基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理方法和基板处理装置，提供在尽量不使用大型设备下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理装置。基板处理装置利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板W进行处理，该基板处理装置的构成中具有：蚀刻处理部(30)，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液而进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部(30)，将对上述一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收部(38、50、52)，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。

Substrate processing method and substrate processing device

The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing device, in as far as possible not to use large equipment can efficiently regenerate the substrate processing device can return to the etching process phosphoric acid etching processing at the same time. A substrate processing apparatus using phosphoric acid etching solution contains a nitride film formed on silicon substrate W for processing the substrate processing device which has: etching processing part (30), provided by a proper etching solution for etching of the substrate on the substrate to a piece of land supply, to remove the nitride film; phosphoric acid regeneration (30), the Ministry will be processed on the part of a piece of the substrate after etching solution and has the etching solution with respect to the amount of the amount of hydrofluoric acid solution is mixed in a predetermined temperature environment, thereby regenerating and recycling of phosphate; phosphoric acid (38, 50, 52), through the Ministry of the regeneration of phosphate phosphate in the etching process should be returned to the Department of using etching liquid.

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置本申请是分案申请，其原申请最早的优先权日为2013年09月23日，最早的优先权申请为JP2013-205624，申请号为201410504744.7，申请日为2014年09月26日，专利技术名称为“基板处理方法和基板处理装置”。
本专利技术涉及利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法和装置。
技术介绍
以往，提出了利用含有磷酸(H3PO4)的蚀刻液对形成有氮化膜(Si3N4)和氧化膜(SiO2)的硅制半导体晶片(基板)进行处理的基板处理方法(参见专利文献1)。该基板处理方法中，在储存于蚀刻槽中的含有磷酸(H3PO4)的蚀刻液中投入2个以上的半导体晶片，对该2个以上的半导体晶片各个的蚀刻处理一并进行。在该蚀刻处理中蚀刻液中的磷酸作为催化剂发挥作用，将半导体晶片的氮化膜(Si3N4)除去。并且，进行上述蚀刻处理而残留在蚀刻处理槽内的已用蚀刻液经由接收槽而被转移至再生装置的处理槽中。在储存有已用蚀刻液的处理槽内添加相对于上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液(HF)。在处理槽内，在比较高温的预定温度环境下，使含有由上述蚀刻处理所除去的基于氮化物的成分的已用蚀刻液与氢氟酸溶液(HF)混合并反应，从而再生磷酸(H3PO4)。该再生后的磷酸(H3PO4)返回至应在上述蚀刻处理中使用的蚀刻液中。根据这样的基板处理方法，由蚀刻处理后残留的已用蚀刻液再生磷酸，该磷酸返回至应在蚀刻处理中使用的蚀刻液中，因此，能够有效利用磷酸的同时，继续进行用于除去氮化膜的针对半导体晶片的蚀刻处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4424517号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在上述的基板处理方法中，为了一并对大量的基板进行蚀刻处理，需要大型的蚀刻槽，并且，由于将对如此大量的基板一并进行蚀刻处理的程度的大量的已用蚀刻液储存在处理槽中并在该处理槽中适量添加氢氟酸溶液，在比较高温的预定温度环境下使已用蚀刻液与氢氟酸溶液反应，因此用于将大量的已用蚀刻液和针对其的大量的氢氟酸溶液保持在预定的温度环境下的设备变得大型化。另外，虽然1次再生的磷酸的量增多，但是，需要较长时间将大量的已用蚀刻液全体与氢氟酸溶液全体在处理槽内混合至能高效地发生反应，不能说一定能高效地进行磷酸的再生。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，提供在尽可能不使用大型设备的情况下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理方法和基板处理装置。用于解决课题的手段本专利技术的基板处理方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，在该方法的构成中具有：蚀刻处理步骤，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。利用这样的构成，不需要分批式那样的大型蚀刻槽(设备)就能够一片一片地进行基板的蚀刻处理，一片一片地对预定片数(也包括一片)的基板进行蚀刻处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下混合，这些已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应，从而再生出应返回蚀刻液中的磷酸。在上述预定片数为一片的情况下，可以利用能够使对一片基板进行蚀刻处理后的那部分特别少量的已用蚀刻液与相对于该已用液体的量为适量的特别少量的氢氟酸溶液混合的设备，来再生上述磷酸。本专利技术的基板处理方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，在该方法的构成中具有：蚀刻处理步骤，在上述蚀刻液中投入2个以上的基板，进行对上述2个以上的各基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中的蚀刻处理后剩下的已用蚀刻液和氢氟酸溶液两者制成雾状或蒸气状后在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。利用这样的构成，即使在2个以上基板一并进行的蚀刻处理中使用大量的蚀刻液，由于已用蚀刻液和氢氟酸溶液以雾状或蒸气状进行混合、相互反应，因此，也可以不使用用于储存对2个以上基板进行蚀刻处理后的全部量的已用蚀刻液与氢氟酸溶液并使它们反应的设施，就能够高效地使已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应，再生出应返回至蚀刻液中的磷酸。本专利技术的基板处理装置是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，该装置的构成中具有：蚀刻处理部，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部，将在上述蚀刻处理部中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和，磷酸回收部，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。利用这样的构成，蚀刻处理部不需要分批式那样的大型蚀刻槽(设备)就能够一片一片地进行基板的蚀刻处理，磷酸再生部中，将上述蚀刻处理部中一片一片地对预定片数(也包括一片)的基板进行蚀刻处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，这些已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应，从而再生出应返回蚀刻液中的磷酸。本专利技术的基板处理装置为利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，在该装置的构成中具有：蚀刻处理部，在上述蚀刻液中投入2个以上的基板，进行对上述2个以上的各基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生部，将上述蚀刻处理部中的蚀刻处理后剩下的已用蚀刻液和氢氟酸溶液两者制成雾状或蒸气状后在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收部，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。利用这样的构成，即使在蚀刻处理部中在2个以上基板一并进行的蚀刻处理中使用大量的蚀刻液，由于已用蚀刻液和氢氟酸溶液以雾状或蒸气状进行混合、在预定的温度环境下相互反应，因此，也可以不使用用于储存对2个以上基板进行蚀刻处理后的全部量的已用蚀刻液与氢氟酸溶液并使它们反应的设备，就能够高效地使已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应而再生出磷酸。专利技术效果利用本专利技术的基板处理方法和基板处理装置，能够在尽可能不使用大型设备的情况下而在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸。附图说明图1为示出本专利技术的第1实施方式的基板处理装置的基本构成的图。图2为示出在图1所示的基板处理装置中进行着半导体晶片的蚀刻处理的状态的旋转处理单元(蚀刻处理部)的图。图3为示出在图1所示的基板处理装置中进行着蚀刻处理后的半导体晶片的漂洗处理的状态的旋转处理单元的图。图4为示出在图1所示的基板处理装置中退出半导体晶片后进行着由已用蚀刻液再生磷酸的处理的旋转处理单元(磷酸再生部)的图。图5为示出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，该装置是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，该装置具有：处理室；基板旋转机构，其设置在所述处理室内，保持所述基板并使其旋转；蚀刻液供给机构，其对通过所述基板旋转机构进行旋转的所述基板的表面提供所述蚀刻液；储液部，其设置在所述处理室内，储存已用蚀刻液，该已用蚀刻液为提供于所述旋转的基板的表面上的所述蚀刻液中从该基板的表面飞散后的蚀刻液；氢氟酸供给机构，其向所述储液部供给氢氟酸溶液；和磷酸回收部，其将通过在所述储液部中的所述已用蚀刻液与所述氢氟酸溶液混合而再生的磷酸返回至所述蚀刻液供给机构使用的所述蚀刻液中。

【技术特征摘要】
2013.09.30 JP JP2013-205624;2013.12.16 JP JP2013-21.一种基板处理装置，该装置是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，该装置具有：处理室；基板旋转机构，其设置在所述处理室内，保持所述基板并使其旋转；蚀刻液供给机构，其对通过所述基板旋转机构进行旋转的所述基板的表面提供所述蚀刻液；储液部，其设置在所述处理室内，储存已用蚀刻液，该已用蚀刻液为提供于所述旋转的基板的表面上的所述蚀刻液中从该基板的表面飞散后的蚀刻液；氢氟酸供给机构，其向所述储液部供给氢氟酸溶液；和磷酸回收部，其将通过在所述储液部中的所述已用蚀刻液与所述氢氟酸溶液混合而再生的磷酸返回至所述蚀刻液供给机构使用的所述蚀刻液中...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林信雄，滨田晃一，黑川祯明，古矢正明，森秀树，渡边康司，林义典，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP