用于制造电子组件的方法技术

一种用于制造电子组件的方法，包括用于以下的步骤：提供具有第一区（110）和邻近第一区的第二区（120）的表面；在表面的第一区之上布置牺牲层（200）；在牺牲层和表面的第二区之上布置钝化层（300）；在表面的第一区之上的钝化层中制作开口（410）；以及移除牺牲层（200）。为此目的，还可以使用光致抗蚀剂层（400）。在掩蔽和蚀刻牺牲层之后，可以通过因而形成的预定断裂点机械移除剩余的光致抗蚀剂层（400）和钝化层（300）的悬垂部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造电子组件的方法
本专利技术涉及根据专利权利要求1的用于制造电子组件的方法。该专利申请要求享有德国专利申请DE102015102300.8的优先权，其公开内容据此通过引用被并入。
技术介绍
在电子组件的制造期间，通常施加电气绝缘的钝化层，并且在后续过程步骤期间在预定位置处将它们再次打开。已知各种方法用于该目的。
技术实现思路
本专利技术的目的是规定一种用于制造电子组件的方法。该目的借助于包括权利要求1的特征的方法来实现。各种发展在从属权利要求中规定。一种用于制造电子组件的方法包括用于以下的步骤：提供包括第一区和邻接第一区的第二区的表面；在表面的第一区上方布置牺牲层；在牺牲层和表面的第二区上方布置钝化层；在表面的第一区上方的钝化层中创建开口；以及移除布置在第一区上方的钝化层的部分和牺牲层。该方法提供以下优点：钝化层中的开口不需要以高精度关于表面的第一区居中或对准。作为结果，该方法可简单、成本有效和快速地实施。根据本专利技术凭借以下事实使在钝化层中定位开口所要求的低精度是可能的：表面的第一区的精确位置由牺牲层的位置而不是由钝化层中的开口的位置限定。通过钝化层中的开口，仅仅必要的是提供到牺牲层的接入，以便能够移除牺牲层。钝化层被创建具有小于第一区的开口区域。这有利地使得以下是可能的：即使开口在钝化层中的定位以相对低的精度实施，也以简单的方式确保钝化层中的开口完全布置在表面的第一区上方。在该方法的一个实施例中，在钝化层中创建开口包括用于以下的步骤：在钝化层上方布置光致抗蚀剂层，在表面的第一区上方的光致抗蚀剂层中创建开口，以及移除布置在光致抗蚀剂层中的开口下方的钝化层的部分。在这种情况下，该方法附加地包括用于移除光致抗蚀剂的另外的步骤。由于在钝化层中创建开口不需要在开口在钝化层中的定位期间以非常高的精度实施，因此光致抗蚀剂层中的开口也可以在定位期间以不非常高的精度创建。这有利地使得以简单、快速和成本有效的方式实施该方法是可能的。在该方法的一个实施例中，在布置牺牲层之前，将导电层布置在表面的第一区上方或表面的第一区和第二区上方。导电层可以例如充当通过其来电气接触可由该方法获得的电子组件的组成部分的电气接触件。有利地，使得导电层通过借助于该方法在表面的第一区上方创建的钝化层中的开口可接入。在该方法的一个实施例中，在布置钝化层之前，移除第二区中的表面的一部分。作为结果，在表面的第二区上方升高的表面的区可以保留在表面的第一区中。在该方法的一个实施例中，表面是半导体主体的表面。在这种情况下，半导体主体可以包括例如集成光电子电路或组成部分。在该方法的一个实施例中，激光组件的波导结构在表面的第一区中形成。该方法有利地使得以下是可能的：在激光部件的波导结构上方以高精度布置钝化层和钝化层中的开口，使得激光组件的波导结构的侧壁被钝化层覆盖，并且钝化层中的开口布置在激光组件的波导结构的顶侧上方，作为其结果，使得激光组件的电气接触是可能的。在这种情况下，虽然钝化层中的开口最初仅需要以不非常高的精度关于表面的第一区对准，但是该方法导致钝化层和钝化层中的开口关于激光组件的波导结构的精确对准。在该方法的一个实施例中，在布置钝化层之前，在牺牲层上方布置覆盖层。在这种情况下，在钝化层中创建开口之后，还移除布置在钝化层中的开口下方的覆盖层的部分。覆盖层可以有利地在电子组件的制造期间执行另外的任务。举例来说，覆盖层可以在电子组件的制造期间充当蚀刻掩模。而且，覆盖层可以促进在钝化层中创建开口，而不在该过程中损坏可能布置在表面上的导电层。在该方法的一个实施例中，在布置钝化层之前，移除牺牲层的一部分。在这种情况下，举例来说，可以溶解布置在覆盖层下方的牺牲层的一部分。然后可以有利地通过钝化层来填充作为溶解牺牲层的所述部分的结果而产生的自由空间。作为结果，钝化层可以形成布置在牺牲层下方的层的顶侧上（例如，布置在牺牲层下方的导电层的顶侧上）的圆周环。在该方法的一个实施例中，覆盖层由包括SiO2、SiN、TiWN、光致抗蚀剂或金属的材料创建。有利地，已经证明这些材料是合适的。在该方法的一个实施例中，牺牲层还布置在表面中的第三区上方，所述第三区与第一区间隔开。在这种情况下，钝化层还布置在表面中的第三区上方。然而，在表面的第三区上方，在钝化层中不创建开口。这使得在表面的第三区上方形成升高的结构是可能的，所述第三区与第一区间隔开，所述升高的结构被钝化层覆盖。在可通过该方法获得的电子组件的情况下，所述升高的结构可以例如充当机械支撑结构和/或充当机械停止件以用于保护可通过该方法获得的电子组件的组成部分，所述组成部分形成在表面的第一区中。在该方法的一个实施例中，牺牲层由包括ZnO、Al2O3、TIWN、SiO或光致抗蚀剂的材料创建。有利地，已经发现，包括这样的材料的牺牲层相对于可用于在钝化层中创建开口的干法蚀刻过程是稳定的，并且同时可通过湿法化学蚀刻过程容易地蚀刻，这实现牺牲层的简单移除。在该方法的一个实施例中，牺牲层被创建具有10nm和1μm之间的厚度，优选地被创建具有50nm和500nm之间的厚度。这有利地使得利用钝化层可靠地覆盖牺牲层是可能的。同时，牺牲层的这样的厚度使得在该方法期间可靠地移除牺牲层是可能的。在该方法的一个实施例中，钝化层借助于气相沉积方法创建，特别地借助于化学气相沉积或借助于原子层沉积创建。这些方法有利地使得以良好的二次模塑创建钝化层是可能的，作为其结果，实现通过钝化层对较深层的可靠覆盖。在该方法的一个实施例中，钝化层由包括SiN、SiO、TaO、ZrO、AlO或ITO的材料创建。在这种情况下，ITO表示氧化铟锡。有利地，这样的材料在其沉积期间提供良好的二次模塑，特别是竖直或倾斜表面的良好二次模塑。而且，包括这样的材料的钝化层可以通过干法化学蚀刻过程而良好地蚀刻，并且同时相对于诸如可以用于移除牺牲层的湿法化学蚀刻过程是稳定的。而且，包括这样的材料的钝化层提供良好的电气绝缘和低的光学吸收。在该方法的一个实施例中，钝化层被创建具有1nm和10μm之间的厚度，优选地被创建具有10nm和2μm之间的厚度。有利地，已经证明这种厚度的钝化层是权宜的。在该方法的一个实施例中，移除钝化层的部分通过干法化学蚀刻，特别地使用氟、氯或氩来实施。有利地，这样的蚀刻方法实现钝化层的简单蚀刻，其中牺牲层仅在小的程度上受到攻击。在该方法的一个实施例中，移除牺牲层通过湿法化学蚀刻，特别地使用HCl或KOH来实施。有利地，这样的蚀刻方法实现牺牲层的可靠蚀刻，其中钝化层仅在小的程度上受到攻击。附图说明结合示例性实施例的以下描述，该专利技术的以上描述的性质、特征和优点以及实现它们所用的方式将变得更清楚和被更清楚地理解，结合附图更详细地解释所述示例性实施例。在此，在每一种情况下的示意性图示中：图1示出具有布置在其表面的第一区上方的牺牲层的半导体主体的截面侧视图；图2示出具有布置在牺牲层和表面的第二区上方的钝化层的半导体主体；图3示出具有布置在钝化层上方的光致抗蚀剂层的半导体主体，所述光致抗蚀剂层包括第一区上方的开口；图4示出具有在钝化层中创建的开口的半导体主体；图5示出在溶解牺牲层的过程之后的半导体主体；图6示出在移除光致抗蚀剂层的过程之后由半导体主体制造的电子组件的截面侧视图；图7示出具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造电子组件（10）的方法，包括以下步骤：‑ 提供包括第一区（110）和邻接第一区（110）的第二区（120）的表面（101）；‑ 在表面（101）的第一区（110）上方布置牺牲层（200）；‑ 在牺牲层（200）和表面（101）的第二区（120）上方布置钝化层（300）；‑ 在表面（101）的第一区（110）上方的钝化层（300）中创建开口（311），其中钝化层（300）中的开口（311）被创建具有小于第一区（110）的开口面积（312）；‑ 移除牺牲层（200）和布置在第一区（110）上方的钝化层（300）的部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.18 DE 102015102300.81.一种用于制造电子组件（10）的方法，包括以下步骤：-提供包括第一区（110）和邻接第一区（110）的第二区（120）的表面（101）；-在表面（101）的第一区（110）上方布置牺牲层（200）；-在牺牲层（200）和表面（101）的第二区（120）上方布置钝化层（300）；-在表面（101）的第一区（110）上方的钝化层（300）中创建开口（311），其中钝化层（300）中的开口（311）被创建具有小于第一区（110）的开口面积（312）；-移除牺牲层（200）和布置在第一区（110）上方的钝化层（300）的部分。2.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中在钝化层（300）中创建开口（311）包括以下步骤：-在钝化层（300）上方布置光致抗蚀剂层（400）；-在表面（101）的第一区（110）上方的光致抗蚀剂层（400）中创建开口（410）；-移除布置在光致抗蚀剂层（400）中的开口（410）下方的钝化层（300）的部分（310）；其中所述方法另外包括以下步骤：-移除光致抗蚀剂（400）。3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在布置牺牲层（200）之前，将导电层（500）布置在表面（101）的第一区（110）上方或者表面（101）的第一区（110）和第二区（120）上方。4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在布置钝化层（300）之前，移除在第二区（120）中的表面（101）的部分（125）。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中表面（101）是半导体主体（100）的表面。6.根据权利要求4和5所述的方法，其中在表面（101）的第一区（110）中形成激光组件的波导结构（115）。7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，在布置钝化层（300...

【专利技术属性】
技术研发人员：J米勒，C史蒂芬，R瓦尔特，S哈陶尔，C鲁姆博尔茨，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE