晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法制造方法及图纸

实施例包括：下板；上板，被布置在所述下板上并转动；载体，接纳晶片并被布置在所述下板上；以及传感器单元，用于向所述载体内所接纳的所述晶片辐射光，检测所述晶片所反射的光，并根据检测结果输出检测数据，其中，所述传感器单元与所述上板一起转动。

Wafer polishing device and wafer polishing method using the same

An embodiment includes a lower plate; on board are arranged and rotated on the lower plate; the carrier wafer and acceptance is arranged on the lower plate; and a sensor unit for the wafer radiation to the carrier received, detecting the reflected light and the wafer. According to the detection result output detection data, wherein the sensor unit and the upper plate rotate together.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法
实施例涉及一种晶片抛光装置以及一种使用所述晶片抛光装置的晶片抛光方法
技术介绍
总体上，可以通过以下方式来制造硅晶片：使用切克劳斯基(Czochralski)方法(CZ法)生长硅单晶锭；使用钢丝锯对所述硅锭进行切片以获得经切片的晶片；并对经切片的晶片执行磨光、蚀刻、清洁和抛光工艺。在抛光工艺中，使用双面抛光装置对经切片的晶片的两个表面均进行抛光，从而获得扁平化的硅晶片。晶片抛光速度可以针对处理工具(比如抛光布和载体)以及每当进行抛光工艺时材料的退化而不同。因此，在针对固定的时间段执行抛光工艺的情况下，经抛光晶片的厚度可能会由于上述原因所引起的抛光速度的变化而变化。必须测量正被抛光的晶片的厚度并与其同时调整抛光速度。
技术实现思路
【技术问题】实施例提供了一种能够准确地测量正被抛光的晶片的厚度并能够提高晶片的抛光质量的晶片抛光装置、以及一种晶片抛光方法。【技术方案】在一个实施例中，一种晶片抛光装置包括：下表面板；上表面板，被布置在所述下表面板上方并且被配置成转动；载体，被布置在所述下表面板上从而在其中接纳晶片；传感器单元，用于向所述载体内所接纳的所述晶片辐射光，检测所述晶片所反射的光，并基于检测结果输出检测数据，其中，所述传感器单元与所述上表面板一起转动。所述上表面板可以具有通孔，从而允许辐射自所述传感器的光从中穿过。所述晶片抛光装置可以进一步包括：控制单元，用于基于所述检测数据计算经抛光晶片的厚度。所述传感器可以包括：厚度测量传感器，被配置成用于与所述上表面板一起转动并用于输出所述检测数据；电缆，用于将所述检测数据传输至所述控制单元；以及旋转连接器，连接至所述电缆。所述传感器单元可以被固定至所述上表面板的上表面。所述晶片抛光装置可以进一步包括：第一负载补偿单元，固定至所述上表面板的所述上表面的与所述传感器单元所固定至的所述上表面板的所述上表面的区域相反的区域，其中，所述第一负载补偿单元可以与所述传感器单元具有相同的重量。所述晶片抛光装置可以进一步包括：浆液供应单元，被布置在所述上表面板上从而向所述上表面板供应浆液并被配置成与所述上表面板一起转动。所述传感器单元可以被固定至所述浆液供应单元。所述晶片抛光装置可以进一步包括：第二负载补偿单元，固定至所述浆液供应单元的与所述传感器单元所固定至的所述浆液供应单元的区域相反的区域，其中，所述第二负载补偿单元可以与所述传感器单元具有相同的重量。所述上表面板可以具有形成于其上表面中的凹陷从而允许将所述传感器的一端插入其中，并且所述通孔可以被形成为穿过所述凹陷的底部和所述上表面板。所述晶片抛光装置可以进一步包括：透光膜，被布置在所述通孔的内壁上并被配置成用于封阻所述通孔的下端。所述控制单元可以在每个预定时间段获取所述经抛光晶片的形状信息和GBIR(GlobalBacksidereferenceIndicateReading，全局背面基准指示读数)，并可以基于所述获取的GBIR判定是否关于所述经抛光晶片执行抛光工艺，并且所述GBIR可以是在所述预定时间段测量的所述晶片的厚度的最大值与最小值之差。如果当前时间段内的GBIR超过上一时间段内的GBIR，则所述控制单元可以关于所述经抛光晶片停止所述抛光工艺。所述控制单元可以基于以下各项获取关于所述经抛光晶片的形状的信息：所述载体的中心的移动路径的坐标、所述载体内所接纳的所述晶片的中心的移动路径的坐标、以及从所述晶片的所述中心到所述晶片的在其处由所述传感器单元测量所述晶片的厚度的点的距离。在一个实施例中，一种使用包括下表面板、上表面板、以及被配置成与所述上表面板一起转动的传感器单元的晶片抛光装置的晶片抛光方法包括：关于被布置在所述下表面板上的至少一个载体上所负载的晶片开始双面抛光工艺并使用所述传感器单元测量所述正被抛光的晶片的厚度；判定所述正被抛光的晶片的厚度是否已达到预定的基准厚度；在确定所述正被抛光的晶片的厚度已达到所述基准厚度时，在预定时间段获取关于所述晶片的形状的信息；使用所述获取的关于所述晶片的所述形状的信息计算所述晶片的GBIR(全局背面基准指示读数)；以及基于所述计算的GBIR判定是否关于所述晶片停止双面抛光工艺。所述获取关于所述晶片的所述形状的所述信息可以包括：在所述预定时间段在多个随机厚度测量点处测量所述正被抛光的晶片的厚度；以及基于所述正被抛光的晶片的所述测量的厚度获取所述晶片在所述晶片的径向方向上的厚度分布。所述判定是否关于所述晶片停止所述双面抛光工艺可以包括：如果第一时间段内所述晶片的GBIR超过第二时间段内所述晶片的GBIR，则关于所述晶片停止所述双面抛光工艺；并且所述第一时间段和所述第二时间段可以是在所述正被抛光的晶片的厚度已达到所述基准厚度的时间点之后所定义的时间段，并且所述第一时间段可以是在所述第二时间段之后的预定时间段。如果在所述第一时间段内所述晶片的所述GBIR不超过在所述第二时间段内所述晶片的所述GBIR，则可以在下一预定时间段获取关于所述晶片的所述形状的信息，可以使用所述获取的关于所述晶片的所述形状的信息计算所述晶片的所述GBIR，并且可以基于所述计算的GBIR判定是否关于所述晶片停止所述双面抛光工艺。所述判定是否关于所述晶片停止所述双面抛光工艺可以包括：如果第一时间段内所述晶片的GBIR大于或等于第二时间段内所述晶片的GBIR，则关于所述晶片停止所述双面抛光工艺；并且所述第一时间段和所述第二时间段可以是在所述正被抛光的晶片的厚度已达到所述基准厚度的时间点之后所定义的时间段，并且所述第一时间段可以是在所述第二时间段之后的预定时间段。【有益效果】实施例能够准确地测量正被抛光的晶片的厚度并能够提高晶片的抛光质量。【附图说明】图1根据实施例展示了双面抛光装置的截面图；图2根据另一实施例展示了双面抛光装置的截面图；图3根据另一实施例展示了双面抛光装置的截面图；图4展示了固定型厚度测量传感器和旋转型厚度测量传感器所获取的数据量；图5根据实施例展示了透光膜的放大视图；图6展示了图3中所示凹陷的放大视图；图7是展示了根据另一实施例的双面抛光方法的流程图；图8展示了根据正被抛光的晶片的厚度变化的GBIR变化；图9A展示了双面抛光工艺过程中载体的中心的移动路径；图9B展示了安装至图9A中所示的载体的晶片的中心的移动路径；图10根据实施例展示了晶片的由厚度测量传感器测量所述晶片的厚度所处的点；图11展示了在晶片的径向方向上的厚度分布和GBIR；图12展示了载体与晶片之间的厚度差所引起的间隙以及根据所述间隙在晶片形状上的差别；以及图13是展示了经抛光晶片的平均厚度与GBIR之间的关系的图。【具体实施方式】在下文中，将参照附图详细地说明实施例。在对实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“之上”或“之下”时，它可以“直接地”或“间接地”在所述另一衬底、层或(膜)、区域、垫、或图案上，或者还可以存在一个或多个中介层。参照附图对所述层的这种位置加以描述。出于方便或清楚的目的，可以夸大、省略或示意性地绘制附图中所示的每一层的尺寸。另外，元件的尺寸不完全地反映其实际尺寸。另外，贯穿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片抛光装置，包括：下表面板；上表面板，被布置在所述下表面板上方并且被配置成转动；载体，被布置在所述下表面板上从而在其中接纳晶片；以及传感器单元，用于向所述载体内所接纳的所述晶片辐射光，检测所述晶片所反射的光，并基于检测结果输出检测数据，其中，所述传感器单元与所述上表面板一起转动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.16 KR 10-2015-00079631.一种晶片抛光装置，包括：下表面板；上表面板，被布置在所述下表面板上方并且被配置成转动；载体，被布置在所述下表面板上从而在其中接纳晶片；以及传感器单元，用于向所述载体内所接纳的所述晶片辐射光，检测所述晶片所反射的光，并基于检测结果输出检测数据，其中，所述传感器单元与所述上表面板一起转动。2.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，其中，所述上表面板具有通孔，从而允许辐射自所述传感器的光从中穿过。3.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，进一步包括：控制单元，用于基于所述检测数据计算经抛光晶片的厚度。4.根据权利要求2所述的晶片抛光装置，其中，所述传感器单元包括：厚度测量传感器，被配置成用于与所述上表面板一起转动并用于输出所述检测数据；电缆，用于将所述检测数据传输至所述控制单元；以及旋转连接器，连接至所述电缆。5.根据权利要求2所述的晶片抛光装置，其中，所述传感器单元被固定至所述上表面板的上表面。6.根据权利要求5所述的晶片抛光装置，进一步包括：第一负载补偿单元，固定至所述上表面板的所述上表面的与所述传感器单元所固定至的所述上表面板的所述上表面的区域相反的区域，其中，所述第一负载补偿单元与所述传感器单元具有相同的重量。7.根据权利要求1所述的晶片抛光装置，进一步包括：浆液供应单元，被布置在所述上表面板上从而向所述上表面板供应浆液并被配置成与所述上表面板一起转动。8.根据权利要求7所述的晶片抛光装置，其中，所述传感器单元被固定至所述浆液供应单元。9.根据权利要求7所述的晶片抛光装置，进一步包括：第二负载补偿单元，固定至所述浆液供应单元的与所述传感器单元所固定至的所述浆液供应单元的区域相反的区域，其中，所述第二负载补偿单元与所述传感器单元具有相同的重量。10.根据权利要求5所述的晶片抛光装置，其中，所述上表面板具有形成于其上表面中的凹陷从而允许将所述传感器的一端插入其中，并且所述通孔被形成为穿过所述凹陷的底部和所述上表面板。11.根据权利要求2所述的晶片抛光装置，进一步包括：透光膜，被布置在所述通孔的内壁上并被配置成用于封阻所述通孔的下端。12.根据权利要求3所述的晶片抛光装置，其中，所述控制单元在每个预定时间段获取所述经抛光晶片的形状信息和GBIR(全局背面基准指示读数)，并基于所述获取的GBIR判定是否对所述经抛光晶片执行抛光工艺，并且所述GBIR是在所述预定时间段测量的所述晶片的厚度的最大值与最小值之差。13.根据权利要求12所述的晶片抛光装置，其中，如果当前时间段内的GBIR超过上一时间段内的GBIR，则所述控制单元关于所述经抛光晶片停止所述抛光工艺。14.根据权利要求12所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴禹植，
申请(专利权)人：LG矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR