屏蔽连接器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种屏蔽连接器的制造方法，包括：S1：提供一本体，具有上表面、下表面、信号收容孔和接地收容孔；S2：提供一金属层，镀设于本体的上表面以及信号收容孔和接地收容孔的内壁；S3：通过激光将所上表面围绕信号收容孔一圈的金属层去除，形成一隔离区围绕信号收容孔，及将金属层分隔成第一金属层和第二金属层；S4：将上表面的第一金属层通电进行电镀处理，以增加上表面的第一金属层的厚度，第二金属层由于与第一金属层电性隔断而不能通电使得第二金属层未加厚；S5：将金属层去除第二金属层的厚度，从而第二金属层完全去除，第一金属层的厚度减小；S6：提供信号端子和接地端子，分别对应装入信号收容孔和接地收容孔中。

Method for manufacturing shielded connector

The invention discloses a method for manufacturing a shielded connector, including: S1: providing a body having an upper surface, a lower surface, a signal containing hole and ground containing holes; S2: providing a metal plating layer arranged on the upper surface of the main body and the signal receiving hole and ground holding holes in wall: S3; the removal of the metal layer on the surface of the laser signal receiving holes around a circle, forming an isolation area surrounding the signal containing hole, and the metal layer is divided into a first and second metal layers; S4: the first metal layer on the surface of the electric plating processing, in order to increase on the first metal layer on the surface of the thickness of the second metal layer and electrically cut off and not due to electricity makes the second metal layer without thickening of the first metal layer; S5: the metal layer is removed second of the thickness of the metal layer, and a second metal layer is completely removed, the first metal The thickness of the layer is reduced; S6: a signal terminal and a ground terminal are respectively arranged in the signal receiving hole and the ground receiving hole.

【技术实现步骤摘要】
屏蔽连接器的制造方法
本专利技术涉及一种屏蔽连接器的制造方法，尤其是指一种可保证屏蔽连接器良好屏蔽效果的制造方法。
技术介绍
专利号为CN201310691784.2的中国专利揭示了一种屏蔽连接器，包括至少一本体，每一所述本体具有一上表面和一下表面，自所述上表面向所述下表面贯设多个信号收容槽和多个接地收容槽，制造时，先将所述本体整体镀设一导电层，使所述上表面、所述下表面、所述信号收容槽内和所述接地收容槽内均具有所述导电层，然后利用蚀刻治具将所述上表面和所述下表面在临近每个所述信号收容槽外围的所述导电层蚀刻掉，使所述上表面在临近每个所述信号收容槽外围形成一隔离区，所述下表面在临近每个所述信号收容槽外围形成一绝缘部，所述信号收容槽内的所述导电层也被蚀刻掉，形成一绝缘表面，而接地收容槽内的所述导电层被保留，故仅所述接地端子与所述导电层接触，从而保证了所述屏蔽连接器良好的的屏蔽效果。然而，上述蚀刻工艺的实现必须保证所述上表面和下表面必须为平整的平面，当所述上表面和下表面不是一个平整的面时，在进行蚀刻工艺时，由于所述上表面和下表面不平整，使得蚀刻治具与所述上表面和下表面之间仍存在一间隙，在蚀刻加工过程中，蚀刻溶液容易通过所述间隙进入我们原本需要保留的所述金属层内，进而将我们原本需要保留的所述金属层也蚀刻掉，影响了所述本体的加工制造，从而影响了所述屏蔽连接器良好的屏蔽效果。因此，有必要设计一种新的屏蔽连接器的制造方法，以克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术的创作目的在于提供一种屏蔽连接器的制造方法，尤其是指一种可保证屏蔽连接器良好屏蔽效果的制造方法。为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种屏蔽连接器的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一本体，具有相对设置的一上表面和一下表面，以及至少一信号收容孔和至少一接地收容孔分别贯穿所述上表面和所述下表面；S2：提供一金属层，镀设于所述本体的上表面以及所述信号收容孔和接地收容孔的内壁；S3：通过激光将所述上表面围绕所述信号收容孔一圈的金属层去除，使所述上表面形成一隔离区围绕所述信号收容孔，所述隔离区不设有金属层，及将所述金属层分隔成位于所述隔离区之外的一第一金属层和位于所述隔离区之内的一第二金属层；S4：将所述上表面的第一金属层通电进行电镀处理，以增加所述上表面的第一金属层的厚度，所述第二金属层由于与第一金属层电性隔断而不能通电使得所述第二金属层未加厚；S5：将所述金属层去除所述第二金属层的厚度，从而所述第二金属层完全去除，所述第一金属层的厚度减小；S6：提供至少一信号端子和至少一接地端子，分别对应装入所述信号收容孔和接地收容孔中，用于导接一芯片模块。进一步，所述本体还设有多个通孔围绕在每一个信号收容孔和每一个接地收容孔的周围，所述通孔贯穿所述上表面和所述下表面，所述隔离区与所述信号收容孔连通，所述通孔位于所述隔离区之外。进一步，在步骤S6之后，将一支撑盖设于所述本体上，用以支撑所述芯片模块，所述支撑盖设有多个通槽分别供信号端子和接地端子穿过，自所述支撑盖底面向下凸伸多个支撑块，当所述芯片模块与所述信号端子和接地端子抵接时，所述支撑块支撑于所述上表面且位于相邻两通孔之间。进一步，多个凸块位于所述上表面上，用以支撑所述芯片模块；在步骤S2中，所述金属层还镀设于所述凸块的表面。进一步，在步骤S3中，通过所述激光去除围绕所述凸块一圈的金属层。进一步，在步骤S3中，通过所述激光去除位于所述凸块与所述上表面的连接处的金属层。进一步，在步骤S3中，通过所述激光去除位于所述凸块侧面上一圈的金属层。进一步，在步骤S3中，通过所述激光去除位于所述凸块顶面上的金属层。进一步，所述凸块包括自所述上表面向上延伸形成的第一凸块及位于第一凸块上的第二凸块，第二凸块的顶面小于第一凸块的顶面，第二凸块的顶面用于支撑所述芯片模块，在步骤S3中，所述激光去除位于所述第二凸块顶面上的金属层。进一步，自所述上表面四侧缘分别向上凸伸一侧墙，用以挡止所述芯片模块水平移动。一种屏蔽连接器的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一本体，具有相对设置的一上表面和一下表面，以及至少一信号收容孔和至少一接地收容孔分别贯穿所述上表面和所述下表面；S2：提供一金属层，镀设于所述本体的上表面以及所述信号收容孔和接地收容孔的内壁；S3：通过激光将所述上表面围绕所述信号收容孔一圈的金属层去除，使所述上表面形成一隔离区围绕所述信号收容孔，所述隔离区不设有金属层；S4：提供至少一信号端子和至少一接地端子，分别对应装入所述信号收容孔和接地收容孔中。进一步，所述本体还设有多个通孔围绕在每一个信号收容孔和每一个接地收容孔的周围，所述通孔贯穿所述上表面和所述下表面，所述隔离区与所述信号收容孔连通，所述通孔位于所述隔离区之外。进一步，将一支撑盖设于所述本体上，用以支撑所述芯片模块，所述支撑盖设有多个通槽分别供信号端子和接地端子穿过，自所述支撑盖底面向下凸伸多个支撑块，当所述芯片模块与所述信号端子和接地端子抵接时，所述支撑块支撑于所述上表面且位于相邻两通孔之间。进一步，多个凸块位于所述上表面上，用以支撑所述芯片模块；在步骤S2中，所述金属层还镀设于所述凸块的表面。进一步，在步骤S3中，所述激光去除位于所述凸块顶面上的金属层。进一步，所述凸块包括自所述上表面向上延伸形成的第一凸块及位于第一凸块上的第二凸块，第二凸块的顶面小于第一凸块的顶面，第二凸块的顶面用于支撑所述芯片模块，在步骤S3中，所述激光去除位于所述第二凸块顶面上的金属层。进一步，所述第二凸块顶面为弧形面。进一步，所述接地端子与所述信号端子结构相同，在步骤S4之后，所述信号收容孔和接地收容孔的内壁均有所述金属层。进一步，自所述上表面四侧边分别向上凸伸一侧墙，用以挡止所述芯片模块水平移动。与现有技术相比，本专利技术屏蔽连接器的制造方法具有以下有益效果：通过激光将所述上表面靠近所述信号收容孔周边的金属层去除，使所述上表面形成一隔离区围绕所述信号收容孔，无需保证所述上表面为一个平整的面便可实现，方便了所述本体的加工制造。将所述第一金属层通电进行电镀加厚，再将所述金属层去除所述第二金属层的厚度，在保证将所述第二金属层完全去除的同时，又能保证所述本体仍然具有所述第二金属层，从而保证了所述屏蔽连接器良好的的屏蔽效果。【附图说明】图1为本专利技术屏蔽连接器的制造方法的流程图；图2为图1的屏蔽连接器的结构示意图；图3为图1的屏蔽连接器的结构示意图；图4为本专利技术屏蔽连接器的第一实施例的立体示意图；图5为图4的局部示意图；图6为图5的局部剖视图；图7为图6的另一角度的示意图；图8为图6中信号端子和接地端子组装于本体前的示意图；图9为图8的另一角度的示意图；图10为图9的在芯片模块下压后的示意图；图11为激光照射在第一凸块侧面的实施例示意图；图12为激光照射在第二凸块顶面的实施例示意图；图13为本专利技术屏蔽连接器的另一种制造方法的流程图；图14为图13的屏蔽连接器的结构示意图；图15为图13的屏蔽连接器的结构示意图；图16为本专利技术屏蔽连接器的第二实施例的立体示意图；图17为图16中支撑盖支撑于本体上的示意图。具体实施方式的附图标号说明：屏蔽连接器100本体1上表面11下表面12信号收容孔131接地收容孔132通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种屏蔽连接器的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一本体，具有相对设置的一上表面和一下表面，以及至少一信号收容孔和至少一接地收容孔分别贯穿所述上表面和所述下表面；S2：提供一金属层，镀设于所述本体的上表面以及所述信号收容孔和接地收容孔的内壁；S3：通过激光将所述上表面围绕所述信号收容孔一圈的金属层去除，使所述上表面形成一隔离区围绕所述信号收容孔，所述隔离区不设有金属层，及将所述金属层分隔成位于所述隔离区之外的一第一金属层和位于所述隔离区之内的一第二金属层；S4：将所述上表面的第一金属层通电进行电镀处理，以增加所述上表面的第一金属层的厚度，所述第二金属层由于与第一金属层电性隔断而不能通电使得所述第二金属层未加厚；S5：将所述金属层去除所述第二金属层的厚度，从而所述第二金属层完全去除，所述第一金属层的厚度减小；S6：提供至少一信号端子和至少一接地端子，分别对应装入所述信号收容孔和接地收容孔中，用于导接一芯片模块。

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽连接器的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一本体，具有相对设置的一上表面和一下表面，以及至少一信号收容孔和至少一接地收容孔分别贯穿所述上表面和所述下表面；S2：提供一金属层，镀设于所述本体的上表面以及所述信号收容孔和接地收容孔的内壁；S3：通过激光将所述上表面围绕所述信号收容孔一圈的金属层去除，使所述上表面形成一隔离区围绕所述信号收容孔，所述隔离区不设有金属层，及将所述金属层分隔成位于所述隔离区之外的一第一金属层和位于所述隔离区之内的一第二金属层；S4：将所述上表面的第一金属层通电进行电镀处理，以增加所述上表面的第一金属层的厚度，所述第二金属层由于与第一金属层电性隔断而不能通电使得所述第二金属层未加厚；S5：将所述金属层去除所述第二金属层的厚度，从而所述第二金属层完全去除，所述第一金属层的厚度减小；S6：提供至少一信号端子和至少一接地端子，分别对应装入所述信号收容孔和接地收容孔中，用于导接一芯片模块。2.如权利要求1所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：所述本体还设有多个通孔围绕在每一个信号收容孔和每一个接地收容孔的周围，所述通孔贯穿所述上表面和所述下表面，所述隔离区与所述信号收容孔连通，所述通孔位于所述隔离区之外。3.如权利要求2所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：在步骤S6之后，将一支撑盖设于所述本体上，用以支撑所述芯片模块，所述支撑盖设有多个通槽分别供信号端子和接地端子穿过，自所述支撑盖底面向下凸伸多个支撑块，当所述芯片模块与所述信号端子和接地端子抵接时，所述支撑块支撑于所述上表面且位于相邻两通孔之间。4.如权利要求1所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：多个凸块位于所述上表面上，用以支撑所述芯片模块；在步骤S2中，所述金属层还镀设于所述凸块的表面。5.如权利要求4所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，通过所述激光去除围绕所述凸块一圈的金属层。6.如权利要求5所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，通过所述激光去除位于所述凸块与所述上表面的连接处的金属层。7.如权利要求5所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，通过所述激光去除位于所述凸块侧面上一圈的金属层。8.如权利要求4所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：在步骤S3中，通过所述激光去除位于所述凸块顶面上的金属层。9.如权利要求8所述的屏蔽连接器的制造方法，其特征在于：所述凸块包括自所述上表面向上延伸形成的第一凸块及位于第一凸块上的第二凸块，第二凸块的顶面小于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永权，何键宏，蔡友华，
申请(专利权)人：番禺得意精密电子工业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44