A power semiconductor module, which comprises a power semiconductor module, the bottom interface of the power semiconductor cooling module is coated with thermal phase change material heated to melt, the radiator is fixed on the other interface in the heat power semiconductor module, and the thermal conductivity of phase change materials between thermal interface and radiator space; including method the preparation: a) production completed in conventional power semiconductor module, using stencil printing technology in power semiconductor module, the bottom surface of the heat radiating coating interface contact surface, the thermal conductivity of phase change materials; b) coating thermal conductivity of phase change materials after the completion of the use of baking oven, baking temperature 80 to 100 DEG C, baking finish after placing 1 at room temperature for 2 hours, which is coated on the contact surface of the phase-change material heat cured to the solid state heat conduction phase; c) The material remains the same shape as it is when it is solidified to the solid.
【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体模块
本技术涉及的是一种预涂覆相变材料的功率半导体模块,属于功率半导体模块
技术介绍
目前常规的功率模块在出厂时,功率模块的基板底部不涂覆任何导热材料,而是在功率模块安装到散热器上时,在功率模块的底面涂覆导热硅脂。功率模块运行过程中,通过导热硅脂将功率模块的热量传导至散热器。然而导热硅脂的导热性能并不优良,目前市场上常用的导热硅脂导热能力相对来说较差,由其材料特性决定了导热硅脂的热阻占了整个模块热阻的50%左右。因此目前市场需要一种导热性能更加优良的热界面材料,提升模块的整体散热能力。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术存在的不足,而提供一种结构简单,使用方便,能提高功率模块的散热性能,提高功率模块使用寿命的、预涂覆相变材料的功率半导体模块及其制备方法。本技术的目的是通过如下技术方案来完成的,一种功率半导体模块,它包括一功率半导体模块,所述功率半导体模块的底部散热界面上涂覆有受热融化的导热相变材料,另在功率半导体模块的散热界面上固定安装有散热器,且所述导热相变材料介于散热界面与散热器之间的空间中。作为优选:所述功率半导体模块底面带有铜散热底板;所述的散热界面所涂覆的导热相变材料,其厚度范围为0.05mm——0.20mm之间。作为优选:所述的导热相变材料使用钢网印刷技术进行印制,所述的钢网上单孔形状为圆形、矩形、六边形或者其它规则的易于阵列排布的形状。一种如上所述功率半导体模块的制备方法,所述的制备方法包括如下步骤:a)在完成常规功率半导体模块的制作以后,使用钢网印刷技术,在功率半导体模块底面的热接触面、即散热界面涂覆导热相变材料 ...
【技术保护点】
一种功率半导体模块,其特征在于所述功率半导体模块(1)的底部散热界面上涂覆有受热融化的导热相变材料(2),另在功率半导体模块(1)的散热界面(5)上固定安装有散热器(3),且所述导热相变材料(2)介于散热界面(5)与散热器(3)之间的空间中。
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块,其特征在于所述功率半导体模块(1)的底部散热界面上涂覆有受热融化的导热相变材料(2),另在功率半导体模块(1)的散热界面(5)上固定安装有散热器(3),且所述导热相变材料(2)介于散热界面(5)与散热器(3)之间的空间中。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于所述功率半...
【专利技术属性】
技术研发人员:封丹婷,
申请(专利权)人:嘉兴斯达半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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