一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，包括步骤：1）于生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于缓冲层表面形成SiO2层；3）于SiO2层表面形成具有多个间隔排列的孔状窗口的掩膜层；4）藉由各该孔状窗口对SiO2层进行刻蚀，于SiO2层中形成多个孔状结构，并露出各该孔状结构下方的缓冲层。本发明专利技术先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1-xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，然后通过ICP刻蚀工艺于SiO2层中制备出间隔排列的多个孔状结构。所述缓冲层和具有孔状结构的SiO2层既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。本发明专利技术工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。

Method for manufacturing composite substrate structure for nitride growth

The present invention provides a method for manufacturing a composite substrate, the nitride structure comprising the steps of: 1) the formation of buffer layer for subsequent light emitting epitaxial structure growth on growth substrate surface; 2) SiO2 layer is formed on the surface of the buffer layer; 3) forming a masking layer aligned with a plurality of spaced hole shaped window in SiO2 layer 4) by the surface; the hole shaped window etching of the SiO2 layer, forming a plurality of pores in the SiO2 layer, buffer layer and exposing the bottom hole shaped structure. The present invention first preparing a layer containing six angle lattice structure of BN layer or AlN layer or AlxGa1-xN layer as a buffer layer structure of light-emitting epitaxial growth, and then through the ICP etching in the SiO2 layer prepared by a plurality of spaced pores. The buffer layer and the SiO2 layer with a hole like structure can not only guarantee the crystal quality of the light-emitting epitaxial structure but also improve the light emitting efficiency of the led. The invention has simple process, is favorable for reducing manufacturing cost and is suitable for industrial production.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明领域，特别是涉及一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管是由III-V族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。现有的发光二极管一般采用蓝宝石作为制备衬底，为了提高发光二极管的出光效率，会于蓝宝石衬底表面制备出周期排列的多个凸起结构，然后再制备GaN基发光外延结构。然而，具有凸起结构的蓝宝石衬底，直接进行GaN发光外延结构的沉积往往会带来巨大的晶体缺陷，严重影响发光二极管的亮度，因此，现有的一种制备过程是，先于1100℃左右对具有凸起结构的蓝宝石衬底表面进行H2还原处理，然后通入反应源，采用低温化学气相沉积法于蓝宝石衬底表面沉积一层低温GaN层，接着停止反应源的通入，并升温至1050℃左右使该层低温GaN层在蓝宝石衬底表面的平台上进行重组，形成GaN基发光外延结构的成核位置，最后开始沉积GaN基发光外延结构，完成后续发光二极管的制备。对于以上的发光二极管制备方法，需要多步才能形成GaN基发光外延结构的成核位置，工艺复杂，成本较高，而且，蓝宝石衬底的折射率较高，为1.8左右，即使于其表面形成凸起结构，对发光二极管的出光率的提升也有很大的限制。因此，提供一种可以有效提高GaN基发光二极管生长质量、并且能提高发光二极管出光率的制备方法实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，用于解决现有技术中发光二极管生长质量及出光率低等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，至少包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）于所述SiO2层表面形成具有多个间隔排列的孔状窗口的掩膜层；4）藉由各该孔状窗口对所述SiO2层进行刻蚀，于所述SiO2层中形成多个孔状结构，并露出各该孔状结构下方的缓冲层。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述生长衬底的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的的一种优选方案，所述缓冲层的厚度为50～400埃。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述缓冲层为采用低温化学气相沉积法所制备的低温AlxGa1-xN层，0≤X≤0.5，制备的温度范围为450～700℃。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述缓冲层为采用溅射法所制备的AlN层，所述AlN层的主要晶向为（0001）取向；或所述缓冲层为BN材料层。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的一种优选方案，步骤2）采用等离子体增强化学气相沉积法于所述缓冲层表面形成SiO2层，所述SiO2层的厚度为0.2～2μm。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的一种优选方案，采用感应耦合等离子体刻蚀法于所述SiO2层中形成多个孔状结构。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述多个孔状结构呈矩形阵列或六角阵列排列。作为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法的一种优选方案，所述孔状结构的孔径为0.8～5μm，各该孔状结构的间距为0.8～5μm。如上所述，本专利技术提供一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）于所述SiO2层表面形成具有多个间隔排列的孔状窗口的掩膜层；4）藉由各该孔状窗口对所述SiO2层进行刻蚀，于所述SiO2层中形成多个孔状结构，并露出各该孔状结构下方的缓冲层。本专利技术先制备一层含有六角晶格结构的BN材料层或AlN层或AlxGa1-xN层，作为发光外延结构生长的缓冲层，然后通过ICP刻蚀工艺于SiO2层中制备出间隔排列的多个孔状结构。所述缓冲层和具有孔状结构的SiO2层既能保证生长发光外延结构的晶体质量，又能提高发光二极管的出光效率。本专利技术工艺简单，有利于降低制造成本，适用于工业生产。附图说明图1～图2显示为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法步骤1）所呈现的结构示意图。图3显示为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法步骤2）所呈现的结构示意图。图4～图5显示为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法步骤3）所呈现的结构示意图。图6～图8显示为本专利技术的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法步骤4）所呈现的结构示意图。元件标号说明101生长衬底102缓冲层103SiO2层104掩膜层105孔状窗口106孔状结构具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例1如图1～图7所示，本实施例提供一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，至少包括以下步骤：如图1～图2所示，首先进行步骤1），提供一生长衬底101，于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；3）于所述SiO2层表面形成具有多个间隔排列的孔状窗口的掩膜层；4）藉由各该孔状窗口对所述SiO2层进行刻蚀，于所述SiO2层中形成多个孔状结构，并露出各该孔状结构下方的缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成用于后续发光外延结构生长的缓冲层；
2）于所述缓冲层表面形成SiO2层；
3）于所述SiO2层表面形成具有多个间隔排列的孔状窗口的掩膜层；
4）藉由各该孔状窗口对所述SiO2层进行刻蚀，于所述SiO2层中形成多个孔状结构，
并露出各该孔状结构下方的缓冲层。
2.根据权利要求1所述的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，其特征在于：所述生
长衬底的材料为蓝宝石、SiC、Si及ZnO的一种。
3.根据权利要求1所述的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，其特征在于：所述缓
冲层的厚度为50～400埃。
4.根据权利要求1所述的用于氮化物生长的复合衬底结构的制造方法，其特征在于：所述缓
冲层为采用化学气相沉积法所制备的AlxGa1-xN层，0≤X≤0.5，制备的温度范围为
450～7...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁根如，郝茂盛，邢志刚，李振毅，陈耀，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31