一种石墨均温板的制备方法技术

一种石墨均温板的制备方法，包括以下步骤：选取若干张PI膜进行叠加压合形成一张PI板，该PI板的厚度为所有PI膜的厚度之和；在PI板上设置若干个排焦孔；对PI板进行碳化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为1300‑1400℃，烧制时间为20‑24小时；碳化处理完毕后，对PI板进行冷却；再对PI板进行石墨化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为2800‑3000℃，烧制时间为34‑38小时；石墨化处理完毕后，对PI板进行冷却，然后对PI板进行压延处理，得到成品石墨均温板，该成品石墨均温板的厚度小于PI板的厚度。本发明专利技术方法制备得到的石墨均温板，重量更轻，水平导热系数较高，柔性较好，易于成型。

A preparation method of graphite plate temperature

A preparation method of the graphite radiating plate, which comprises the following steps: stack pressing forming a PI board select the number of PI film, the thickness of the PI plate for all PI film thickness and; several coke exhaust hole is arranged on the PI board; the PI board to carry on the carbonization. Fired, fired a maximum temperature of 1300 1400 DEG C, firing time is 20 24 hours; carbonization treatment after the cooling of the PI board of PI board; graphitization, the firing, firing a maximum temperature of 2800 3000 DEG C, firing time is 34 38 hours; graphitization at and after the cooling of the PI board, and then the PI plate rolling process to obtain the refined graphite graphite plate temperature, average temperature plate thickness is less than the thickness of the plate PI. Preparation of graphite prepared by uniform temperature plate method of the invention, a lighter weight, higher thermal conductivity, the level of flexibility, easy molding.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨均温板的制备方法
本专利技术属于散热器件
，具体地说是一种石墨均温板的制备方法。
技术介绍
随着电子、IT、通讯、LED、太阳能等行业的飞速发展，其中所用电子元气件的发热功率也在不断提高，热流密度大幅提升，利用传统的散热组件已很难很好的解决相关的热传问题。传统的散热多以热源加散热片或将热源的热量通过热管等传热元件传送至远端，并通过热交换将热量排出系统外部的方式进行散热，但由于其结构空间、材料传热特性及散热模组重量、结构强度及可靠性等限制，在遇到大功率、高热流密度时，传统的散热模式无法满足散热需求。另外，现有的均温板，通常由铜材料、铝材料或者其他金属材料制成，由这些金属材料制成的均温板重量较重，对于较为复杂形状的金属均温板难以加工成型，给加工带来更高的难度，增加了生产成本。另外这类金属材料的均温板与待散热器件装配在一起后，进一步加重了产品的整体重量，尤其是对于较小型的产品，不利于产品的轻薄化发展。而单独的一张PI膜，其厚度最高不超过200微米，在较大厚度（如1mm）以上要求的散热器件中，则无法使用。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一咱石墨均温板的制备方法，具有较高的水平导热系数，重量较轻，柔性好，易于加工成型。为了解决上述技术问题，本专利技术采取以下技术方案：一种石墨均温板的制备方法，包括以下步骤：选取若干张PI膜进行叠加压合形成一张PI板，该PI板的厚度为所有PI膜的厚度之和；在PI板上设置若干个排焦孔；对PI板进行碳化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为1300-1400℃，烧制时间为20-24小时；碳化处理完毕后，对PI板进行冷却；再对PI板进行石墨化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为2800-3000℃，烧制时间为34-38小时；石墨化处理完毕后，对PI板进行冷却，然后对PI板进行压延处理，得到成品石墨均温板，该成品石墨均温板的厚度小于PI板的厚度。所述对各张PI膜叠加压合时采用的压力大于1000MPa。所述碳化处理时，烧制过程分为四个温度段升温，先使温度升高到500℃，然后在500℃下保持30分钟，然后从500℃升高到800℃，在800℃下保持40分钟，接着从800℃升高到1200℃，在1200℃下保持1小时，然后从1200℃升高到1400℃。所述碳化处理时，各个温度段的升温过程均以一个预设温度匀速升温。所述碳化处理过程中的各个温度段，采用一个相同的温度值或者不同的温度值匀速升温。所述石墨化处理时，升温过程为线性加热。所述碳化处理时，采用一个设定的温度值进行升温，当烧制时间为36小时时温度达到3000℃。所述压延处理过程中采用的压力大于等于10MPa。所述压延后得到的成品石墨均温板的厚度为PI板的厚度的一半。本专利技术可以制备得到较大厚度的石墨均温板，提高其应用场合，而且使得石墨均温板的水平导热系数得到有效提高，由于PI膜的密度低于金属铜或铝，因此，同样大小的石墨均温板的重量大大低于铜制均温板，具有较佳的柔性，能够与散热产品贴合的更加紧密，易于加工成型。附图说明附图1为本专利技术制备流程示意图。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面结合附图对本专利技术作进一步的描述。如附图1所示，本专利技术揭示了一种石墨均温板的制备方法，包括以下步骤：S1,选取若干张PI膜进行叠加压合形成一张PI板，该PI板的厚度为所有PI膜的厚度之和。根据需要制备的成品石墨均温板的厚度，选择合适数量的PI膜，从而能够制备得到所需要的厚度的石墨均温板。对各张PI膜叠加压合时采用的压力大于1000MPa，经过液压形式压合。S2,在PI板上设置若干个排焦孔。S3,对PI板进行碳化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为1300-1400℃，烧制时间为20-24小时。在碳化处理过程中，PI板经过高温和一定时间的烧制，使得PI板内的杂质、焦油等经排焦孔排出，提高其纯度。S4,碳化处理完毕后，对PI板进行冷却，通常进行自然冷却即可，也可辅助以冷风冷却，冷却到常温。S5,再对PI板进行石墨化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为2800-3000℃，烧制时间为34-38小时。再次进行石墨化处理，可以再次排出PI板内的杂质，从排焦孔中排出，从而经过碳化和石墨化两次处理，保证PI板的纯净程度。S6,石墨化处理完毕后，对PI板进行冷却，然后对PI板进行压延处理，得到成品石墨均温板，该成品石墨均温板的厚度小于PI板的厚度。通常经过压延后，得到的成品石墨均温板的厚度为PI板的厚度的一半。如PI板的厚度为2mm,则得到的成品石墨均温板的厚度为1mm。压延时通常采用大于等于10MPa的压力以液压形式进行压制。另外，所述碳化处理时，烧制过程分为四个温度段升温，先使温度升高到500℃，然后在500℃下保持30分钟，然后从500℃升高到800℃，在800℃下保持40分钟，接着从800℃升高到1200℃，在1200℃下保持1小时，然后从1200℃升高到1400℃。或者还可以采用其他数量的分段升温，在此不再一一列举。所述碳化处理时，各个温度段的升温过程均以一个预设温度匀速升温。如从常温升高到500℃过程中，是按照预设温度匀速升温。碳化处理过程中的各个温度段，采用一个相同的温度值或者不同的温度值匀速升温。所述石墨化处理时，升温过程为线性加热，从初始温度一直升温到最高温度。此外，碳化处理时，采用一个设定的温度值进行升温，当烧制时间为36小时时温度达到3000℃。本专利技术通过上述方法制备得到的石墨均温板，相较于同等大小的铜制均温板的重量较轻，而且柔性好，与散热产品的贴合更加紧密，便于加工成型，降低工艺制作难度。另外，水平导热系数得到有效提升，能够应用于各种场所。需要说明的是，以上所述并非是对本专利技术技术方案的限定，在不脱离本专利技术的创造构思的前提下，任何显而易见的替换均在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨均温板的制备方法，包括以下步骤：选取若干张PI膜进行叠加压合形成一张PI板，该PI板的厚度为所有PI膜的厚度之和；在PI板上设置若干个排焦孔；对PI板进行碳化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为1300‑1400℃，烧制时间为20‑24小时；碳化处理完毕后，对PI板进行冷却；再对PI板进行石墨化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为2800‑3000℃，烧制时间为34‑38小时；石墨化处理完毕后，对PI板进行冷却，然后对PI板进行压延处理，得到成品石墨均温板，该成品石墨均温板的厚度小于PI板的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种石墨均温板的制备方法，包括以下步骤：选取若干张PI膜进行叠加压合形成一张PI板，该PI板的厚度为所有PI膜的厚度之和；在PI板上设置若干个排焦孔；对PI板进行碳化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为1300-1400℃，烧制时间为20-24小时；碳化处理完毕后，对PI板进行冷却；再对PI板进行石墨化处理，对其进行烧制，烧制最高温度为2800-3000℃，烧制时间为34-38小时；石墨化处理完毕后，对PI板进行冷却，然后对PI板进行压延处理，得到成品石墨均温板，该成品石墨均温板的厚度小于PI板的厚度。2.根据权利要求1所述的石墨均温板的制备方法，其特征在于，所述对各张PI膜叠加压合时采用的压力大于1000MPa。3.根据权利要求2所述的石墨均温板的制备方法，其特征在于，所述碳化处理时，烧制过程分为四个温度段升温，先使温度升高到500℃，然后在500℃下保持30分钟，然后从500℃升高到800℃，在800℃下保持4...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泽明，吴攀，李鹏，
申请(专利权)人：广东思泉新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44