半桥式功率半导体模块及其制造方法技术
Half bridge type power semiconductor module and manufacturing method thereof
The half bridge type power semiconductor module (1) has an insulated wiring board (15), the insulated wiring board (15) including an anode wiring conductor (12H), a bridge wiring conductor (12B), and a negative electrode wiring conductor (21L). On the positive distribution conductor (12H) and the bridge distribution conductor (12B), the high side power semiconductor device (13HT) and the back electrode of the low side power semiconductor device (13LT) are joined. The surface electrodes of the high side power semiconductor device (13HT) and the low side power semiconductor device (13LT) are connected to the bridge type wiring conductor (12B) and the negative electrode wiring conductor (21L) via the connection unit (18BT, 18LT). The main current flowing through the positive wiring conductor (12H) and the bridge wiring conductor is adjacent to the main current flowing through the connection unit (18BT) and (18LT), and in parallel with the current through the current.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半桥式功率半导体模块及其制造方法
本专利技术涉及能够以不增大热阻为前提、显著地减少主电流的路径所产生的寄生电感的高密度半桥式功率半导体模块及其制造方法。
技术介绍
广泛已知有如下的半桥式功率半导体模块(以下，有时简称为功率模块)，即，在一个封装内收纳有将两个功率半导体装置串联地连接，且以其连接中点为输出端子的半桥式(halfbridge)电路(参照专利文献1以及2)。在专利文献1以及2中，采用使流经绝缘板的表面侧导体的主电流的朝向与流经绝缘板的背面侧导体的主电流的朝向为反向的“邻接相反平行通过电流”配置，减少了功率模块的寄生电感。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002－112559号专利文献2：日本特开2002－373971号
技术实现思路
然而，在专利文献1以及2的功率模块中，为了将内部产生的热量从绝缘板的背面侧进行散热，采用在背面侧导体的背面侧进一步设置前提绝缘基板的构造，因此存在功率模块的热阻增大的问题。该问题在冷却的方式为水冷的情况下更加严重。本专利技术鉴于所述课题而完成，目的在于提供一种能够以不增大热阻为前提减少主电流的路径所产生的寄生电感的高密度半桥式功率半导体模块的构造及其制造方法。本专利技术一方式的半桥式功率半导体模块具有绝缘配线基板，该绝缘配线基板包括在一张绝缘板上或该绝缘板的上方相互电绝缘地配置的正极配线导体、桥式配线导体、负极配线导体。在正极配线导体以及桥式配线导体上，高侧功率半导体装置以及低侧功率半导体装置的背面电极分别相接合。在桥式配线导体上接合有直立型桥式端子。直立型高侧端子位于高侧半导体装置与直立型桥式端子之间，并且接合...
【技术保护点】
一种半桥式功率半导体模块，具备：绝缘配线基板，其包括一张绝缘板和在所述绝缘板上或该绝缘板的上方相互电绝缘地配置的正极配线导体、桥式配线导体、负极配线导体；一个以上的高侧功率半导体装置，其背面电极接合于所述正极配线导体上；一个以上的低侧功率半导体装置，其背面电极接合于所述桥式配线导体上；直立型桥式端子，其连接于所述桥式配线导体；直立型高侧端子，其配置于所述高侧功率半导体装置与所述桥式端子之间，并连接于所述正极配线导体；直立型低侧端子，其配置于所述桥式端子与所述低侧功率半导体装置之间，并连接于所述负极配线导体；高侧连接单元，其将所述高侧功率半导体装置的表面主电极与所述直立型桥式端子连接；低侧连接单元，其将所述低侧功率半导体装置的表面主电极与所述直立型低侧端子连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半桥式功率半导体模块，具备：绝缘配线基板，其包括一张绝缘板和在所述绝缘板上或该绝缘板的上方相互电绝缘地配置的正极配线导体、桥式配线导体、负极配线导体；一个以上的高侧功率半导体装置，其背面电极接合于所述正极配线导体上；一个以上的低侧功率半导体装置，其背面电极接合于所述桥式配线导体上；直立型桥式端子，其连接于所述桥式配线导体；直立型高侧端子，其配置于所述高侧功率半导体装置与所述桥式端子之间，并连接于所述正极配线导体；直立型低侧端子，其配置于所述桥式端子与所述低侧功率半导体装置之间，并连接于所述负极配线导体；高侧连接单元，其将所述高侧功率半导体装置的表面主电极与所述直立型桥式端子连接；低侧连接单元，其将所述低侧功率半导体装置的表面主电极与所述直立型低侧端子连接。2.根据权利要求1所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，分别流经所述正极配线导体以及所述高侧连接单元的主电流的大小相等，方向相反，且大致平行。3.根据权利要求1或2所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，分别流经所述桥式配线导体以及所述低侧连接单元的主电流的大小相等，方向相反，且平行。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，所述直立型桥式端子、所述直立型高侧端子、所述直立型低侧端子相互邻接而平行地配置。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，分别流经所述直立型高侧端子以及所述直立型桥式端子的主电流大小相等，方向相反，且平行。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，分别流经所述直立型低侧端子以及所述直立型桥式端子的主电流大小相等，方向相反，且平行。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，所述高侧功率半导体装置与所述直立型高侧端子的距离和所述低侧功率半导体装置与所述直立型低侧端子的距离为相等距离。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，所述高侧功率半导体装置与所述低侧功率半导体装置中的至少一方是开关功率元件。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，所述绝缘配线基板还具备配置在所述绝缘板上的栅极信号配线导体以及源极信号配线导体，所述半桥式功率半导体模块还具备：直立型栅极信号端子，其连接于所述栅极信号配线导体；直立型源极信号端子，其连接于所述源极信号配线导体；栅极信号连接单元，其将所述高侧功率半导体装置以及所述低侧功率半导体装置中的至少一方的栅电极与所述栅极信号配线导体或者所述直立型栅极信号端子连接；源极信号连接单元，其将所述高侧功率半导体装置以及该低侧功率半导体装置中的至少一方的源电极与所述源极信号配线导体或者所述直立型源极信号端子连接，所述栅极信号连接单元与所述源极信号连接单元相互平行地配置，所述直立型栅极信号端子与所述直立型源极信号端子相互平行地配置，栅极信号电流被配置为等量且相反平行地流通。10.根据权利要求1至9中任一项所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，所述高侧功率半导体装置以及所述低侧功率半导体装置中的至少一方，具备功率开关元件与反向并联地连接于所述功率开关元件的功率二极管。11.根据权利要求10所述的半桥式功率半导体模块，其特征在于，在所述正极配线导体以及所述桥式配线导体中的至少一方形成有将所述功率开关元件与所述功率...
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