，第一金属层2形成于衬底基板1上，第一金属层2包括栅极线13的图案。第一绝缘层3形成于第一金属层2上。第二金属层4形成于第一绝缘层3上。第二金属层4包括数据线14的图案。第二绝缘层5形成于第二金属层4上。透明电极层形成于第二绝缘层5上，透明电极层包括第一透明电极15的图案以及不与第一透明电极15电连接的像素电极9的图案。优选地，第一透明电极和像素电极9的材料均为掺锡氧化铟(ITO)。第一透明电极15在栅极线13上的投影位于栅极线13的局部区域内，第一透明电极15在栅极线上的投影面积占栅极线13的水平方向的最大横截面积的50％，具体地，由于该实施例中的栅极线13形状为长方体，因此栅极线13的水平方向的最大横截面积即为栅极线13的上表面的面积。第一透明电极15在水平方向的横截面的形状也为长方形，在第一透明电极15上沿栅极线13的轴线方向间隔设置有多个镂空区域16，每个镂空区域16为等大的小长方形。并且，所有的镂空区域16均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：衬底基板；形成于所述衬底基板上的第一金属层，其包括栅极线的图案；形成于所述第一金属层上的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层上的透明电极层，其包括第一透明电极的图案，所述第一透明电极被配置为使其位置所对应的液晶不发生翻转，所述第一透明电极在所述栅极线上的投影位于所述栅极线的局部区域内。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：衬底基板；形成于所述衬底基板上的第一金属层，其包括栅极线的图案；形成于所述第一金属层上的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层上的透明电极层，其包括第一透明电极的图案，所述第一透明电极被配置为使其位置所对应的液晶不发生翻转，所述第一透明电极在所述栅极线上的投影位于所述栅极线的局部区域内。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述投影位于所述栅极线的轴线的两侧。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一透明电极与公共电极的电位相同。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述投影面积占栅极线的水平方向的最大横截面积的40-60％。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一透明电极为长方形，所述第一透明电极沿栅极线的轴线方向间隔设置有多个镂空区域，所述镂空区域相对于栅极线的轴线对...

【专利技术属性】
技术研发人员：张蒙蒙，宋乔乔，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44