一种近室温自旋转换晶体材料及其合成方法技术

本发明专利技术公开了一种近室温自旋转换晶体材料及其合成方法，该材料的它的基础单元为[Fe(bpt)2{AuCN}2]，其中，配体为bpt‑，桥连配体为[Au(CN)2]‑，所述bpt‑为3,5‑二(2‑吡啶基)‑1,2,4‑三氮唑；所述晶体材料由一维梯子型结构组装而成。本发明专利技术方法制备的近室温自旋转换晶体材料转变温度接近室温，回滞宽度达到3K；本发明专利技术合成方法简单，成本低廉，晶化温度低，易于控制，且去除杂质的方法简单易行。

Near room temperature spin conversion crystal material and synthesis method thereof

The invention discloses a near room temperature spin conversion crystal material and its synthesis method, the basic unit of the material is [Fe (BPT) 2{AuCN}2], which is BPT ligand, the bridging ligand is [Au (CN) 2], the BPT 3,5 two (2 pyridyl) 1,2,4 three triazole; the crystal material is composed of one-dimensional ladder type structure and assembly. The transition temperature for near room temperature spin preparation method of the invention converts crystal materials near room temperature, hysteresis width is 3K; the synthesis method of the invention is simple, low cost, low crystallization temperature, easy to control, and the method is simple and easy to remove impurities.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于自旋转换材料的合成
，尤其涉及一种近室温自旋转换晶体材料及其利用水热溶剂热法合成近室温自旋转换晶体材料的方法。
技术介绍
自旋交叉配合物在温度、光照、压力等外界刺激下发生的中心金属离子电子构型的转变以及配合物光、电、磁性质剧烈的变化是一种极为有趣的物理化学现象，不仅在基础研究方面具有重要的探索意义，而且在开发新一代的分子电子器件材料方面也具有广阔的应用前景。自旋交叉材料所具有的双稳态特性可望实现分子水平上的信息存储从而引发信息存储器件轻型化、微型化的变革。70多年来经过世界各国科学工作者的共同努力，已经建立了一套关于自旋转变机理等较为系统的理论，也制备出了一些能够满足实际应用需求的自旋交叉配合物。但是，这个领域仍然面临着许多亟待解决的问题，例如尽管人们认识到超分子作用对于分子协同效应有着重要的影响，但却无法预期其影响结果，也无法给出规律性的总结，因此难以定向设计、合成具有预期性质的自旋交叉配合物。另外，绝大多数自旋交叉配合物转变温度过低，严重限制了它们的应用前景，从现实角度出发，有必要制备出更多能够在室温或高温区域发生回滞型转变的配合物，以丰富工业应用材料的选择范围。而且，自旋交叉体系的扩充也有助于建立磁构关系的系统知识，对今后配合物的制备具有指导性意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种近室温自旋转换晶体材料及其利用水热溶剂热法合成近室温自旋转换晶体材料的方法；该近室温自旋转换晶体材料由一维梯子型结构组成，其转变温度接近室温，回滞宽度达到3K。一种近室温自旋转换晶体材料，它的基础单元为[Fe(bpt)2{AuCN

【技术保护点】
一种近室温自旋转换晶体材料，其特征在于，它的基础单元为[Fe(bpt)2{AuCN}2]，其中，配体为bpt‑，桥连配体为[Au(CN)2]‑，所述bpt‑为带负电的3,5‑二(2‑吡啶基)‑1,2,4‑三氮唑；所述晶体材料由一维梯子型结构组装而成。

【技术特征摘要】
1.一种近室温自旋转换晶体材料，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：严政，李雷，朱龙凤，
申请(专利权)人：嘉兴学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33