The invention discloses a high intensity ultraviolet excited white LED, the white LED including white fluorescent powder colloidal UVLED chip, white fluorescent powder and fluorescent powder glue mixed form, white phosphor colloid coated on the UVLED chip, the white phosphor colloid adding curing agent 1~ 5wt%, quality the white fluorescent powder and fluorescent powder glue is 1:2~3. The white LED with UVLED chip as substrate, excited white fluorescent colloid with ultraviolet light, the colloid is not easy to be decomposed by ultraviolet and ozone, no double bond exists, at high temperature (or radiation) molecular bond rupture, long-term use, no cracks, hardening, can automatically heal rubber body force after cracking.
【技术实现步骤摘要】
一种高发光强度紫外激发白光LED及其制备方法
本专利技术属于白光LED
,具体涉及一种高发光强度紫外激发白光LED及其制备方法。
技术介绍
GaN是一种宽带隙化合物半导体材料,具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点,是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一。使得它在蓝光和紫外光电子学
占有重要地位,也是制作高温、大功率半导体器件的理想材料。目前,氮化镓基LED获得白光主要方法有:蓝光LED+黄色荧光粉、三色LED合成白光、紫光LED+三色荧光粉3种办法。目前已经商用的白光LED是利用发射450-470纳米蓝光的GaN基质LED芯片和表面涂覆的蓝光激发黄光发射的荧光粉,主要是铈掺杂的铝酸钇荧光粉。这种商用的荧光粉也存在一些缺点,主要是较差的色饱和度和色温的不稳定性。色饱和度较差是由于白光中缺少红光部分,色温的不稳定性是由于长时间使用使LED和荧光粉性能退化导致的。对于白光LED,目前国内主要存在如下专利文献:公开号为106876544A的中国专利公开了一种GaN基无荧光粉自发白光LED芯片结构及其制备方法,其中制作方法包括:在蓝宝石衬底上依次沉积GaN缓冲层、N型GaN、二氧化硅薄膜。利用光刻技术沿蓝宝石衬底[1-100]和[11-20]晶向在所述的SiO2薄膜上进行刻蚀,制备SiO2掩膜。在二氧化硅掩膜层上依次生长N型GaN、InGaN/GaN量子阱、P型GaN、透明导电层以及制备N型和P型电极。本专利技术兼顾目前的常用的半导体器件生产工艺流程,可以实现在无荧光粉的条件下出射白光,避免了荧光粉对白光LED的衰减作用 ...
【技术保护点】
一种高发光强度紫外激发白光LED,其特征在于,所述白光LED包括UVLED芯片、白色荧光粉与荧光粉胶混合形成的白色荧光粉胶体,白色荧光粉胶体涂覆于UVLED芯片上,所述白色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂,所述白色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1:2~3。
【技术特征摘要】
1.一种高发光强度紫外激发白光LED,其特征在于,所述白光LED包括UVLED芯片、白色荧光粉与荧光粉胶混合形成的白色荧光粉胶体,白色荧光粉胶体涂覆于UVLED芯片上,所述白色荧光粉胶体内添加有1~5wt%的固化剂,所述白色荧光粉与荧光粉胶的质量比为1:2~3。2.根据权利要求1所述的高发光强度紫外激发白光LED,其特征在于,所述荧光粉胶的胶材为硅胶,包括A胶和B胶,A胶和B胶的质量比为1:1~2。3.根据权利要求2所述的高发光强度紫外激发白光LED,其特征在于,所述A胶和B胶的质量比为1:1。4.根据权利要求2所述的高发光强度紫外激发白光LED,其特征在于,所述A胶在25℃下粘度为8000mPa·s,B胶在25℃下粘度为3500mPa·s。5.根据权利要求1所述的高发光强度紫外激发白光LED,其特征在于,所述固化剂为硅氧烷。6.一种如权利要求1~5中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员:马必鹉,董安钢,张家奇,夏浩孚,陈延兵,
申请(专利权)人:苏州轻光材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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