发光二极管芯片制造技术

一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极。所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面。两个电极中的至少其中一个自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以通过导电胶与外部电极电连接。本发明专利技术的发光二极管芯片的电极无需金线连接，因此，相对于传统的金属电极垫，本发明专利技术的电极不需要具备金线焊接的面积，所以可以做的面积很小，从而减少了电极的挡光面积，增加了发光二极管芯片的发光区域，提升了出光量。

LED chip

A light emitting diode chip includes a substrate, a semiconductor structure formed on the substrate, and a two electrode formed on the semiconductor structure and spaced from each other. The semiconductor structure has two exposed semiconductor layers, wherein one electrode is formed on the upper surface of the half conductor layer, and the other electrode is formed on the upper surface of the other half conductor layer. At least one of the two electrodes bends from the upper surface of the semiconductor layer to the side of the semiconductor structure to electrically connect with the external electrode via the conductive adhesive. Electrode of the light-emitting diode chip of the invention without gold connection, therefore, compared with the traditional metal electrode pad, the electrode of the invention does not need to have gold welding area, so you can do the area is very small, thereby reducing the blocking area of electrode, increase the light emitting diode chip two emitting region, enhance the light.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管芯片。
技术介绍
LED（发光二极管，Light-emittingdiode）产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。在现有技术中，发光二极管芯片上一般设置有一P型金属电极垫以及一N型金属电极垫，然后通过打金线以将发光二极管芯片的金属电极垫与基板的焊垫电连接。但是，为了使焊线能种植于发光二极管芯片上，金属电极垫必须具有一定的面积，例如，金属电极垫面积通常是50um×50um，这样一来，金属电极垫必定会遮挡住部分光线，从而减少了发光二极管芯片的发光区域，造成出光量低下。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能增加发光区域，提升出光量的发光二极管芯片。一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极。所述半导体结构具有二外露的半导体层。其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面。两个电极中的至少其中一个自其所设的半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。上述的发光二极管芯片的两电极中的至少其中一个自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面，从而通过导电胶或焊接等方式就能实现与半导体结构的侧面的电极与外部电极的电连接，而无需金线连接，因此，相对于传统的金属电极垫，本专利技术的电极不需要具备金线焊接的面积，所以可以做的面积很小，从而减少了电极的挡光面积，增加了发光二极管芯片的发光区域，提升了出光量。附图说明图1为本专利技术第一实施方式中的发光二极管芯片的俯视图。图2为图1中的发光二极管芯片沿II-II方向的截面图。图3为图1中的发光二极管芯片与外部电极连接的示意图。图4为本专利技术第二实施方式中的发光二极管芯片的俯视图。图5为图4中的发光二极管芯片沿V-V方向的截面图。图6为图4中的发光二极管芯片与外部电极连接的示意图。图7为本专利技术第三实施方式中的发光二极管芯片与外部电极连接的示意图。主要元件符号说明发光二极管芯片100、200、300基板10半导体结构20N型电极30P型电极40绝缘层50第一外接电极60第二外接电极70导电胶80金线90缓冲层21N型半导体层22主动层23P型半导体层24导电层25如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式下面将结合附图，对本专利技术作进一步的详细说明。请参阅图1以及图2，本专利技术第一实施方式提供的一种发光二极管芯片100包括基板10、形成在基板10上的半导体结构20以及形成在半导体结构20上的N型电极30和P型电极40。所述基板10作为生长半导体结构的基板，可以为蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、偏铝酸锂(LiAlO2)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlO)、或氮化铟(InN)等。所述半导体结构20包括依次成长在基板10上的缓冲层21、N型半导体层22、主动层23、P型半导体层24以及导电层25。该缓冲层21用于减少N型半导体层22的晶格错位，使N型半导体层22具有较佳的生长品质。在本实施方式中，所述缓冲层21可为氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝(AlN)、或是InGaN/InGaN超晶格结构；所述主动层23可为单异质结构、双异质结构、单量子阱层或是多重量子阱层结构。所述导电层25以蒸镀，溅镀等物理气相沉积法形成，其材料可为镍/金（Ni/Au）、氧化铟锡（IndiumTinOxide;ITO）、氧化铟锌（IndiumZincOxide;IZO）、氧化铟钨（IndiumTungstenOxide;IWO）或是氧化铟镓（IndiumGalliumOxide;IGO）。所述半导体结构20的一侧蚀刻形成平台并暴露出N型半导体层22。所述N型电极30为一大致呈方形的金属垫，其形成在暴露的N型半导体层22上。在本实施方式中，所述N型电极30可利用溅镀、蒸镀等物理气相层积的方法将金属沉积于N型半导体层22上。所述P型电极40为一L形的长条状的金属电极，其形成在导电层25的上表面并自导电层25的上表面弯折延伸至半导体结构20的侧面。在本实施方式中，P型电极40延伸至基板10的底部且其底端与基板10的底面齐平。可以理解的是，P型电极40也可以延伸至基板10的底面上。所述P型电极40可利用溅镀、蒸镀等物理气相层积的方法将金属沉积于半导体结构20上。P型电极40与基板10以及半导体结构20的侧面之间还形成有绝缘层50，其用于防止短路。在本实施方式中，该绝缘层50为二氧化硅。请参阅图3，将发光二极管芯片100与外部电极连接封装时，发光二极管芯片100通过导电胶80固定在一第一外接电极60上，发光二极管芯片100侧面的P型电极40通过该导电胶80与该第一外接电极60实现电连接，而N型电极30则通过金线90与一第二外接电极70连接。可以理解的是，发光二极管芯片100侧面的P型电极40也可以通过与第一外接电极60焊接来实现电连接。本专利技术的P型电极40为一长条状的金属电极，并且沿半导体结构20的侧面向下延伸，从而通过导电胶80就能实现P型电极40与外部电极的电连接，无需金线连接。因此，相对于传统的金属电极垫，本专利技术的P型电极40不需要具备金线焊接的面积，所以可以做的很窄，面积很小，从而减少了P型电极40的挡光面积，增加了发光二极管芯片100的发光区域，提升了出光量。另外，由于P型电极40是通过导电胶80与外部电极实现电连接，因此也减少金线的使用量，节省了成本。请参阅图4以及图5，本专利技术第二实施方式提供的一种发光二极管芯片200与第一实施方式中的发光二极管芯片100结构大致相同，其区别在于：所述P型电极40为一大致呈圆形的金属垫，而所述N型电极30则为一长条状的金属电极。该N型电极30形成在N型半导体层22表面，并且自半导体结构20的侧面向下延伸至基板10的底部。由于N型电极30可以做的很窄，面积很小，所以发光二极管芯片200蚀刻暴露出的N型半导体层22的面积也可以很小，从而增加了发光二极管芯片100的发光区域，提升了出光量。请参阅图6，发光二极管芯片200与外部电极连接时，发光二极管芯片200通过导电胶80固定在第二外接电极70上，N型电极30通过该导电胶80与第二外接电极70实现电连接，而P型电极40则通过金线90与第一外接电极60电连接。请参阅图7，本专利技术第三实施方式提供的一种发光二极管芯片300与第一以及第二实施方式中的发光二极管芯片100、200结构大致相同，其区别在于：N型电极30与P型电极40都为长条状的金属电极，其中N型电极30形成在N型半导体层22表面，并且自半导体结构20的侧面向下延伸至与基板10的底部；P型电极40形成在导电层25表面，并且自半导体结构20的侧面向下延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极，所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面，其特征在于：两个电极中的至少其中一个自其所设的半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极，所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面，其特征在于：两个电极中的至少其中一个自其所设的半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述半导体结构包括依次成长在基板上的缓冲层、N型半导体层、主动层、P型半导体层以及导电层，所述半导体结构的一侧蚀刻形成平台并暴露出N型半导体层，所述二电极分别为N型电极和P型电极，N型电极形成在裸露的N型半导体层上，P型电极形成在导电层上。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述N型电极为一金属垫，所述P型电极为一长条状的金属电极，并自导电层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接，所述N型电极通过打金线方式与外部电极电连接。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型电极与半导体结构的侧面之间还形成有绝缘层。
5....

【专利技术属性】
技术研发人员：沈佳辉，洪梓健，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44